激光平面扫描3D测量系统快速标定技术

建立了激光平面扫描3D测量数学模型，提出了一种全新的3D测量系统参数的快速标定方法，设计了由2个完全垂直的平面组成的立体标定靶标，使用1个靶标可同时标定测量系统的摄像机参数和光平面方程参数。采用该方法对激光平面扫描测量系统进行了参数标定，用标定后的系统对标准平面进行了测量，空间测量精度优于0．1mm。     

泵浦用大功率半导体激光器研制与应用发展状况

详尽地介绍了当前可以使用半导体泵浦的固体激光器泵浦要求，相应的半导体泵浦源的发展状况，存在的问题，最后介绍了列阵和耦合两种提高半导体泵浦源功率，改善其光束质量的方法。     

克尔介质中双模光场与耦合二能级原子相互作用系统光场的压缩特性

研究了存在克尔介质时，双模压缩真空场与耦合二能级原子相互作用系统中光场的压缩性质，讨论了克尔介质与光场的耦合强度对光场压缩特性的影响。     

LD泵浦Cr4+,Nd3+:YAG自调Q腔内倍频激光器研究

Cr4 ，Nd3 ：YAG晶体的激光特性得到了系统研究．在LD泵浦下，Cr4 ，Nd3 ：YAG晶体获得了1.064μm的自调Q激光输出．激光平均输出功率达到3．36W，脉宽65ns，重复频率87kHz，光-光效率为15．3％．加入KTP晶体后实现了自调Q腔内倍频，获得了532nm的绿色脉冲激光输出，平均功率达到1W，脉宽210ns，重复频率47kHz，光-光效率为6％．对自调Q激光及其腔内倍频发现的现象进行了讨论．     

探测器本身的辐射对实时测温系统测温精度的影响及其抑制

在介绍一种采用钽酸锂热释电探测器实现的实时测温系统的基础上，着重讨论了探测器系统本身的辐射对该系统测温精度的影响．提出了抑制探测器系统本身的辐射对该系统测温精度影响的三条措施：一是对探测器进行水冷；二是采用一带宽为150nm的窄带干涉滤光片；三是进行电气补偿并进行了一些必要的分析与讨论．同时实验也表明，在采取上述抗干扰措施后，在要求的测温范围400℃～1200℃内，测温精度符合设计要求．     

低光照和抗晕CCD的设计和制作

针对帧转移可见光CCD低光照响应、抗电晕能力和动态范围，较详细讨论了CCD光响应灵敏度、动态范围和抗电晕的设计与计算。设计的具有抗晕功能CCD，采用2μm工艺制作，达到了设计技术指标要求，满足了工程应用需求。     

用于泵浦固体激光器的激光二极管线阵的输出特性

从实验上测量了激光二极管线阵的输出特性,研究了温度、电流对输出功率、光谱特性,以及偏振特性的影响,为设计全固态激光器提供有益的参考。     

高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器

报道了MOCVD生长的高性能850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器．研制出的氧化直径为9μm的激光器25℃时的斜效率和阈值电流分别为0．82mW／mA和2．59mA，激光器在23mA时输出16mW最大光功率．氧化直径为5μm的激光器25℃时的最小阈值电流为570μA，其最大饱和光功率为5．5mW．     

Metal-organic vapor-phase epitaxial growth of HgCdTe device heterostructures on three-inch-diameter substrates

A new metal-organic vapor-phase epitaxial (MOVPE) reactor-cell design has been developed to grow on 3-in.-diameter substrates. This was required to produce uniform, fully doped heterostructures needed for array producibility and wafer-scale processing compatibility. The reactor has demonstrated epitaxial growth of HgCdTe (MCT) with good morphology onto both GaAs and GaAs on Si wafers. The density of surface-growth defects, typical of MOVPE growth, has been reduced to <5 cm⁻² at a sufficient yield to make the production of low cluster-defect, two-dimensional (2-D) arrays possible. The new horizontal reactor cell uses substrate rotation to achieve improved uniformity and is able to incorporate substrates up to 4-in. diameter. Good compositional and thickness uniformity was achieved on epilayers grown on 3-in.-diameter, low-cost GaAs and GaAs on Si wafers. Sufficient uniformity has been achieved to produce 12 sites of full-TV format 2-D arrays per slice. To yield the benefits of heterostructure design, the MCT epilayers also needed to demonstrate efficient and uniform activation of both arsenic (acceptor) and iodine (donor) dopants. Secondary ion mass spectrometry (SIMS) and Hall assessment showed that the uniformity of As and I doping was ±10%. Fully doped heterostructures have been grown to investigate the device performance in the 3–5 μm and 8–12 μm infrared bands. The 2-D array performance has shown that at 180 K near-background-limited performance (BLIP) diodes have been produced in the 3–5 μm band.     

非对称两态叠加多模叠加态光场的等幂次N次方H压缩

根据量子力学的态叠加原理,构造了由强度不相等的两个多模复共轭相干态|{z_j~((a)*)}〉_q和|{z_j~((b)*)}〉_q,这两者的线性叠加所组成的非对称两态叠加多模叠加态光场|Ψ〉_q。利用多模压缩态理论,研究了态|Ψ〉_q的等幂次N次方H压缩特性,结果表明:当满足一定的相位条件时,无论腔模总数q与压缩次数N两者之积qN是奇数还是偶数,态|Ψ〉_q的两个正交相位分量总可分别呈现出等幂次N次方H压缩效应。