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使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3/C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加,成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大,而刻蚀基团F的密度也会增加,从而使得a—C:F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明,在高CHF3流量下沉积的a—C:F薄膜中含有更高的C—F键成分。可见在a—C:F薄膜的制备中CHF3/(CHF3 C6H6)流量比是重要的控制参量。 相似文献
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用溶胶-凝胶技术在Bi(100)衬底上制备了单层和渐变型多层的BaxSr(1-X)TiO3薄膜,其膜层组分分别为:Ba0.7Sr0.3TiO3,Ba0.8Sr0.2TiO,Ba0.9Sr0.1TiO3,BaTiO3,对生长制备出的多层BaxSr(1-X)TiO3薄膜进行了变角度椭偏光谱测量,通过椭偏光谱解谱分析研究,首次得到了BaxSr(1-X)TiO3多层膜结构不同膜层的膜厚和光学常数,其结果显示:椭偏光谱分析得到的不同膜层的膜厚与卢瑟福背向散射测量得到的结果基本相符;渐变型多层膜中BaTiO3薄膜的折射率比单层BaTiO3薄膜折射率大许多,与体BaTiO3的折射率相接近,这说明渐变型多层膜中BaTiO3薄膜的光学性质与体材料的光学性质接近。 相似文献
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低温低渗透砂岩油藏窜流大孔道深部封堵技术研究 总被引:4,自引:0,他引:4
所用堵剂为高强度的淀粉接枝聚丙烯酰胺交联凝胶SAMG-1,由<6%淀粉、4.5%-5.5%丙烯酰胺、0.003%-0.006%交联剂组成,35℃成胶时间受淀粉和交联剂用量控制,为18-20小时以上,成胶前黏度-100 mPa.s。该堵剂具有长期稳定性,在储层岩心中注入深度15 cm的堵剂,在35℃候凝48小时后及老化90天后,封堵强度分别为0.61和0.59 MPa/cm,封堵率分别为98.6%和98.1%。该堵剂优先进入高渗层,注入0.5 PV并成胶后,2组双填砂管组成的模型低、高渗管渗透率保留率分别为68.4%、0.7%和69.4%、0.0%。吉林扶余油田西一区+15-8.2区块有水井6口,油井13口,含水率达91.5%,注入水最快在5天内到达油井。报道了该区块整体深部调剖封堵窜流通道的情况,详细叙述了+15-9.2井施工中通过注入压力和井底回压控制注入流量,使堵剂陆续进入原生和次生孔道的工艺作业,该井设计注入堵剂92 m3。6口水井整体调剖后,油井产液量差别减小,产油量增加,有效期已超过了9个月,共增油843 t,含水平均下降3.87%。图7表1参8。 相似文献
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A three-dimensional model was developed to investigate the influence of various hot filaments parameters on substrate temperature fields that significantly affect the nucleation and growth of diamond films over large area by hot-filament chemical vapordeposition (HFCVD). Numerical simulated results indicated that substrate temperature varies as a function of hot filamentsnumber, radius, temperature, emissivity, the distance between filaments, and the distance between substrate and filamentsarrangement plane. When these filaments parameters were maintained at the optimal values, the homogeneous substrate temperature region of 76 mm×76 mm with the temperature fluctuation no more than 5% could be obtained by a 80 mm×80 mmhot filaments arrangement plane. Furthermore, the homogeneous region could be enlarged to 100 mm×100 mm under thecondition of supplementary hot filaments with appropriate parameters. All of these calculations provided the basis for speciallyoptimizing the hot filaments parameters to dep 相似文献
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49.
Investigation into polishing process of CVD diamond films 总被引:1,自引:0,他引:1
A new technique used for polishing chemical vapor deposition (CVD) diamond films has been investigated, by which rough polishing of the CVD diamond films can be achieved efficiently. A CVD diamond film is coated with a thin layer of electrically conductive material in advance, and then electro-discharge machining (EDM) is used to machine the coated surface. As a result, peaks on the surface of the diamond film are removed rapidly. During machining, graphitization of diamond enables the EDM process to continue. The single pulse discharge shows that the material of the coated layer evidently affects removal behavior of the CVD diamond films. Compared with the machining of ordinary metal materials, the process of EDM CVD diamond films possesses a quite different characteristic. The removal mechanism of the CVD diamond films is discussed. 相似文献
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本文用计算机数字模拟方法研究了电活性分子多层Z型L-B膜修饰电极的循环伏安行为。计算了电极与修饰L-B膜分子第一层之间的电荷转移速度常数K_o,L-B膜分子层间的电荷转移速度常数k_i;对峰电位差△E_p及阳极峰面积Q的影响,以及在不同条件下各层分子的氧化态分数随扫描时间的变化。为研究和设计电活性分子修饰电极的实际体系提供了大量数据和信息。 相似文献