铜柱凸块生产关键工艺技术研究

讨论了铜柱凸块生产工艺中籽晶层厚度和电镀电流密度等关键制程因素对铜柱凸块共面性、晶圆应力、凸块剖面结构和电镀效率等方面的影响.研究结果表明增加电镀籽晶层厚度可以提高凸块共面性;在相同电镀电流密度下,籽晶层越厚,晶圆应力越大;相同的籽晶层厚度下,随着电镀电流密度增加,晶圆应力增加,但增加速率逐渐变慢;低电流密度下铜柱凸块顶部形成盘碟形状的剖面结构,而高电流密度容易使铜柱顶部形成圆拱剖面结构;采用阶梯电镀速率电镀方法与均一慢电镀速率电镀出的铜柱凸块共面性一致,而采用阶梯电镀法既能够提高电镀效率又可以得到较好的铜柱顶部盘碟形剖面结构.     

大豆种子萌发过程中子叶细胞超微结构和ATP酶活性动态研究

采用磷酸铅沉淀的电镜细胞化学方法，研究大豆种子萌发过程中，子叶细胞超微结构变化与ATP酶活性的消长。子叶细胞的ATP酶活性主要定位在质膜。在种子萌发的0-3天，子叶细胞贮存蛋白质和油脂大量急剧降解，并快速转运到胚，质膜ATP酶活性较高。萌发的6-9天，子叶细胞内含物大部分消解，蛋白体膜相互融合形成大液泡，原质体开始有稀疏的片层结构，ATP酶活性渐弱至无。萌发第12天，原质体的片层堆叠成基粒，子叶细胞转为同化器官，制造养分，质膜再度呈现较强的ATP酶活性。子叶细胞质膜ATP酶活性反应子叶细胞生理代谢状态。     

磁分离技术处理食品发酵工业废水

分析了高梯度磁分离的原理及特点,根据食品发酵工业废水的特性,提出向废水中投入“磁种”利用高梯度磁分离技术处理废水的新方法,大量的试验证明这一方法可以有效地处理食品发酵废水,废水经处理后其浊度、色度和ＣＯＤ都大大降低,并展示了其应用前景。     

低温保存对超干烟草种子活力的影响

将在低温条件下保存的超干烟草种子的活力与在原干燥器内和常温常湿（自然条件）下继续保存的种子进行比较,结果表明超干燥的烟草种子最适合在４℃下继续保存,其次是在－８℃低温下保存,再其次是在干燥器内继续保存,最不利于在常温常湿下继续保存。由此说明超干烟草种子可以安全地向低温冷藏库转移,而且其种子寿命长于继续进行超干燥保存的种子,而经过超干燥处理后的烟草种子不宜在自然条件下保存。     

Enhancement of Cu nucleation in Cu-MOCVD by Pd sputtering pretreatment

Cu electroplating which emerges as a viable Cu filling technique for damascene processing relies on the presence of a smooth and continuous Cu seed layer. Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) may be the most promising technique to deposit the Cu seed layer. Plasma pretreatment is widely used as a precleaning technique which is essential for the enhancement of Cu nucleation in Cu-MOCVD. New pretreatment techniques which can replace plasma pretreatments are proposed in this paper. Pd sputtering, Pd–HF dipping or Pd-CVD pretreatment will possibly enhance Cu nucleation significantly if it is conducted on barrier metal films prior to Cu-MOCVD. It was found that Pd sputtering is more effective in enhancing Cu nucleation than direct plasma H₂ precleaning. Pd sputtering pretreatment is effective for a variety of barrier metals including Ta, TiN, TaN and TaSiN. The mechanism through which Cu nucleation is enhanced may be as follows: a thin Pd buffer layer formed by sputtering shields the barrier metal substrate surface with adsorbed oxygen atoms making Cu nucleation difficult and provides preferred sites for Cu nucleation.     

激光诱导沙田柚无核化的研究

报道了１９８８年以来激光诱变导致沙田柚无核化的研究。果实种子数已由平均１４０粒左右变为完全无核。开花期套袋也已得到无核果实表明，柚树已可单性结实。过氧化物因同工酶和酯酶同工酶分析也证实，其遗传性状确已发生改变。     

一种快速有效的交互式医学序列图像分割方法

提出了一种结合Live-Wire算法、种子填充以及轮廓插值的序列医学图像分割算法。该方法首先将病灶组织形状变化较大的断层图像作为关键层,然后综合应用Live-Wire算法和种子填充对关键层中病灶区域进行分割,最后利用轮廓插值技术对中间的过渡图像进行自动分割。实验表明这种算法能快速有效地从序列医学图像中分割出感兴趣的物体。     

Structural and Morphological Investigation of Pendeo-Epitaxy 3C-SiC on Si Substrates

Successful pendeo-epitaxy growth of cubic silicon carbide (3C-SiC) on off-axis Si(001) substrates was achieved. The structural and morphological characteristics of pendeo-epitaxy 3C-SiC were strongly affected by underlying stripes and seed layer thickness. Stripes perpendicular to the Si substrate off-axis provide about three times faster lateral growth rate compared with parallel oriented stripes. Root-mean-square (RMS) measurements using atomic force microscope (AFM) indicate that the surface morphology of Pendeo-epitaxy 3C-SiC films remarkably improves with increasing seed layer thickness: from 9.8 nm for 3 μm thickness to 0.5 nm for 10 μm thickness. These effects on pendeo-epitaxy 3C-SiC are discussed with scanning electron microscopy (SEM) and AFM investigation.     

金属Ni诱导横向晶化的结构及工艺进程的优化

研究了用Ni进行金属诱导横向晶化(MILC)制备大尺寸多晶硅晶粒的结构改进和工艺条件优化,改进了MILC的结构,通过在埋层氧化层上开出与衬底相连的籽晶区,减少了大晶粒多晶硅中的缺陷分布;同时在前人的基础上优化了退火温度及时间,用Secco腐蚀液观察了晶粒大小和间界分布,最后得到了质量更好的大晶粒多晶硅,其大小在70～80μm左右.同时讨论了MILC后生成的NiSi2的去除方法,成功地去除了高温退火后生成的NiSi2,大大减小了Ni在多晶硅层中的分布,保证了将MILC方法成功应用于实现深亚微米器件的研究中.     

金属Ni诱导横向晶化的结构及工艺进程的优化

研究了用Ni进行金属诱导横向晶化(MILC)制备大尺寸多晶硅晶粒的结构改进和工艺条件优化,改进了MILC的结构,通过在埋层氧化层上开出与衬底相连的籽晶区,减少了大晶粒多晶硅中的缺陷分布;同时在前人的基础上优化了退火温度及时间,用Secco腐蚀液观察了晶粒大小和间界分布,最后得到了质量更好的大晶粒多晶硅,其大小在70～80μm左右.同时讨论了MILC后生成的NiSi2的去除方法,成功地去除了高温退火后生成的NiSi2,大大减小了Ni在多晶硅层中的分布,保证了将MILC方法成功应用于实现深亚微米器件的研究中.