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101.
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。 相似文献
102.
103.
退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用铟锡合金靶(铟-锡,90-10),通过直流反应磁控溅射在玻璃基片上制备出ITO薄膜,并在大气环境下高温退火处理。研究了退火温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。研究表明,随着退火温度升高薄膜的电学特性得到很大提高。 相似文献
104.
通过对相变增韧陶瓷及一种可切削玻璃-陶瓷动态疲劳(恒应力速率)试验中高应力速率区断裂应力下降现象的理论分析,发现这种现象与材料的阻力特性(R-curve)密切相关。确立的σ_f-σ理论关系能够很好地描述整个应力速率区间内的动态疲劳试验结果。高应力速率区σ_f-σ在双对数坐标下为负斜率直线,直线斜率为(m为阻力曲线KR=k(△a)~m的指数),断裂主要由材料阻力行为控制;低应力速率区,σ_f-σ在双对数坐标下为正斜率直线,直线斜率为 (n为应力腐蚀指数),断裂主要由材料应力腐蚀行为控制。建立了测定材料阻力特性的一种新方法,分别用这种方法及压痕/弯曲方法对一种可切削玻璃-陶瓷的阻力特性进行了实验测定,两种方法所得结果有很好的一致性。 相似文献
105.
106.
107.
用GPC普适校正法测定低相对分子质量聚异丁烯的相对分子质量及 … 总被引:2,自引:0,他引:2
采用凝胶渗透色谱仪,以已知特性胶数〔η〕的宽分布聚异丁烯为标准,在计算机上,采用“Mote Carl”计划法计算聚异丁烯的Mark-Houwink方程的最佳K和α值,经普适校正法建立聚异丁烯的校正曲线。结果表明,用GPC法测定的聚异丁烯数均相对分子质量与膜渗透法(VPO法)测定结果相比较,其相对在误差在5%以下,提供的计算K和α值的方法既快速简便又具有实用性。 相似文献
108.
本文在液相合成(SrPb)TiO3粉的基础上,研究了升温速率、保温时间、烧结温度及降温方式对(SrPb)TiO3基陶瓷的V型PTC热敏特性的影响。实验表明:升温速率对其热敏特性影响不大,保温时间和烧结温度的作用是一致的,具有一最佳范围。而降浊方式对材料的热敏特性影响较大。综合各因素的影响,本配方中,样品的烧结制度定为:以200℃/h的速率升温,在1250℃保温1h,炉冷至950℃,保温0.5h,再 相似文献
109.
本文提出了一种计算气藏动态储量的新方法。使用该方法计算渗透性差、非均质性强的气藏的动态储量,具有较高的准确性。 相似文献