MOCVD工艺中使用的特种气体

一、引言 金属有机化学气相淀积法(简称MOCVD法)是1968年由H.M.Manasevit等首先提出的。该法以挥发性金属有机物和气态的非金属氢化物作为源材料，采用与硅外延淀积相类似的生长装置，进行化合物半导体的外延淀积。     

集成微管路化学传感器检测系统的研究

一、研究的目的、意义和指导思想七十年代初丹麦化学家J.菇奇卡和E.H.汉森创建了流动注射分析技术(简称FIA)。它和传统的湿法化学分析相比其特点在于检测的瞬间,即达不到物理平衡,也达不到化学平衡。这种对静态湿法分析理论上的突破,为测量赢得了时间。同时流动注射分析原理和检测器性质的相容性为 FIA 技术和各种检测技术、操作技术联合运用提供了可能性。因此,FIA 技术的出现可以看成是分析手段的一种变革。     

等离子蚀刻气的命名规则

如果碳氢化合物的氢原子部分或全部被卤素(氟、氯、溴、碘)取代，就称之为卤代烃。现在，这类碳氢化合物在半导体元件等离子蚀刻工艺中得到了广泛的应用。但是，在等离子工艺产生之前，化学工业已给这类化合物规定了标识号码，如氟里昂-14中的“14”。这类标识号码是其化学名称的简写符号，但在微电子学领域里，了解这一点的人寥寥无几。     

依奇克里克油气田煤成油气的地球化学：特征和库车坳陷含油气远景

本文通过对依奇克里克油气田的油气地球化学特征和油气源对比的研究与分析,说明该油气田的油气确系来自上三叠统一中、下侏罗统的煤系,属煤成油气;介绍了该煤系地层形成油气的潜力,指出库车坳陷煤成油气的勘探远景。