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对安装于深圳赛意法微电子有限公司的TCN640制氮机进行了简介。该设备由Air Liquide Japan Ltd.(日本液空公司)总体设计、制造,国内技术人员消化改进工艺,具有设备配置先进,安装简单,安全高效,能耗低等优点,其产品氮气的纯度已超过了高纯氮的技术指标。 相似文献
62.
利用FTA方法对脱液机的各种故障进行系统分析,建立了脱液机的故障树,并对故障树进行定性分析.找出了影响脱液机可靠性的主要因素,提出了提高脱液机可靠性的相应措施. 相似文献
63.
蒸发式空冷器的运行实践 总被引:1,自引:0,他引:1
通过了解蒸发式空冷器的工作原理和结构,在运行实践过程中,对组成设备出现的问题提出相应的解决方案,并对部分组成设备提出改进的建议,以方便检修和维护,并提出了在冬季长时间高炉休风情况下保证水温不下降过低的解决方案。 相似文献
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66.
浓缩大豆磷脂制取工艺及设备的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
对水化油脚采用新工艺和新设备制取浓缩大豆磷脂,并对制取浓缩大豆磷脂的影响因素进行分析和优化,得到了制取浓缩大豆磷脂新工艺和最佳工艺参数。 相似文献
67.
Nucleation kinetics during the growth of InxGa1−xN on a GaN substrate have been studied. The behavior of nonequilibrium between the InxGa1−xN and the GaN substrate has been analyzed, and hence, the expression derived for the stress-induced supercooling/superheating
has been numerically evaluated. The maximum amount of stress-induced supercooling is found to be 1.017 K at x=0.12. These
values are incorporated in the classical heterogeneous nucleation theory. Using the regular solution model, the interfacial
tension between the nucleus and substrate and, hence, the interfacial tension between nucleus and mother phase and thermodynamical
potential of the compounds have been calculated. The amount of driving force available for the nucleation has been determined
for different compositions and degrees of supercooling. It has been shown that the value of the interaction parameter of InN-GaN
plays a dominant role in nucleation and growth kinetics of InxGa1−xN on a GaN substrate. These values have been used to evaluate the nucleation parameters. It is shown that the nucleation barrier
for the formation of a InxGa1−xN nucleus on a GaN substrate is minimum in the range of x=0.12 to x=0.17, and it has been qualitatively proved that good quality
InxGa1−xN on GaN can be grown only in the range 0<x≤0.2. 相似文献
68.
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