采用氮保护气氛生长的功率晶体管用硅单晶的研究

本文论述在纯氮气氛中生长硅单晶技术,根据器件工艺要求,与器件厂相互配合,取得了功率晶体管成品率的大幅度提高,肯定了氮保护气氛下生长的硅单晶的优越质量。     

水力扰动及底泥悬浮对藻类生长影响的试验

近年来,水体富营养化程度日趋严重,河流、湖泊、水库等淡水藻类频繁暴发,严重影响供水安全。为探究水力扰动及底泥悬浮作用对水体中藻类生长的影响,以JZ水库原位藻样为研究对象,研究了其在不同扰动速率及底泥悬浮作用下的生长效果。结果表明,1 00 r/min的水力扰动能够有效促进水体中蓝藻生长,超过临界扰动速率后,200～400 r/min时藻类生长又会随着扰动速率增大而受到明显的抑制作用。在水力扰动造成底泥悬浮的情况下,水体中叶绿素a能够显著降低,4 h后去除率高达约82.4%,对藻类生长具有显著的抑制作用,有效控制蓝藻的繁殖和暴发。     

入河排污口排污状况综合评价方法

常规的入河排污口排污状况评价方法多数采用水质标识指数法原理设计而成,能够定量地指出水环境功能要求,评价排污状况,但是其评价流程较为复杂,无法对新密段水质做出精确评价,水质评价结果准确率较低。基于此,在传统排污状况评价方法的基础上,引入内梅罗指数法,提出了一种全新的入河排污口排污状况综合评价方法。首先,根据排污口的实际布置情况及地理特征,布设采样点,采集污染水体样品。其次,结合水功能区特点,基于物料平衡原理,建立入河排污口污染指标通量平衡关系,获取排污指标关联。在此基础上,利用内梅罗指数法,对入河排污口的排污状况做出全方位的综合评价。根据应用分析结果可知,新的方法应用后,污水样品综合营养状态指数评价结果准确率得到了显著提升,均达到了98%以上,可以对入河排污口排污状况做出精确的评价。     

尿素配施腐植酸钾对西葫芦幼苗生长和光合特性的影响

为研究尿素配施腐植酸钾对西葫芦幼苗生长和光合特性的影响,本试验以西葫芦品种“农园1号”为试验材料,探究在施用尿素的条件下促进西葫芦幼苗生长和光合特性的最适腐植酸钾浓度。本试验共设7个处理：浇灌1/3倍山崎黄瓜配方营养液(CK);浇灌1/3倍山崎黄瓜配方营养液+2 g/L尿素(T1);浇灌以T1营养液为溶剂配成腐植酸钾浓度分别为0.04%、0.07%、0.1%、0.13%、0.16%的营养液(分别标记为T2、T3、T4、T5、T6)。试验结果表明：在施用尿素的条件下配施腐植酸钾可以促进西葫芦幼苗的干鲜重、叶面积、净光合速率(Pn)、气孔导度(Gs)和蒸腾速率(Tr),降低胞间CO₂浓度(Ci)。综合分析：T5处理的西葫芦幼苗生长状况和光合特性表现最好。     

腐植酸有机肥对人参生长、产量和品质的影响

以腐植酸有机肥为试材研究了其对人参生长、产量和品质的影响。结果表明,腐植酸有机肥能够促进人参生长发育,提高人参茎高、茎粗和开花结果率,提高人参单产（与常规施肥相比增产7.34%,与商品有机肥相比增产8.72%）,还能够增加人参中多糖、可溶性蛋白质和总皂甙含量,从而提高人参药食品质,还能显著降低人参发病率和病情指数。     

水热原位生长制备致密氧化铈基固体氧化物燃料电池隔离层

面向高性能固体氧化物燃料电池(SOFC)低成本制备及长寿命运行需求,提出了一种致密氧化铈基隔离层的制备方法。将阳极支撑半电池的Y₂O₃稳定ZrO₂(YSZ)电解质浸没于硝酸钆和硝酸铈水溶液中,并在180℃水热条件下处理36 h,获得了原位生长的致密Gd₂O₃掺杂CeO₂(GDC)薄膜;进一步将其与La_0.6Sr_0.4Co_0.2Fe_0.8O_3–δ阴极在1 075℃共烧结,得到阳极支撑SOFC单电池。结果表明,水热原位生长制备的GDC隔离层连续且致密,组成约为Gd_0.044Ce_0.956O_2–δ,厚度约为0.23μm;阳极支撑单电池在750℃的欧姆阻抗约为0.101Ω·cm²,相较于传统丝网印刷GDC隔离层单电池降低了约38%,在室温加湿氢气燃料下的最大功率密度达到...     

钙钛矿光伏的先进印刷技术研究进展

有机无机杂化钙钛矿太阳能电池具有光电转换效率高、制备成本低等优势,展现出了巨大的应用潜力。然而,钙钛矿电池要实现产业化应用,就必须进行放大,制备出高效稳定的钙钛矿光伏模组,而其中高质量钙钛矿吸光薄膜的放大制备尤为关键。印刷是最廉价、绿色的宏量制备技术之一,也是目前钙钛矿大面积制备所广泛采用的主要技术手段。本文综述了刮涂、狭缝涂布、喷墨打印等6种印刷技术的工作原理和特点,分析了各技术的影响因素和调控机理,并总结了相应的研究进展,旨在为未来钙钛矿大面积制备研究和应用提供参考。     

氨合成气压缩机运行异常状况及检修总结

晋控金石化工集团有限公司石家庄循环化工园区分公司一期180 kt/a合成氨装置离心式氨合成气压缩机(汽轮机驱动)在2022年4月4日的重启过程中,出现部分轴瓦温度、轴振值、轴位移等测点数据偏高问题,严重影响机组的安全稳定运行及系统负荷的提升。基于氨合成气压缩机组设计参数及本次开车阶段的异常状况进行问题分析,制定当期检修措施,并提出当期维持系统低负荷运行工艺方面的应急操作调整措施;2022年4月16日备件到位后系统停车,氨合成气压缩机组进入全面检修状态,完成汽轮机瓦块/压缩机瓦块检查、高压缸关联密封检查及更换、高压缸更换新转子及轴端密封间隙调整、联轴器更换及找正等检修项目后,2022年4月20日机组重启,运行状态良好。     

纳米聚团床制备碳纳米管的生长机理

采用催化化学气相沉积法(CCVD)，在550~750℃温度范围内，于内径44 mm、高1000 mm的石英管纳米聚团床中制备了碳纳米管；通过SEM, TEM, TGA等多种分析手段对碳纳米管产品的形貌和质量进行了分析；把相同条件下的纳米聚团床法与前人固定催化剂法的结果进行了比较，并考察了纳米聚团床中反应条件对碳纳米管生长的影响；通过对电镜照片和反应转化率动态数据的深入分析，对纳米聚团床中碳纳米管生长机理的特殊性进行了初步探讨.     

硅基纳米b-SiC量子点列阵的制备

报道了用两步自组装法制备硅基纳米碳化硅量子点列阵. 先将两种硅烷偶联剂均匀有序地偶联到洁净的单晶硅片上，其中一种偶联剂能打破C60上的碳碳双键而使C60通过偶联剂均匀有序地分布在硅片的表面上. 然后用夹心法或覆盖法将样品在900℃的氮气氛中退火20 min，使C60分解成活性碳，与周围的硅原子结合生成碳化硅，碳化硅分子的自组装形成了碳化硅纳米晶粒(量子点)，C60在硅表面的有序排列导致了纳米碳化硅量子点列阵形成.