化学修饰甘薯渣对碱性品红的吸附特性

以废弃甘薯渣为原料,经化学修饰处理得到了改性甘薯废渣生物吸附剂,并将用于对水溶液中印染物质碱性品红的吸附。针对改性甘薯渣加入量、粒径、碱性品红溶液初始浓度、溶液pH、吸附温度、吸附时间各因素对吸附率的影响进行实验,对影响显著的碱性品红初始浓度、改性甘薯渣加入量、吸附时间采用二次正交旋转组合设计优化,得碱性品红初始浓度200mg/L、改性甘薯渣加入量0.8 g、吸附时间140 min时模拟预测最大吸附率97.66%,同条件下实测97.38%,二者吻合。吸附平衡试验表明甘薯渣吸附剂对碱性品红吸附符合Langmuir和Frundlich模型,其最大吸附量为37.17mg/g。吸附动力学可用准二级动力学方程描述。BET及SEM表征分析可知改性甘薯渣优化后表面疏松多孔,且褶皱增多,有利于吸附过程进行。经FT-IR与EDS得知,羟基(-OH)、羧基(-COOH)在吸附过程中起到主要作用。     

200A峰值电流表的制作与应用

常用的交直流电流表只能测量直流电流和交流电流有效值。本文介绍了利用新型器件霍尔电流传感器制作的200A峰值电流表的工作原理、电性能和调试方法。按文中电路原理图制作的峰值电流表既可以单独测量使用，也可以作为测流组件安装在其他检测设备中配套使用。     

DFT相位估计算法及噪声敏感频率问题分析

该文利用参数估计方差最小为优化准则,计算出多频正弦信号分段WDFT(Windowed-DFT)相位加权平均相位估计算法的最优加权系数,并给出算法相位估计的方差公式。另外,该文对DFT噪声敏感频率区域问题进行了详细的理论分析。计算机仿真证明了算法的有效性和理论分析的正确性。     

水下爆炸对水下目标的毁伤试验研究

为研究水下爆炸对蛙人的毁伤效果,进行了GUHL-1的水下爆炸试验,得到不同爆距处冲击波峰值压力。通过计算获得GUHL-1炸药水中爆炸自由场冲击波压力峰值和爆距的关系。同时对几种反蛙人武器系统的毁伤效果进行了分析,为今后反蛙人武器系统的设计提供参考。     

基于数据流图划分的低峰值功耗扫描测试

扫描测试作为数字集成电路设计中最常用的可测性设计方法,能显著提高电路的可测性,但同时也会引起测试功耗问题.本文采用划分待测电路数据流图的方法降低测试峰值功耗.实验表明,在稍微降低故障覆盖率的条件下,本文提出的测试方法能显著降低测试的峰值功耗,同时也能降低平均功耗和能耗.     

光纤光栅的长度对其峰值反射率的影响

利用耦合模理论,数值分析了当光纤光栅(FBG)折射率变化为均匀分布、直流切趾高斯分布时,光纤光栅长度对其峰值反射率的影响。研究结果对光纤光栅外腔半导体激光器的设计和性能优化具有重要的意义。     

基于峰值电流控制的反激变换辅助电源设计

介绍一种利用UC3844集成芯片实现的多路输出单端反激式开关电源。采用基于峰值电流检测方法控制,并加入低电压保护功能。该电源适用于IGBT开关管等驱动电路供电,可作为高压大功率场合辅助电源使用。文章给出了电路原理及实测波形,此电路目前已成功应用在一台软开关全桥PWM变换器的辅助电源中。     

光纤受激布里渊散射的光信号特性分析

为了研究抽运光的脉冲宽度对布里渊散射光的影响,对光纤传感系统中基于受激布里渊散射的三波耦合方程进行了分析,采用频域分析和一种微扰近似理论推导了散射光的近似表达式,然后通过数值计算分析了散射光随着脉冲宽度的变化规律。结果表明,在宽度接近于20ns(声子寿命)的脉冲下,散射谱出现多波峰结构;当宽度越来越接近于40ns时,主波峰逐渐增大,次波峰逐渐减小;当采用的脉冲宽度远远大于声子寿命时,散射谱只出现一个波峰并且维持一个波峰不变。此研究为传感中选取合适的脉冲宽度提供了参考。     

一种基于吸收峰特征的高光谱曲线匹配方法

为了解决在应用传统高光谱地物识别方法时,由于吸收峰个数不同,造成的光谱匹配误差较大的问题,采用了一种基于高光谱吸收峰特征的选择方法,根据选择后的吸收峰特征进行光谱曲线匹配。该算法首先对高光谱曲线进行包络线消除并提取光谱特征参量矩阵,然后根据标准特征参量矩阵与待测特征参量矩阵的每个向量的余弦距离-欧氏距离来逐一寻找吸收峰的匹配向量,之后根据选择的吸收峰特征参量矩阵进行了理论分析和实验验证。结果表明,该算法可以搜寻到最佳的特征参量向量,从而实现吸收峰的选择,用选择后的吸收峰的特征参量矩阵进行高光谱匹配。这一结果对降低匹配的误差是有帮助的。     

NMOS器件ESD特性模拟

NMOS管I-V曲线在ESD(electrostatic discharges)脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。