SOI LDMOSFET的背栅特性

在绝缘体上硅衬底上,制备了栅长为0.5μm的低势垒体接触结构和源体紧密接触结构的横向双扩散功率晶体管.详细研究了器件的背栅特性.背栅偏置电压对横向双扩散功率晶体管的前栅亚阈值特性、导通电阻和关态击穿特性均有明显影响.相比于源体紧密接触结构,低势垒体接触结构横向双扩散功率晶体管的背栅效应更小,这是因为低势垒体接触结构更好地抑制了浮体效应和背栅沟道开启.还介绍了一种绝缘体上硅横向双扩散功率晶体管的电路模型,其包含前栅沟道,背栅沟道和背栅偏置决定的串联电阻.     

低阈值基横模脊形波导GaAs／AlGaAs单量子阱激光器

本文报道了脊形波导结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器的研究成果．我们采用湿法化学腐蚀方法，通过对器件结构参数的优化，制备了性能优越的脊形波导ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器，器件的阈值电流低于１０ｍＡ，最低值为７．３ｍＡ，而且实现了基横模工作，这是国内报道的该结构激光器的最好水平．     

厚膜集成空心冷阴极平板荧光背照组件

液晶显示尤其是全色 TFT-LCD 的迅速发展,促成了荧光背照器件进展。为提高大面积背照光亮度均匀性,由分立式荧光管形灯(TFL)向平板荧光灯(FFL)转变,成了必然趋势。将管形灯改成平面灯,伴随气体放电几何结构的改变,需克服放电稳定性及驱动难问题。岸本等人于1988年研制成功全色 LCD 背照 FFL 器件,在对角线为7.6cm 的 FFL 上,亮度均匀性为70％,而常规 TFL 背照组件仅44％。岸本设计的平面灯,其结构为对放的一     

小浪底水库泥沙管道高效输送的合理参数分析

针对管路中沿程实时变化的含沙量和颗粒级配情况,借鉴以往的研究成果,从管路中泥沙的冲淤变化、悬浮特性等多角度分析确定了管道输送泥沙的临界不淤流速;并采用实测值与模型计算值对比拟合的方法,确定了用费祥俊的临界不淤流速计算模型来分析本次管道输送的临界不淤流速;最后,以理论与实践结合提出小浪底水库泥沙管道高效输送的管径和含沙量,为今后试验或生产实践提供参考依据。提出了管径为0.325m和0.63m两种不同工况的高效输送参数:含沙量均为620kg/m~3,中值粒径范围0.051 2~0.062 9mm,D90为0.14mm,输送流速分别可在1.75~2.08m/s和2.08~2.2m/s之间进行调节。对应最大月排沙量分别为8.95万t和34.72万t。     

3DK405型高频高速高反压开关功率晶体管的研制

３ＤＫ４０５型高频高速反压ＮＰＮ开关功率晶体管研制成功，集电极最大耗散功率ＰＣＭ≥２００Ｗ，集电极最大电流ＩＣＭ≥３０Ａ，双结反向击穿电压ＢＶｃｅｏ≥４５０Ｖ，特征频率ｆＴ≥８０ＭＨＺ，下降时间ｔｆ≤０．１ｕｓ，居国内领先技术水平。     

300MW中间再热直接空冷凝汽式汽轮机主要技术特点

介绍了上海汽轮机有限公司空冷300MW汽轮机的主要技术特点,通过对结构、通流、轴系和差胀进行优化设计,确保机组运行的安全性及其性能的先进性。目前该机组在市场上取得了良好的经济效益和社会效益。     

海水冷却电厂循环水合理取水方式研究

对海水冷却电厂循环水取水方式进行了研究,提出深层取水的概念,指出确定取水位置应考虑的影响因素,并对黄岛电厂拟采取的取水方案进行经济性分析。该方案实施后总体经济效益显著,对沿海地区电厂建设具有示范作用和指导意义。     

高背压热功联产汽轮机在热电厂的应用

中小型热电厂的热力系统为力求简单，厂用汽较多采用来自汽轮机的工业抽汽口或背压机排汽，而工业抽汽压力往往高于热电厂自身厂用汽的压力，传统上采用阀门节流减压，造成了节流损失。文章介绍小背压机实施热功联产差压作功的技术应用，并就高背压和低背压两方案行了分析比较。     

内耦合型EBCCD的技术研究

电子轰击电荷耦合器件(EBCCD)是一种微弱光信号成像器件,由于采用了内耦合的背照电荷耦合器件(CCD)结构,大大提高了该器件的探测灵敏度以及信噪比,使其探测的弱光下限能更低.采用国产面照CCD,成功研制出了具有背照功能的CCD以及能耐电子轰击的EBCCD.简单介绍了这种器件的工作原理、结构特点以及关键研究内容,并列出了实验分析及结果.     

TFT-LCD在低背光状态下的图像增强算法

在普通的手持显示设备中,降低背光亮度可以减小系统功耗,然而同时会导致显示图像的亮度和对比度下降,影响显示画质.通过分析TFT-LCD和HVS(Human Visual System)的特征,提出了一种在低背光状态下的图像增强算法,可以在较低背光亮度下通过补偿图像的亮度和对比度来增强图像的显示效果.所提出的算法可以根据图像的具体内容选择不同的补偿方式,与同类算法相比,补偿后的亮度值更高.实验结果表明,所提出的算法可以提高图像亮度,改善图像显示效果,从而能更有效地降低系统功耗.