受主型杂质对p型单晶硅中少子衰减过程的影响

少子寿命测试技术是监控单晶硅中杂质和缺陷的数量及性质的重要技术手段.基于常规光电导少子寿命测试的基本参数,研究了不同性质的受主型杂质缺陷对太阳电池用p型单晶硅中少子衰减过程的影响,并重点分析了仅存在受主型电子陷阱或复合中心时,少子衰减过程的变化规律;受主型电子陷阱和复合中心并存时,少子衰减过程的变化规律.研究表明:p型单晶硅中仅存在电子陷阱或复合中心时,二者的密度和俘获截面越小,少子寿命越长,且二者均存在一个最小阈值;当二者并存时,少子电子的衰减过程可根据少子寿命值的不同分成不同的衰减区域.     

Electrical properties of HgCdTe epilayers doped with silver using an AgNO3 solution

We employed AgNO₃ solutions for doping Ag in liquid phase epitaxy (LPE) grown Hg_0.78Cd_0.22Te epilayers and found that the minority carrier lifetimes became longer so that the diode properties improved. After annealing LPE grown Hg(1-x)Cd(x)Te layers (x=0.22) in Hg atmosphere, the epilayers were immersed in an AgNO₃ solution at room temperature. The typical carrier concentrations of holes was 3 × 10¹⁶ cm⁻³ at 77K. These values were almost the same as for the nondoped wafers. Also, its acceptor level was 3 to 4 meV. This shows that the Ag was activated. The doped crystals have lifetimes several times longer than those of the nondoped crystals. Numerical fitting showed the lifetime was limited mostly by the Auger 7 process. The Shockley-Read-Hall recombination process was not effective. To examine the Ag-doped wafer, we fabricated photodiodes using standard planar technology. The diodes have an average zero-bias resistance of several MΩ and a shunt resistance of about 1 GΩ for a 10 μm cutoff wavelength at 78K. These values are about four times higher than those of nondoped diodes. The photo current is also two times higher at the same pixel size. This shows that the quantum efficiency is increased. The extension of the lifetime contributes to the high resistance and the high quantum efficiency of the photodiode.     

钛磁铁矿选矿技术研究进展

我国是铁矿资源消费大国,钛磁铁矿源占全国铁矿资源储量的10％以上.本文从钛磁铁矿的工艺矿物学性质、钛磁铁矿选矿工艺、钛磁铁矿精矿提铁降杂及钛磁铁矿选矿过程中元素走向等方面综述了钛磁铁矿的选矿技术研究进展,指出了今后的重点研究方向.     

半导体量子阱和量子线中杂质束缚能的度规法则与维里定理

利用变分法计算了矩形量子线和量子阱中类氢杂质束缚能的度规法则和维里定理值.计算结果表明:的确存在一个参数(杂质有效玻尔半径)可用来完全确定束缚能的值,而不必考虑截面的形状和尺寸;体系的维里定理值并不等于常数,而是随杂质有效玻尔半径变化,在阱宽较小和较大时,维里定理值都趋于2.     

依折麦布环醚杂质的制备及其晶体结构表征

药物杂质与药品的安全性和稳定性密切相关,对药物杂质进行充分研究是药品质量控制的必要过程。依折麦布、尿素在无水乙醇和无水甲醇溶剂中,室温存放可顺利获得依折麦布环醚杂质晶体,该环醚杂质结构经单晶衍射表征。结果显示,晶胞参数a=6.140 7(4),b=7.660 3(5),c=11.145 5(7),α=72.497(5)°,β=99.535(2)°,γ=85.538(5)。属于三斜晶系,P1空间群。     

奥氮平有关物质的合成

为合成奥氮平杂质2-甲基-5,10-二氢-4H-噻吩并[2,3-b][1,5]苯二氮杂-4-酮(杂质Ⅰ),以2-氨基-3-氰基-5-甲基噻吩和2-氟硝基苯为起始原料经亲核取代、还原关环及水解3步反应合成了目标化合物,并用NMR及HR-MS进行结构确证,总收率为44%。此方法简单易行、经济实用,为奥氮平杂质对照品的制备奠定了物质基础。     

不同温度时效后Ni-20Cr-18W-1Mo合金晶界偏聚及力学性能研究

采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、电子探针(EPMA)和高温力学试验机等手段,研究了不同时效温度(200-800 °C)对Ni-20Cr-18W-1Mo高温合金的元素晶界偏聚和力学性能的影响。结果表明,硫、磷元素的晶界偏聚临界时间随时效温度升高而降低;时效温度对元素在晶界和晶内的成分分布有显著的影响;实验合金的抗拉强度和延伸率随时效温度升高而降低。分析发现,硫、磷元素在晶界中的含量随时效温度升高而增大直至两者分别在650和400 °C时达到峰值,是合金在200-600 °C区间内力学性能降低的重要原因。     

硅研磨片超声波清洗技术的研究

介绍了硅研磨片清洗的重要性,分析了影响硅研磨片质量的主要因素,即金属杂质和各种污染物.重点分析了硅研磨片表面沾污的原因,并且通过大量的实验分析得到了活性剂和碱性清洗液、去离子水的最佳体积比是0.20:1.00:10.0,清洗的最佳时间为3 min～5 min和最佳温度范围为40℃～50℃.     

超声法检测火药生产中非金属杂质的应用研究

火药生产中非金属杂质带来的安全隐患是一个尚未解决的关键问题;由于超声检测具有适应性强,检测灵敏度高、快捷,无污染,可达到无损检测等特点,选用其作为检测火药生产药料中非金属杂质的方法;对A扫描脉冲反射法应用于检测药料中杂质进行了探索研究,试验结果证实用超声法检测药料中的非金属杂质具有一定可行性.     

棉短绒先打浆后蒸煮制浆新方法

棉短绒采用先打浆、后蒸煮的新制浆工艺,可去除棉短绒中80%以上的混杂物。浆料进行H₂O₂二步法蒸漂,还可去除油脂蜡质、提高白度、降低COD、节能降耗。