硅基阻挡杂质带太赫兹探测器及其成像研究

太赫兹探测及成像技术是推动太赫兹科学技术发展的基础和关键.为了实现高灵敏太赫兹探测及成像,设计了一种台面型硅基阻挡杂质带太赫兹探测器,详细介绍了其结构及探测机理,描述了其制备工艺流程,并搭建了黑体响应测试系统.结果表明,4.2K温度条件下,3.8V工作偏压时,探测器峰值响应率可达55A/W,响应频段覆盖6.7～60THz.此外,搭建了一套两维扫描成像系统,实现了高分辨率被动成像.实验结果表明,成像系统空间分辨率可达400μm、温度分辨率约为7.5mK.     

产品的响应与消除次冲击的必要性

阐述了在跌落冲击试验时主冲击与次冲击的特点 ;计算了产品模型对一个单次冲击循环的响应 ,分析了产品损坏的原因。当产品进行精密冲击试验时 ,消除次冲击是很有必要的。     

磁通门传感器在低空亚音速飞行器上应用的响应频率分析

对比分析常用磁传感器的性能指标, 得出磁通门传感器作为地磁导航磁测传感器的相对优势性。针对磁通门传感器在低空亚音速飞行器上应用的可行性, 从分析磁通门传感器的基本原理入手, 通过对某地实测磁异常场数据的频谱分析, 利用奈奎斯特抽样定理从响应频率方面对其在低空亚音速飞行器上应用的可行性进行验证, 并提出在低空亚音速飞行器上应用的响应频率指标, 即磁通门传感器的响应频率达到40.8~68.0 Hz, 就能够满足其作为低空亚音速飞行器磁场数据采集前端的响应频率需求。     

部分响应连续相位调制信号的循环平稳特性分析

根据部分响应连续相位调制信号在不同调制指数下的基带循环谱,由数字调制信号的基带循环谱与带通循环谱的关系式,推导了其相应带通信号循环谱的表达式并进行了详细的分析,得出了不同调制指数下循环频率与载频、峰值频偏以及码元宽度之间的关系式。仿真实验证明其这些结论是正确的。     

p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器

报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm.零偏下器件在280nm时的峰值响应为0.022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应增加到0.19A/W,接近理论值.在正向偏压下器件则呈平带状态,并在283和355nm处分别出现了两个小峰.在考虑极化的情况下,通过器件中载流子浓度分布的变化解释了器件在不同偏压下的响应特性,发现p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收.     

响应面法优化节水型陶瓷坐便器功能参数

为降低陶瓷坐便器用水量,保障产品功能,采用Design-Expert 8.0软件的Box-Behnken设计试验,探讨用水量、喷射孔径、布水孔孔径对产品冲洗功能的最优参数。结果表明：用水量及喷射孔径对球排放功能、颗粒排放功能影响极为显著;用水量及布水孔孔径对洗净功能影响极为显著。经响应面分析优化得到该款坐便器的最佳参数条件为用水量4.5L、布水孔孔径7mm、喷射孔径30mm。为节水型坐便器的研究提供参考。     

X射线二极管平响应滤片的制作

针对X射线二极管平响应滤片的设计要求,采用电子束蒸发生长薄金层、紫外光曝光光刻、微电镀厚金层、体硅腐蚀制作镂空结构和等离子体刻蚀去掉PI等技术,成功制备了阵列结构的圆孔直径为5μm,周期为10.854μm,金层厚度分别为50,400nm的薄、厚两种金层滤片。电镀过程中采用台阶仪多次测量图形四周电镀厚度后取均值的方法得到尽可能准确的电镀厚金层。滤片交付实验后,在X光能量0.1～4keV取得的平响应曲线标准偏差与均值之比在13%以内,可以满足相关单位的具体物理研究实验要求。     

闸阀谐响应分析

介绍了闸阀模态分析的过程及其固有的振动特性,给出了船舶系统的振动位移频率响应和加速度频率响应作用下闸阀的频率-变形曲线图.对闸阀阀体在纵向、垂向和横向3个方向上振动作用下产生的应力进行了评定.     

分子束外延PbTe薄膜中的红外光电导探测器

中红外探测器在诸多领域具有重要的应用,目前,我国在PbTe、PbSe中红外探测器方面研制较少,通过分子束外延技术、以CdZnTe(lll)为衬底生长PbTe外延薄膜,XRD表征表明:PbTe外延薄膜是单晶薄膜,且与衬底具有相同(lll)取向,光吸收光谱测量得到外延薄膜的光学吸收边位于3.875 μm,光致发光谱显示发光波长位于3.66 μm,蓝移是红外激光泵浦导致PbTe温升所致.以PbTe为有源区材料、ZnS薄膜作为钝化和绝缘材料,用AuPtTi合金作为欧姆接触电极,研制了PbTe光电导中红外探测器原型器件,探测器在78 K温度下的光电导响应在红外波段的1.5～5.5μm,探测率约为2×10~9 cm·Hz~(1/2)·W~(-1).最后,对影响探测器工作的因素和改进方法进行了讨论.     

蓝宝石衬底上水平生长ZnO纳米线及紫外敏感性能研究

在无催化剂条件下,采用化学气相沉积(CVD)方法在蓝宝石(110)衬底上制备了ZnO纳米线.X射线衍射(XRD)图谱上只有ZnO的(100)衍射峰和(110)衍射峰.扫描电子显微镜分析表明,ZnO纳米线在蓝宝石衬底上水平生长.在样品上蒸镀了金叉指电极,以256nm的紫外光作为光源,测试了样品的紫外光敏感性能,研究表明水平生长的ZnO纳米线对紫外光具有较快的响应,在5V偏压下,光电流与暗电流比为30;当波长为354nm时光响应度达到最大值为0.56A/W.