各向异性导电胶互连技术的研究进展

随着微电子封装技术的发展,各向异性导电胶作为一种绿色的连接材料,广泛应用于电子产品中。文中主要介绍各向异性导电胶互连器件的粘接原理和影响其可靠性的各种因素,如粘接工艺参数、外界环境的干扰、各向异性导电胶的物理特性等。     

环境对各向异性导电胶膜性能参数的影响

各向异性导电胶膜(ACF)的玻璃转化温度T_g是它的一个重要性能参数,用差示扫描热示计(DSC)分别测定商用各向异性导电胶膜固化前和固化后的玻璃转化温度,并确定不同的固化时间对它的玻璃转化温度的影响,以及高温高湿(85℃,85%RH)环境对它的玻璃转化温度影响,得到各向异性导电胶玻璃转化温度下降是其粘接强度下降的原因之一。     

各向异性的多尺度边缘检测算法

提出了一种各向异性的多尺度边缘检测算法.首先,在给定的多个尺度下分别应用各向异性的高斯滤波器获取图像的边缘强度图.然后,将所获取的多幅边缘强度图融合为一幅边缘分辨率高、拓散效应小的边缘强度图.最后,将融合的边缘强度图嵌入到Canny边缘检测算法的框架中,获得最终的边缘检测结果.创新性地提出基于"信号平均"技术的多尺度融...     

高性能42nm栅长CMOS器件

研究了20～50nm CMOS器件结构及其关键工艺技术,采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡器.在电源电压VDD为±1.5V下,NMOS和PMOS的饱和驱动电流Ion分别为745μA/μm和-530μA/μm,相应的关态漏电流Ioff分别为3.5nA/μm和-15nA/μm.NMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为72mV/Dec和34mV/V,PMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为82mV/Dec和57mV/V.栅长为48nm的CMOS 57级环形振荡器,在1.5V电源电压下每级延迟为19.9ps.     

掺杂Co改善镍铁氧体的铁磁共振线宽

结合实际工作，具体研究了改善某微波器件用旋磁镍铁氧体材料的铁磁共振线宽的有效方法。以少量Co代替Ni使镍铁氧体材料的磁晶各向异性常数近似趋于O，以此来降低镍铁氧体的铁磁共振线宽，从而使微波器件的性能满足了用户的使用要求。     

各向异性PDLC散射膜的特性研究

采用摩擦表面取向层的方法制备了有光学各向异性结构的ＰＤＬＣ膜。研究了液晶盒的厚度、摩擦强度,以及在紫外光诱导相分离过程中的光照强度对ＰＤＬＣ膜的光学各向异性程度和电光特性的影响。对ＰＤＬＣ的光学各向异性进行了研究,并给出了要获得低阈值电压、高各向异性的聚合物分散液晶各向异性膜的盒厚、摩擦强度以及光照度等条件。被取向后的ＰＤＬＣ各向异性膜可被用来作为具有很好光电特性的电可调散射式偏振片。     

椭圆偏振光在各向异性1维光子晶体中的传输

为了解决利用传统传输矩阵法计算在各向异性材料结构中任意极化态电磁波传播遇到的困难,设计含磁光材料缺陷层的1维光子晶体。通过把入射电磁波按左旋圆偏振和右旋圆偏振进行正交分解的方法,推导出适合各向异性材料和任意极化态入射电磁波的传输矩阵算法。结果表明,该算法可以确定1维层状结构透射波和反射波偏振态的变化。     

利用AWE技术计算各向异性阻抗劈的绕射场

平面波斜入射到各向异性阻抗劈时,由于出现电场和磁场的"耦合"问题,采用一般的一致性几何绕射理论(UTD)方法,无法得到绕射场的解析解,而一些近似方法也只能得到小角度偏离正入射或者掠入射情况下的近似解.采用渐近波形估计(AWE)技术,从已有结果的斜入射角度范围上进行外推,得到其他角度的近似解,从而得到更一般情况下各项异性阻抗劈的绕射场结果.     

各向异性核函数均值漂移目标跟踪算法研究

针对传统均值漂移算法利用固定核或对称核函数进行目标跟踪时出现目标跟踪丢失或跟踪失败的问题,提出了基于各向异性核函数的自适应带宽均值漂移目标跟踪算法,以提高目标跟踪的准确性、实时性.在符号距离核函数的基础上引入符号距离约束函数,构成各向异性核函数,满足目标外部的区域函数值为零,为目标跟踪提供准确的跟踪窗.依据基于各向异性核函数的均值漂移应用到目标跟踪中需满足跟踪窗内的样本点到中心点的向量权重之和为0的思想,计算各向异性核函数模板的均值漂移窗口中心.利用相似度阈值对前后两帧目标模板的变化情况进行限制,实现各向异性核函数模板的自适应更新及目标的准确实时跟踪.实验结果表明所提出算法的准确性和实时性较高.     

偶氮聚合物光存储研究进展

着重阐明了偶氮聚合物光存储纪录的原理,分析了其双折射特性的微观机制,介绍了该课题近年来实验和理论上的最新进展,对这一充满希望和挑战的多学科交叉研究专题作了展望。