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101.
王祥  陶明鼎 《武钢技术》2004,42(3):17-20
对AV80—14型轴流式鼓风机的静叶承缸受损的原因进行了分析,对受损的静叶承缸的修复过程进行了介绍。通过对事故承缸进行变形校正和裂纹修复,使受损静叶承缸起死回生,节约备件购置费用200万元以上。  相似文献   
102.
钻孔嵌岩灌注桩已成为高层建筑较常用的基础形式之一.在南昌地区某工程中,通过对钻孔灌注桩进行静载试验,分析研究了钻孔嵌岩灌注桩的承载特性和荷载传递机理,对此类桩的侧摩阻力与端阻力的问题进行了探讨。  相似文献   
103.
为了研究环口板加固对T型方钢管节点在支管承受轴向压力作用下的极限承载力的影响,本文运用前期工作中所采用的有限元模型建立方法,对320个环口板加固T型方钢管节点进行了参数分析。参数包括支管和主管的宽度比β,主管的宽度与厚度比2γ,环口板与主管厚度比τc和环口板与支管宽度比lc/d1。参数分析结果表明:通过对环口板的宽度和厚度进行适当的组合,可以显著提高节点的承载力。然后将有限元模拟得到的极限承载力结果与前期工作中推导出的极限承载力公式的计算结果进行对比,给出了极限承载力计算公式的适用范围。  相似文献   
104.
静稳定性与飞行器设计及飞行品质有密切关系。用建模的思想,把复杂的实际系统合理简化,在理论上论证了悬挂稳定的可行性,研究了稳定效果与影响因素之间的关系,并提出了设计改进方案,作为进一步实验论证的理论依据。  相似文献   
105.
利用微束和宽束辐照装置分别对两款65 nm双阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转(multiple-cell upset, MCU)类型、位置、事件数与器件结构布局相结合对单粒子翻转(single-event upset, SEU)的截面、MCU机理进行深入分析。结果表明,微束束斑小且均匀性好,不存在离子入射外围电路的情况;NMOS晶体管引发的MCU与总SEU事件比值高达32%,NMOS晶体管间的电荷共享不可忽略;实验未测得PMOS晶体管引发的MCU,高密度阱接触能有效抑制PMOS晶体管间的电荷共享;减小晶体管漏极与N阱/P阱界面的间距能降低SRAM器件SEU发生概率;减小存储单元内同类晶体管漏极间距、增大存储单元间同类晶体管漏极间距,可减弱电荷共享,从而减小SRAM器件MCU发生概率。  相似文献   
106.
加速器驱动次临界反应堆(ADS)中子时空动力学计算需要考虑外中子源和空间分布的影响,比临界系统中子动力学计算要复杂得多。本文将改进准静态(IQS)近似与蒙特卡罗(MC)方法相结合,对于带外源的ADS次临界系统中子时空动力学过程,形状函数、动力学参数由MCNPX程序计算得到,幅度函数与集总参数热工反馈模型进行耦合计算,并开发了IQS/MC计算程序可视化操作界面。针对CIADS靶堆耦合系统参考方案物理模型,对引入束流瞬变及无保护失流工况过程进行瞬态模拟计算分析,给出了堆芯相对功率、燃料温度及冷却剂出口温度随时间的变化曲线。同时,将中子注量率进行分群计算,得到了堆芯分能群的相对中子注量率网格分布随时间的变化,模拟结果与理论分析一致。  相似文献   
107.
高密度硬盘介质静态磁性参数的精确测量对研制高密度硬盘至关重要.本文从测量系统和材料两方面对玻璃基噪声的影响机理做了较详尽的分析;并介绍了消除玻璃基噪声影响的四种方法,这四种方法在测量同一硬盘介质静态磁性参数时相对偏差小于5%,因此这四种方法都是切实可行的.  相似文献   
108.
基于离散小波变换(DWT)的自适应消噪方法为雷达信号的滤波提供了一种可行的方法.但DWT不具有平移不变性,若不用相同的小波对滤波后的信号进行重构,则会带来较大的重构误差.针对这一现象,提出了一种基于提升静态小波包变换的自适应消噪方法,它推导了静态小波包的提升实现方法,并设计出适合该系统的确定最优小波包分解树的相应步骤,利用引入更多动量因子的权系数迭代公式对各子带进行自适应匹配,并将匹配结果二次自适应,得到拟合的原信号.仿真结果表明,该方法可在计算量增加不大的前提下,进一步改善系统的滤波性能.  相似文献   
109.
介绍了安阳钢铁股份公司2号14000制氧机7400kW同步电机振动处理过程,处理方法的原理及处理后的效果。  相似文献   
110.
基于静态分析技术的源代码安全检测模型*   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了当前主流的静态代码分析技术,在分析讨论其优缺点的基础上提出了一种新的静态代码检测模型。该模型结合了当前成熟的静态分析技术,并借鉴了编译器中数据流和控制流分析的思想,获取上下文关联的数据信息,从而更加准确地分析代码中存在的安全问题。  相似文献   
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