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81.
化学束外延     
本文介绍了化学束外延(CBE)的发明和发展,论述了CBE的原理和设备。文中还介绍了最近提出的一种生长机理。  相似文献   
82.
83.
84.
从材料,器件结构,特性及其应用等方面介绍了蓝色发光二极管的发展过程,并展望了InGaN超高亮度蓝色二极管的应用前景。同时指出了目前急待解决的问题及 发展方向。  相似文献   
85.
86.
刘必荣 《量子电子学》1996,13(4):336-340
通过阳极氧化电压谱图(AVS),I-V特性和Fiske台阶电压测量,我们研究了Nb超导量子结构中AlOx-Al厚度对其特性的影响。发现AVS中AlOx-Al与Nb电极之间的界面陡度和I-V特性取决于AlOx-Al厚度,Nb|AlOx-Al|Nb结的最小最佳沉积Al层厚度为7nm。  相似文献   
87.
Jalal.  B  王中天 《半导体情报》1995,32(2):13-18
本文综述了InGaAsHBT技术在高速电子电路中的应用,讨论了对集成电路有重要意义的Al0.48In0.52As/In0.53Ga0.47As和InP/In0.53Ca0.47As两类异质结系统的性质。最后,给出了光通信中应用高速和低电源电压集成电路的实例。  相似文献   
88.
一、概述在半导体光电化学研究中,不同波长的光有不同的光强,因而通常所测某一波长下的光电流,除了与被测电极体系的性质有关外,还包含着两种其它因素的影响,即波长和光强。为了研究单色光波长对光电流的影响,必须扣除光强因素以获得归一化的光电流,因此需要确定所用光源的光强—波长校正曲线。在求算表观量子效率时也需要相应波长下的光强数据。  相似文献   
89.
本文用spp(surface-plasmon-polariton)的色散关系的量子力学表示式,讨论了薄膜MIM隧道结的起始发光电压(阈值电压);描述了几种系统MIM结的I-V特性曲线、发射光谱特性曲线,负阻效应及稀土元素的作用.  相似文献   
90.
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