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薄膜的截面TEM样品制备 总被引:1,自引:0,他引:1
薄膜材料的厚度仅为微米量级或者更薄,对其微结构的研究十分困难,许多表征方法难以采用。透射电子显微分析(TEM)是薄膜材料微结构研究最重要的手段之一。尽管采用TEM平面样品研究薄膜的微结构在样品制备方面相对容易,但由于薄膜依附于基材生长,且通常具有择优取向和柱状晶生长等微结构特征,因而采用截面样品从薄膜生长的横断面进行观察和研究,可以得到更多的材料微结构信息。但是薄膜的TEM截面样品制备过程较为繁杂,难以掌握。已有的文献主要介绍了Si基片上生长薄膜的TEM截面样品制备方法,对金属基片薄膜截面样品的制备方法介绍不多。 相似文献
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“低熟气、生物气富集规律与资源评价技术”项目成果及学术交流会在合肥召开 总被引:1,自引:0,他引:1
2006年3月4—6日在安徽合肥召开了“低熟气、生物气富集规律与资源评价技术”项目阶段成果及学术交流会。该项目是中国石油天然气股份有限公司科技与信息管理部2005年5月批准设立的基础性科研项目,由中国石油勘探开发研究院张水昌和廊坊分院李剑主持,大庆油田分公司研究院、青海油田分公司研究院、中科院地质地球物理所兰州油气资源研究中心、大庆石油学院和中国石油大学(华东)等单位参与。 相似文献
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本文报道在650℃的衬底温度下实现了MOCVD在(100)面和(111)面上生长GaAs与Al0.4Ga0.6As的不同选择性。这一衬底温度比国际上以前报道的要低,对制作适于光电器件的GaAs/AlGaAs量子阱层比较有利。用此技术,在GaAs非平面衬底上生长了GaAs/Al0.4Ga0.6As量子阱,并用扫描电镜、低温光致发光谱及偏振激发的光反射率谱技术进行了研究。结果不仅证明了MCCVD外延生 相似文献