基于Matlab的雷达试验数据分析处理系统

针对雷达外场试验中的需求,提出了基于Matlab软件平台的数据分析处理系统。该系统能很好地完成雷达录取数据的精度分析、威力分析和各种显示图形的绘制,并且在实际中得到了应用。     

使用Monte Carlo方法对光子-物质的相互作用进行模拟

在医学影像获得方法中，核医学与传统的放射线探测，扫描仪探测，核磁共振相比，是唯一能获得器官功能性信息的方法，但它获得的图像质量不如其他方法。开发了一种图像探测仪并使用Monte Carlo方法对其各组成部分进行模拟从而可以通过调整参数来获得高分辨的图像。     

PXI高速数据采集卡

PXI高速数据采集卡PXI一9820的分辨率为14位，频宽为30MHz，配备两组可同步采集的模拟输入端，两组同时使用时的采样频率为65MSPS，采集一组模拟输入时的采样频率可达130MSPS，输入可由软件选择为-1～1V或-5～5V，输入阻抗可选择为50Ω或1．5MΩ，最高可支持512MB的标准SDRAM，提供数秒的储存空间。具有软件触发、模拟触发与     

3号高炉顶加热压铁块工业试验

为缓解炼钢、热轧生产能力大于炼铁生产的矛盾，在高炉生产中采用顶加热压铁块生产组织可行，操作技术可以保证高炉顺行、高产，公司总体经济效益提高。     

应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.     

岩石物理性质研究技术

主要介绍了2003年EAGE岩石物性测试分析技术取得的新进展。从本届年会看，岩石物理内容主要涉及岩石物理模型建立、时延地震岩石物理与岩石各向异性分析、喷射频率和流体饱和度及其分布预测、岩石物理模拟等新方法、新技术、新成果。在充分考虑岩石物理受当地地质因素影响后，提出岩石物理模版概念，目的是为地质专家方便对岩性和流体的解释提供一种工具。     

聚合物熔体的非等温平板收缩流动的数值模拟

用有限元法模拟了Carreau流体在4：1平板收缩口模中的非等温挤出流动，采用3节点的三角形单元对速度、压力和温度进行等阶插值，运用特殊的罚函数处理流体的不可压缩条件，解决了压力场的数值振荡问题，并用改进的Newton迭代法对非线性方程进行求解，成功地计算了Carreau流体在平板收缩流动中的速度、压力、粘度以及应力的分布，同时得到温度场的分布，计算的应力分布与实验的结果及Renardy的分析结构相符。     

实时GPS定位中的自适应故障检测

给出了一种GPS卡尔曼滤波的自适应方案,该方案能根据GPS导航中变化的动态来估计协方差.当增强卡尔曼滤波器时,方案可得到更精确的定位修正.此外,也可将此估计方法用于完整监测,以增强故障检测的阈值选择.采用模拟数据验证了提出方法的正确性.     

GaN-MOCVD设备反应室流场的CFD数值仿真

采用计算流体力学方法对生长半导体材料GaN的重要设备MOCVD(金属有机物化学气相沉积)反应室中的流场结构进行了三维数值仿真.数值模拟采用基于非交错网格系统的SIMPLE算法,用有限体积方法对控制方程进行离散,并采用改进的压力-速度耦合方法进行求解.数值仿真给出了具有复杂几何结构和运动方式的GaN-MOCVD反应室中的流场结构,研究了改变几何尺寸和运行参数对MOCVD反应室流场结构的影响,对正在试制开发中的MOCVD设备的几何结构的改进和运行参数的优化提出了指导性建议.