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硅外延片中的杂质控制 总被引:2,自引:0,他引:2
有5类掺杂源影响硅的外延片中的杂质分布。主掺杂质控制外延层的杂质浓度,决定外延层的电阻率。固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布。该文介绍了此3类掺杂源的掺杂过程和抑制方法。金属杂质在外延层中对器件有害,防止沾污和使用吸杂技术能降低金属杂质在外延层中的浓度。 相似文献
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日下部实 《艺术与设计.数码设计》2004,(3):16-19
表示光线进入物体内部后的物理深度。数值可以在World Unit中计算求得,输入较大的数值时,光线会扩散到物体内部更深的位置,但是随着光线向深处扩散,光线的能量会分散,所以增大Depth数值的效果反而会变暗。 相似文献
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科学精神、科学思想和科学方法,在物质文明和精神文明建设中发挥着先导和支柱的作用。我们拜泉的水土保持工作经历了一个认识-实践再认识-再实践,直至上升到理性认识的过程。 相似文献
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