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21.
通过分析围护结构不同部位发生结露的主要原因,有针对性地给出了防结露的解决方案,保证了游泳馆的正常使用。为双层薄膜围护结构系统的防结露设计提供了理论参考。  相似文献   
22.
仝伟国 《能源与节能》2021,(1):99-100,106
73903工作面回采期间,ZY5200/19.5/42型支撑掩护式液压支架立柱千斤顶出现漏液故障,造成支架工作阻力不足、支架棚顶托空、支架松动等现象,不仅降低了支架支护强度,还严重威胁着工作面回采安全.鉴于此,山西焦煤西山煤电集团公司杜儿坪煤矿通过技术研究,根据实际生产情况合理分析了千斤顶漏液故障原因,并提出了若干项防...  相似文献   
23.
电液伺服阀的内泄漏特性及故障在线分析实例   总被引:5,自引:0,他引:5  
介绍了电液伺服阀的工作原理及其内泄漏特性,在此基础上对一典型的汽轮机电液控制系统中伺服阀内泄漏故障实例进行了详细的分析,对于在线运行的机组,该分析处理方法具有一定的参考价值。  相似文献   
24.
25.
运用带压堵漏技术解决设备维修难题   总被引:1,自引:1,他引:0  
介绍了带压密封堵漏技术原理,通过实例,介绍了带压密封堵漏技术在生产中的应用情况及效果。实践证明合理使用带压密封堵漏技术,可成功解决和处理生产装置和设备、管道出现的多种泄漏。  相似文献   
26.
刘从林  郭光智 《山西建筑》2010,36(2):245-246
结合自身实践,对于工程施工过程中砖砌体工程、混凝土及钢筋混凝土工程、抹灰工程等四个方面进行了细致的分析研究,阐述了建筑工程施工过程中的常见通病及防治措施,以确保工程质量。  相似文献   
27.
从控制方面的角度出发提出了解决吸收塔入口烟温高异常、脱硫辅机保护可靠性方面一些做法。  相似文献   
28.
针对传统低压配电网漏电流监测方法中存在的监测误差较大且监测耗时较长等问题,提出基于扩展卡尔曼滤波的低压配电网漏电流监测方法.采用小波变换方法提取漏电流低频信息,将小波变换离散化处理,降低提取特征的冗余程度,完成低压配电网漏电流高频特征提取;采用一阶泰勒展开式扩展卡尔曼滤波技术,将其转变为线性空间方程,引入前馈控制概念,...  相似文献   
29.
Advanced metering infrastructure (AMI) provides 2‐way communications between the utility and the smart meters. Developing authenticated key exchange (AKE) and broadcast authentication (BA) protocols is essential to provide secure communications in AMI. The security of all existing cryptographic protocols is based on the assumption that secret information is stored in the nonvolatile memories. In the AMI, the attackers can obtain some or all of the stored secret information from memories by a great variety of inexpensive and fast side‐channel attacks. Thus, all existing AKE and BA protocols are no longer secure. In this paper, we investigate how to develop secure AKE and BA protocols in the presence of memory attacks. As a solution, we propose to embed a physical unclonable function (PUF) in each party, which generates the secret values as required without the need to store them. By combining PUFs and 2 well‐known and secure protocols, we propose PUF‐based AKE and BA protocols. We show that our proposed protocols are memory leakage resilient. In addition, we prove their security in the standard model. Performance analysis of both protocols shows their efficiency for AMI applications. The proposed protocols can be easily implemented.  相似文献   
30.
刘倜  欧文 《半导体学报》2005,26(7):1434-1436
嵌入式Flash Memory要求低的工作电压.采用反应离子刻蚀技术,用CF4气体在低功率下对硅片做预处理,再热生长薄氧化层,从而在氧化层中引入F,降低氧化层势垒:势垒高度从3.05eV降低到2.5eV,隧穿电流增加,从而可以在低压下提高Flash Memory的编程效率.  相似文献   
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