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本文从应用出发,选择光学石英为衬底,采用热丝辅助射频化学气相沉积的方法沉积BPxN1—x薄膜,对样品进行了X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外—可见等测试。XRD、SEM结果显示薄膜多晶态,表面形貌随时间变化,最终为胞状;紫外—可见光光谱结果显示BPxN1—x薄膜的紫外吸收边随沉积时间的加长、PH3流量的增加而向长波长方向移动。因此,该材料的光学能隙可以通过生长工艺适当调整。另外,BPxN1—x薄膜与液晶层能较好匹配等特性更使其适用于紫外空间光调制器。 相似文献
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An efficient, convenient and quantitative method for characterising polyester end-groups is described. We have found that trichloroacetyl isocyanate (TAI) reacts rapidly and quantitatively with both carboxyl [C(O)OH] and hydroxyl (OH) chain ends to form derivatives that can be readily determined by 1H NMR spectroscopy. The TAI capped end-groups give rise to characteristic imidic NH resonances in a normally clear region of the 1H NMR spectrum [δ∼10-11.5 for C(O)-O-C(O)-NH-C(O)CCl3 from C(O)OH, δ∼8-9 for O-C(O)-NH-C(O)CCl3 from OH]. The method has been successfully applied to quantitative determination of the end-groups of a wide variety of oligomeric polyesters. It has also been applied to higher molecular weight polyesters including commercial, bottle grade, poly(ethylene terephthalate) (PET) and PET based copolyesters (e.g. PETG). 相似文献
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Chihiro J. Uchibori Y. Ohtani T. Oku Naoki Ono Masanori Murakami 《Journal of Electronic Materials》1997,26(4):410-414
Significant reduction of the contact resistance of In0.7Ga0.3As/Ni/W contacts (which were previously developed by sputtering in our laboratory) was achieved by depositing a W2N barrier layer between the Ni layer and W layer. The In0.7Ga0.3 As/Ni/W2N/W contact prepared by the radio-frequency sputtering technique showed the lowest contact resistance of 0.2 Ωmm after annealing
at 550°C for 10 s. This contact also provided a smooth surface, good reproducibility, and excellent thermal stability at 400°C.
The polycrystalline W2N layer was found to suppress the In diffusion to the contact surface, leading to improvement of the surface morphology and
an increase in the total area of the InxGa−As between metal and the GaAs substrate. These improvements are believed to reduce the contact resistance. 相似文献
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获得了一种研究碲镉汞深能级的方法。通过分析迁移率 载子浓度与温度的关系,可以得到关于深能级的重要依据。 相似文献