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71.
介绍了超高真空化学气相沉积(UHVCVD)锗硅外延设备的加热室设计方法,完善了相关的炉体设计,相关温度指标达到设计标准。 相似文献
72.
考虑了原子的偶极相互作用,通过计算Tavis-Cummings模型下压缩真空态的保真度,阐明了在双模压缩真空态与环境(原子)通过双光子发生相互作用过程中量子信息的保真程度随时间的演化关。通过计算机模拟出两原子处于各种初态下时原子、光场和系统的保真度随时间的演化图象,分析出三者在压缩指数r、偶极相互作用常数ga和相位(?)等改变时的变化情况,结果表明r和k值的改变对于提高保真度具有重要意义。当两原子处于基态时减小r和当两原子处于一Bell基时增大都可以显著的提高体系的保真度。 相似文献
73.
当前镓提纯方法大部分采用电解法,电解法生产出的镓晶体纯度不高,常常形成个别杂质元素超标。为了提高其晶体纯度,需采用晶体提拉法来进一步弥补并提升镓晶体提纯工艺方法。从分析镓单晶炉生长的工艺特点出发,简要介绍镓单晶生长设备的设计思想以及新近开发设计的新型镓单晶炉的机械结构及电气控制系统。 相似文献
74.
基于实际应用,介绍了半导体设备真空结构和真空室常用部件,讲述了He质谱检漏仪的使用方法.总结了真空检漏的经验,阐述了微漏难检的现状.分析了磁控溅射台和ICP真空故障,采用静压检漏法和He质谱检漏仪检漏法,给出了零部件微漏导致这些设备抽不上高真空的结论.指出今后的发展方向是真空部件小型化,以及根据设备特点来提高真空部件的可靠性.结果表明,先排除干扰因素,再细心检漏,可大大提高检漏效率,使设备尽快恢复正常. 相似文献
75.
76.
分析了外界惯性冲击对低真空封装的旁路电容式RF MEMS开关性能的影响.得到了近似计算外界惯性冲击引起位移的解析式.在已知最大容许插入损耗和外部惯性冲击环境条件下,MEMS开关支撑梁的最小机械刚度常数以及外部惯性冲击引起的插入损耗可以根据该式得到.通过RF MEMS电容式开关实例,表明设计低真空封装的RF MEMS电容式开关时应考虑外部环境因素.可见,RF MEMS开关用低真空封装可以减小空气阻尼、改善开关速度和执行电压的同时,开关的性能却容易受外界环境因素的影响.该研究对低真空封装的RF MEMS电容式开关的优化设计很有意义. 相似文献
77.
采用热纠缠态表象和有序算符内的积分技术,通过求解密度矩阵主方程,导出了真空态和单光子叠加态在激光过程中的Wigner函数和光子数分布的解析表达式。采用数值计算方法,给出了腔场的增益和衰减常数等参数取确定值时真空态和单光子叠加态的Wigner函数、负部体积和光子数分布的演化曲线。通过比较Wigner函数负值区域的变化,讨论了耗散过程对该量子态量子特性的影响。研究结果表明:随耗散过程进行,态的Wigner函数负值范围和负值深度都在逐渐减小,直至负值消失。 相似文献
78.
随着高功率密度数据中心的发展,空调系统的持续制冷能力已成为决定高功率密度数据中心能否安全、稳定运行的重要因素之一。本文通过实验对高功率密度数据机房无连续制冷的风险进行了分析,并结合实验结果对高功率密度数据中心的建设提出了一些建议。 相似文献
79.
80.
介绍了数据中心空调系统中集中冷源式空调系统的节能设计要点,包括冷水机组、水泵、冷却塔、蓄冷装置、水系统管路的分类及选型。并根据不同气候条件提出了不同的制冷系统架构的建议。 相似文献