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在高冶强的生产状态下,高炉如何优化各项技术经济指标,降低其成本,从而提高产品竞争力,是现代高炉操作者积极探索的问题。梅钢2号高炉通过精料、优化操作、改进工艺措施等的实施,实现了高炉高冶强下的指标优化。 相似文献
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34.
研究了Windows操作系统下的一种木马检测技术,该木马结合了远程线程注入、动态链接库(DLL)等技术。针对目前最新的远程线程注入实现木马隐藏的关键技术,提出了一种进程被远程注入动态链接库的检测方法和相应动态链接库的卸载方法。实验表明,这种方法对已被远程线程注入DLL的进程检测和恢复效果明显。 相似文献
35.
在地浸采铀生产过程中,控制抽注液平衡和高效识别抽注液异常状态是保障浸出效能和井场的安全重要措施。以内蒙古某铀矿为例,介绍了该铀矿抽注液平衡联动控制与抽注液异常监测方面数字化技术的应用情况,探讨了应用数字化技术前后该铀矿山抽注液管控效能的变化。结果表明,应用数字化技术进行抽注液平衡控制能有效解决抽注液调控过程中人工控制所存在的劳动强度大、调控不及时和精度不足的问题;合理的模型设计能够高效识别抽注液异常状态。建立抽注液数字化管控体系有助于实现精益化管控、提升井场生产效能、降低安全风险。 相似文献
36.
Copper MOCVD (metalorganic chemical vapor deposition) using liquid injection for effective delivery of the (hfac)Cu(vtmos)
[1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentadionato(vinyltrimethoxysilane) copper(I)] precursor has been performed to clarify growth
behavior of copper films onto TiN, <100> Si, and Si3N4 substrates. Especially, we have studied the influences of process conditions and the substrate on growth rates, impurities,
microstructures, and electrical characteristics of copper films. As the reactor pressure was increased, the growth rate was
governed by a pick-up rate of (hfac)Cu(vtmos) in the vaporizer. The apparent activation energy for copper growth over the
surface-reaction controlled regime from 155°C to 225°C was in the range 12.7–32.5 kcal/mol depending upon the substrate type.
It revealed that H2 addition at 225°C substrate temperature brought about a maximum increase of about 25% in the growth rate compared to pure
Ar as the carrier gas. At moderate deposition temperatures, the degree of a <111> preferred orientation for the deposit was
higher on the sequence of <Cu/Si<Cu/TiN<Cu/Si3N4. The relative impurity content within the deposit was in the range 1.1 to 1.8 at.%. The electrical resistivity for the Cu
films on TiN illustrated three regions of the variation according to the substrate temperature, so the deposit at 165°C had
the optimum resistivity value. However, the coarsened microstructures of Cu on TiN prepared above 275°C gave rise to higher
electrical resistivities compared to those on Si and Si3N4 substrates. 相似文献
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39.
目的为应对地下储气库中的垫层气损失,采用经济气体CO2作为垫层气,目前,CO2作垫层气在实际应用中存在各种条件限制,且对其在关井阶段的应用研究较少,有必要对在关井阶段CO2作垫层气对天然气储气库的运行影响因素进行研究。 方法利用有限元模拟CO2作储气库垫层气时,研究关井阶段储气库动态参数(注气压力、注气速率和CO2垫层气比例)对混气带的影响规律。 结果注气压力对混气带的影响不大,将其控制在12 MPa左右最为合理,此时混气带占储气面积的比例为23.731 5%;混气带面积占比随注气速率的增大而减小,但是在注气口附近会出现混合区域,导致回采天然气时出现大量的混合气体,所以注气速率控制在0.7×108 m3/d时最为合理,这时混气带面积占比为18.324 6%;CO2作垫层气的比例对天然气-CO2之间的混合影响明显,当CO2垫层气比例为20%时,混气带面积占比为7.236 5%。 结论根据实验结果设计针对混气带的控制措施,当注气压力控制为12 MPa时,注气速率为0.7×108 m3/d,当CO2垫层气比例为20%时,能让储气库的运作更为经济,实验结果可为实际储气库的建设提供参考。 相似文献
40.
Objective: The aim of our study was to investigate the effect of Cinobufacini injection on the proliferation and cell cycle of human hepatoma HepG-2 cells. Methods: Cell proliferation was assessed by MTT assay, cell cycle distributionwas detected by the flow cytometry (FCM). The expression of Cyclin A, CDK2 mRNA levels were examined by RT-PCR.Quantitative colorimetric assay was used to analyze Cyclin NCDK2 activity in HepG-2 cells. Results: Cinobufacini injection significantly inhibited HepG-2 cells proliferation in dose- and time-dependent ways; FCM analysis showed Cinobufacini injection induced cell cycle arrest at S phase; RT-PCR assay showed Cinobufacini injection down-regulated Cyclin A, CDK2expression at mRNA levels; Quantitative colorimetric assay showed Cinobufacini injection deceased Cyclin A/CDK2 activity in HepG-2 cells. Conclusion: Cinobufacini injection can inhibit human hepatoma HepG-2 cells growth, induce cell apoptosis and induce cell cycle arrest at S phase, the mechanism of which might be partly related to the down-regulation of Cyclin A,CDK2 mRNA expression and inhibition of Cyclin A/CDK2 activity. 相似文献