单电子晶体管I-V特性数学建模

基于正统单电子理论，提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是：它由实际物理参数直接获得；支持双栅极工作，更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。     

采用反相方法测试台架测定3．3kV IGCT的特性

采用反相方法测试台架在实际工作条件下，对ABB公司提供的实验性3．3kV IGCT进行了特性测定.这种器件在硬开关运行下的导通损耗非常小，开关损耗也降低了.这就表明一种新型大功率/中电压半导体器件已经问世，它们可以用于较高开天频率(超过1kHz)和大电流工况，以改善大功率变换器的性能.     

退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响

采用铟锡合金靶(铟-锡，90-10)，通过直流反应磁控溅射在玻璃基片上制备出ITO薄膜，并在大气环境下高温退火处理。研究了退火温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。研究表明，随着退火温度升高薄膜的电学特性得到很大提高。     

具有阻力特性材料的σ_f－σ关系及一种新的阻力曲线测定方法

通过对相变增韧陶瓷及一种可切削玻璃－陶瓷动态疲劳（恒应力速率）试验中高应力速率区断裂应力下降现象的理论分析，发现这种现象与材料的阻力特性（Ｒ－ｃｕｒｖｅ）密切相关。确立的σ_ｆ－σ理论关系能够很好地描述整个应力速率区间内的动态疲劳试验结果。高应力速率区σ_ｆ－σ在双对数坐标下为负斜率直线，直线斜率为（ｍ为阻力曲线ＫＲ＝ｋ（△ａ）~ｍ的指数），断裂主要由材料阻力行为控制；低应力速率区，σ_ｆ－σ在双对数坐标下为正斜率直线，直线斜率为　（ｎ为应力腐蚀指数），断裂主要由材料应力腐蚀行为控制。建立了测定材料阻力特性的一种新方法，分别用这种方法及压痕／弯曲方法对一种可切削玻璃－陶瓷的阻力特性进行了实验测定，两种方法所得结果有很好的一致性。     

粗粒土渗透变形机制浅析

对砂卵砾石的渗透变形的形成条件进行了简要分析，在此基础上对渗透变形的形式进行了简要评价，并提出了渗透变形临界坡降的计算方法。     

用GPC普适校正法测定低相对分子质量聚异丁烯的相对分子质量及 …

采用凝胶渗透色谱仪，以已知特性胶数〔η〕的宽分布聚异丁烯为标准，在计算机上，采用“Ｍｏｔｅ Ｃａｒｌ”计划法计算聚异丁烯的Ｍａｒｋ－Ｈｏｕｗｉｎｋ方程的最佳Ｋ和α值，经普适校正法建立聚异丁烯的校正曲线。结果表明，用ＧＰＣ法测定的聚异丁烯数均相对分子质量与膜渗透法（ＶＰＯ法）测定结果相比较，其相对在误差在５％以下，提供的计算Ｋ和α值的方法既快速简便又具有实用性。     

烧结工艺对液相合成（SrPb）TiO3基陶瓷热敏特性影响的研究

本文在液相合成（ＳｒＰｂ）ＴｉＯ３粉的基础上，研究了升温速率、保温时间、烧结温度及降温方式对（ＳｒＰｂ）ＴｉＯ３基陶瓷的Ｖ型ＰＴＣ热敏特性的影响。实验表明：升温速率对其热敏特性影响不大，保温时间和烧结温度的作用是一致的，具有一最佳范围。而降浊方式对材料的热敏特性影响较大。综合各因素的影响，本配方中，样品的烧结制度定为：以２００℃／ｈ的速率升温，在１２５０℃保温１ｈ，炉冷至９５０℃，保温０．５ｈ，再     

一种计算气藏动态储量的新方法

本文提出了一种计算气藏动态储量的新方法。使用该方法计算渗透性差、非均质性强的气藏的动态储量，具有较高的准确性。     

超重低音电路分析

文章介绍了大屏幕彩电常用的超重低音电路，包括它的工作原理、电路结构及主要特性。