高频溅射碳化硅薄的退火效应

本采用高频溅射方法，在抛光Ｓｉ（１１１）衬底上制备出碳化硅薄膜，了薄膜的高温真空退火勺，实验表明，退火后的薄膜具有较淡理想的结晶取向和发光性质。     

浅谈φ600XF－ⅢJ型氨合成塔内件的冷管效应及径向温差的控制

本文以本厂和几个使用φ６００ＸＦ－ⅢＪ型内件的小氮肥厂的实际生产情况为依据，分析了ⅢＪ型内件存在“冷管效应”及产生同平面温差的机理和操作控制方法。     

高梯度加速管的束流传输

对不同能量、不同质量数、不同初始条件的入射束和有无空间电荷效应的离子束流在高梯度加速管中的传输进行了计算，并讨论了一些影响加速管聚焦作用的主要因素，计算结果与实际情况相符。     

矩形散热片型热电发生器的理论分析及其在微系统中的应用

近来的研究证明，一种具有矩形散热片型元件及适合微系统的简单结构的热电模块适用于毫米级热电发生器。本文分析了该种热电模块的基本特性。通过对元件内的一维传热与流动的计算，给出热电发生器的功率密度及转换效率的理论描述。通过计算发现：存在获得最大热功率和转换效率的元件最大尺寸；相似形状的元件随尺寸变小而增大功率密度，而转换效率维持不变。当考虑对流换热热阻时，通过对该热电模型与标准π型模块的比较分析说明，在微系统中带矩形散热片元件的模块具有较好的热电性能。     

国际放射防护委员会所用的组织权重因子的演变

本文阐述国际放射防护委员会所采用辐射致部危险度和组织权重因子的改变。着重介绍ＩＣＲＰ１９９０年建议书中有关辐射危害的估算方法，在总危害中不仅考虑到辐射诱发致死癌症的概率，还考虑辐射诱发非致死癌症的概率，在受照者所有后代产生的严重遗传疾患的概率，以及这些有害作用所致的预期寿命损失。     

D—T等离子体约束的同位素效应

本文讨论了Ｄ－Ｔ等离子体能量约束时间的同位素效应。采用了基于气球模湍流的输运理论。当在βｐ〉１条件下产生Ｄ－Ｔ等离子体时，预计Ｄ－Ｔ等离子体（５０％混合物）的能量约束时间比同样运行条件下的Ｄ等离子体好约２０％。