LED检测方法探讨

主要讨论了发光二极管(LED)的一些检测参量,包括LED发光强度、总光通量和发光光谱等;同时,对检测的环境条件也进行了分析研究。     

漏及衬底偏压对深亚微米工艺器件总剂量效应的影响

本文对采用0.18?m工艺制造的NMOS器件辐射总剂量效应进行了研究。对晶体管进行了不同剂量的₆₀Co辐射实验,同时测试了辐照前后晶体管电学参数随漏、衬底偏压的变化的规律。采用STI寄生晶体管模型来解释晶体管的关态漏电流及阈值电压漂移性质。3D器件仿真验证了模型的准确性。     

应用近红外技术直接检测烟丝常规化学成分的研究

为了探讨近红外光谱分析技术直接检测烟丝常规化学成分的可行性,利用采集到的烟丝近红外光谱,采用偏最小二乘法(PLS)对测定烟丝样品的总糖、还原糖、烟碱、总氮、钾、氯含量数据与其相应的光谱数据进行拟合,建立了直接用于预测烟丝总糖、还原糖、烟碱、总氮、钾和氯含量的NIRS分析模型,平均相对偏差分别为2.2%,2.37%,1.82%,2.22%,3.68%和3.30%,变异系数均小于3.5%。该模型预测准确性和重现性较高,简便、快速,适用于批量烟丝检测,尤其是无需研磨烟粉,进一步减少了粉尘的污染,可以直接用于卷烟产品叶组配方质量监控。     

平衡材料对双极器件电离总剂量效应的影响

本文选择贴片式NPN双极器件作为研究对象,采用在器件辐照试验时设置平衡材料的方法,通过对器件辐照敏感电参数的测量,研究平衡材料对双极器件电离总剂量效应的影响程度.结果表明：在器件辐照试验时设置平衡材料,器件的敏感电参数电流增益较未设置平衡材料退化更明显,仅设置前平衡材料比仅设置后平衡材料影响更大.在器件前后均设置平衡材料、仅设置前平衡材料和仅设置后平衡材料三种不同条件下,器件电流增益退化差异在50krad（Si）剂量点时分别为22.55%、13.38%和12.58,当辐照总剂量达到300krad（Si）时降低至11.65%、7.31%和4.14%.因此在评估器件的抗辐照性能过程中,很有必要在器件进行辐照试验时根据器件的结构尺寸,设置一定厚度的平衡材料,使器件敏感区满足次级电子平衡条件,从而保证器件敏感区实际吸收剂量达到标称辐照剂量.     

基于分裂Bregman方法的全变差图像去模糊

针对全变差图像去模糊问题,提出一种基于分裂Bregman方法的全变差图像去模糊算法,利用分裂Bregman方法来优化其求解问题模型.首先,利用辅助变量及其二次惩罚泛函把全变差去模糊优化问题转化为一个等价的无约束优化问题;其次,基于Bregman迭代将其分解为两个子优化问题采用交替最小化方法进行求解;最后,根据子问题结构特点,采用离散傅立叶变换及收缩技术实现子优化问题的快速计算.实验结果表明,在不同尺寸模糊核条件下本文算法能获得有效、稳定的图像复原结果,相比FTVd、IRN去模糊方法,本文算法复原效果更好,计算更加快速.     

用于全内腔微片激光器稳频的温度控制系统

温度控制是实现全内腔半导体泵浦Nd:YAG微片激光器稳频的行之有效的手段之一。研究了如何为Nd:YAG微片激光器的稳频提供有效的温控方式。估算出所需要的控温精度波动范围在0.09 ℃以内。依据这一设计目标,介绍了各重要环节的设计过程。通过频域分析法,对温控系统的特性进行分析与调整。通过理论计算将系统改造成了二阶系统最优模型并用实验验证了理论分析。研制了一套用于全内腔半导体泵浦Nd:YAG微片激光器的温控系统,并在两种条件下对系统进行了测试。在室温26 ℃左右的条件下,可以给微片提供18~38 ℃之间的任意温度环境,温度波动范围在0.05 ℃以内;当环境温度在18 ~27 ℃之间任意改变时,系统能将晶片温度稳定在24 ℃,温度波动范围在0.05 ℃以内。     

自适应二阶总广义变分图像恢复方法

针对经典的总变分(TV)去噪模型容易导致阶梯效应 的缺陷,提出了一种自适应的二阶总广义变分(TGV)图像恢 复模型。通过在二阶TGV正则项中引入边缘指示函数,并利用边缘指示函数在平滑区域,增强 扩散,去除噪声,在边缘处降低扩散,保护边缘等特征恢复图像,在新模型中,自适应二阶 总广义变分是正则项,它能自动的平衡一阶和二阶导数项。因此这些特征使得新 模型在去噪的同时不但能够自适应地保持图像的边缘信息,而且还能去除阶梯效应。为了有 效的计算该模型,本文采用原始一对偶算法仿真新模型,实验结果表明,与经 典的TV模型相比,改进的方法无论是在视觉效果还是信噪比(SNR)上都有 明显地提高。     

基于不同等效面的漏波天线辐射特性研究

基于等效原理计算了一款分别使用线电流源与线磁流源激励的一维无限长漏波天线的总场辐射方向图和漏波辐射方向图.应用等效原理,两种辐射方向图均分别使用了等效面电流和等效面磁流两种不同的等效方法推导.使用谱域法推导出天线总场与漏波辐射场方向图的解析解并使用互易性原理推导出总场的辐射方向图以作对比.对比结果显示不同等效面得出的漏波场辐射方向图不同.     

CMOS图像传感器辐照损伤效应仿真模拟研究进展

CMOS图像传感器(CIS)工作在空间辐射或核辐射环境中遭受的辐照损伤问题备受关注。对CIS辐照损伤效应进行仿真模拟研究有助于深入揭示辐照损伤机理,进而开展抗辐射加固设计,有效提升CIS抗辐照能力。文章通过梳理国内外开展CIS辐照损伤效应仿真模拟研究方面的进展情况,结合课题组已开展的电子元器件辐照效应仿真模拟和实验研究基础,从CIS器件建模、时序驱动电路建模、辐照损伤效应建模、仿真模拟结果校验等方面探讨了CIS辐照损伤效应的仿真模拟方法,分析总结了当前CIS辐照效应仿真模拟研究中亟待解决的关键技术问题。     

用于增强可视性的高动态范围红外图像融合

针对高动态范围(14 bit)红外图像融合后并不能直接用于显示的问题,设计了一种用于增强红外图像可视性的融合框架.利用数字全变分滤波器对图像分层处理,然后对每一层进行动态范围压缩,自适应的合成低动态范围图像(8 bit),再通过传统融合算法进行融合,得到可视性增强的低动态范围融合图像.实验结果表明,相较于目前已有的方法,该框架融合得到的信息量大,在增强对比度的同时能有效抑制噪声,明显改善融合图像的视觉效果.