薄膜磁头磁轭制备工艺研究

本文重点讨论了用不同的工艺方法来制备薄膜磁头中的关键元件-磁轭。采用多次光刻的方法克服湿法工艺中磁性膜NiFe层的侧向钻蚀问题，从而实现对磁轭几何尺寸的精确控制，并对几种工艺方法的优缺点作了比较详细的分析。     

用于多种组装技术的厚膜导体复合结构

厚膜导体Ｐｄ－Ａｇ／Ａｕ、Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｕ／Ａｕ平面复合结构，Ｐｄ－Ａｇ／Ａｕ立体复合结构可使多种组装技术相互兼容。立体复合结构还可有效地降低导体线电阻，减少线损耗。而且，其超声键合性尤佳     

Photo-reversible Reaction in Polymer Langmuir-Blodgett Films

Preparation of photoreactive Langmuir-Blodgett (LB) films was carried out using polymers/oligomers prepared from long-chain dialkyl esters of di-and tetra-olefins and having cyclobutane rings in the main chain. These polymers/oligomers formed stable monolayers on a water surface when mixed with arachidic acid. These monolayers could be deposited onto a substrate successfully forming Y-type films. The oligomer LB films were polymerized on irradiation. The polymer LB films showed a photo-reversible process between polymers and oligomers, depending on wavelength of the irradiating light. On the basis of spectral data and molecular weight change, this behaviour was found to be caused by cleavage and formation of cyclobutane rings.     

(Fe_(0.86)Zr_(0.033)Nb_(0.033)B_(0.068)Cu_(0.01))_x(Al_2O_3)_(1-x)颗粒膜的霍耳效应

用磁控溅射方法制备了系列 (Fe0 .86 Zr0 .0 33Nb0 .0 33B0 .0 6 8Cu0 .0 1 ) x(Al2 O3) 1 -x颗粒膜样品 ,体积百分比x从 0 .3 3～ 0 .63 ,样品厚度约为10 0nm。室温下在Fe0 .86 Zr0 .0 33Nb0 .0 33B0 .0 6 8Cu0 .0 1 体积百分比x =0 .43时得到 17.5 μΩ·cm的最大饱和霍耳电阻率 ,比纯铁磁金属提高了 3～ 4个量级。对其磁性和微结构进行了研究 ,样品霍耳电阻率随外场的变化曲线 ρxy～H与磁场平行于膜面时的磁化曲线M～H有相似性 ,说明霍尔电阻率 ρxy与磁化强度M相关。样品电阻率 ρxx随金属体积百分比x的减小而增加 ,在x =0 .43附近发生突变 ,从金属导电变为绝缘体。根据微结构和输运性质对可能的机制进行了探讨     

石英晶体监控法镀制高精度光学薄膜

讨论了石英晶体监控法在光学薄膜镀制过程中的应用原理。通过与常规的光学监控法镀制的膜层相比较．证实了石英晶体监控法有助于提高光学薄膜的光学品质。试验表明所镀膜层的光学性能优异，在光通信和激光器等领域具有广阔的应用前景。     

光隔离器及其相关的磁光材料

本文简要介绍了磁光隔离器的理论、结构和分类 ,并提出了该器件今后发展的几个问题 ,最后介绍了几种磁光材料     

应用ITO膜作电荷收集极的位置灵敏探测器

首次尝试将ITO（Indium Tin Oxide）膜与微通道板（Microchannel Plate）结合用作位置灵敏探测器，并对该探测器的线性、位置分辨及探测效率作了测试，得到了令人满意的结果。     

只读式超分辨光盘的膜层设计和分析

超分辨技术是一种无需减小记录波长或增大数值孔径而提高存储密度的方法。Ge Sb Te是一种良好的相变光存储材料 ,在超分辨光盘中可作为掩膜。利用多层膜反射率的矩阵法计算了掩膜为Ge2 Sb2 Te5薄膜的超分辨只读式光盘的光学参数与各膜层厚度之间的关系 ,最后得到了较为理想的膜层厚度匹配。采用磁控溅射法制备了只读式超分辨光盘 ,测量了光盘的光学性质。     

微重力落塔电磁悬吊、释放技术研究

论述了微重力落塔电磁悬吊、释放、提升机构的关键技术,电磁释放过程的特性分析以及微重力落塔实际试验的情况。分析说明:悬吊、释放性能的好坏决定了试验落舱的微重力水平,也是微重力落塔试验能否成功的关键技术。     

纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂

用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片 (10 0 )上制备Zn薄膜 ,然后对Zn薄膜进行氧化、热处理获得纳米ZnO薄膜。对在硅片上制备的Zn薄膜一次性进行高温掺杂、氧化获得纳米ZnO∶P和ZnO∶B薄膜。研究不同氧化、掺杂温度和时间对薄膜结构、电学性能的影响。结果表明 :氧化温度和时间对ZnO薄膜结构影响较大 ,液态源掺P可明显改善纳米ZnO薄膜的导电性能、结构特性和化学组分