微电子封装技术的发展与展望

微电子技术的发展,推动着微电子封装技术的不断发展、封装形式的不断出新。介绍了微电子封装的基本功能与层次,微电子坟技术发展的三个阶段,并综述了微电子封装技术的历史、现状、发展及展望。     

无铅电子封装Sn-Cu焊料润湿性试验研究

为了改善无铅焊料的润湿性,配置活性剂松香焊剂和无机物焊剂,研究了Sn-0.75 Cu焊料的润湿性.分析讨论了影响Sn-0.75 Cu焊料润湿性的主要因素,获得了焊剂和Sn-0.75 Cu焊料的最优匹配.在镀锡铜片上,5#焊剂匹配Sn-0.75 Cu焊料能够获得最佳的润湿性(润湿角为18°),已接近Sn-37 Pb焊料的润湿性.     

热超声倒装键合过程中的非线性动力学行为

在作为微器件电气互连主要手段的热超声键合工艺中,微细键合区域内金属变形/变性/互连所需的能量,来自于超声波功率源通过换能系统所施加的微幅压剪动载.对热超声倒装键合过程的研究说明,PZT换能系统在热超声倒装键合工艺过程中的非线性动力学行为,如换能系统启动后的初值敏感性和不确定性,键合工具与换能杆之间的不稳定动力耦合,倒装芯片运动的奇异相轨线等,是深入研究键合机理以及提高工艺可靠性的重要关键.     

圆片级低温富锡金锡键合

Sn-rich Au–Sn solder bonding has been systematically investigated for low cost and low temperature wafer-level packaging of high-end MEMS devices.The AuSn2 phase with the highest Vickers-hardness among the four stable intermetallic compounds of the Au–Sn system makes a major contribution to the high bonding shear strength.The maximum shear strength of 64 MPa and a leak rate lower than 4.9×10-7 atm·cc/s have been obtained for Au46Sn54 solder bonded at 310 ℃.This wafer-level low cost bonding technique with high bonding strength can be applied to MEMS devices requiring low temperature packaging.     

半导体激光器组件封装中光纤的固定方法

激光器件组件封装中发光设备与光纤之间的耦合要达到微米级甚至亚微米级精度,光纤的固定技术成为光电子封装中的关键.综述了激光器件组件封装中光纤的各种固定方法,其中包括激光熔焊、环氧树脂粘接、钎焊、机械固定以及电铸等,并对各种方法的优缺点进行了评价.     

三级微电子封装技术

微电子封装一般可分为三级封装,即用封装外壳(金属、陶瓷、塑料等)封装成单芯片组件(SCM)和多芯片组件(MCM)的一级封装,常称芯片级封装;将一级封装和其它元器件一同组装到基板(PWB或其它基板)上的二级封装,又称板级封装;以及再将二级封装组装到母板上的三级封装,这一级也称为系统级封装.(而一、二级封装的关系更加密切,已达到技术上的融合).     

几种复合传输线特性阻抗的计算

本文就高速光电器件微波封装提出了有希望的几种复合传输线（微带＋共面线，屏蔽微带＋共面线，微带＋不对称共面线），采用边界元法计算了它们的特性阻抗，给出了几组有工程价值的计算曲线，并讨论了实验结果。     

红外焦平面组件封装中的皮秒激光划片工艺(上)

在对皮秒激光划片加工所涉及的基本原理和设备进行简单介绍的基础上,对红外焦平面组件封装中常涉及的一些材料的特点及其与皮秒激光束的作用机理进行了梳理。通过优化激光参数设置提高了划片效率并保证了划片质量;通过改进工夹具避免了金属层损伤且改善了操作方便性。     

MEMS封装技术研究进展

介绍了MEMS封装技术的特点、材料以及新技术,包括单片全集成MEMS封装、多芯片组件(MCM)封装、倒装芯片封装、准密封封装和模块式MEMS封装等。文中还介绍了MEMS产品封装实例。     

Flash memory architecture

Flash memories entered the nonvolatile memory scenario only a few years ago, and now these kind of memories are battling to substitute either EEPROM or EPROM. In fact, their peculiarities are becoming quite interesting in present day applications.In system updating, low power consumption, embedded algorithm for program and erase, high density, low cost packages are some of the items which are making the Flash grow in the nonvolatile memory market share.Some words must be spent in explaining what the market is asking of Flash, which are the main applications for these memories, and how their architecture is arranged.The Flash memory cell behaviour will be described, then the fundamental operations (read, program and erase) are explained and some words are used to introduce the redundancy and device testability concept.