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61.
《今日电子》2006,(12):119-119
MB39C015是一款采用内置开关FET、振动发生器、误差放大器、PWM控制电路、标准电压、电压检测电路的双通道De/De转换器。它的输入电压为2.5~5.5V,每个通道的输出电流最高可达800mA}开关频率可达2MHz,由于采用电流模式,输出电流一直处于被监测状态,电流一般控制在最大电流范围。该产品采用RDS(ON)仅为0.30Ω(P沟道)和0.20Ω(N沟道)的内部开关,对应100%ON Duty模式,转换效率为96%.  相似文献   
62.
《中国电子商情》2006,(11):83-83
福禄克公司日前宣布了一个新系列数字式万用表.包括带有非接触电压检测功能的Fluke117电气技术人员用万用表和带有温度和微安电流测量功能的Fluke 116 HVAC万用表。这个真有效值仪表系列包括四个产品型号.均满足特定应用领域的测量要求。  相似文献   
63.
HgCdTe红外探测器件是目前研究和使用的主要探测器件之一,pn结构是它的基本功能单元和提高性能的关键之一,由其列阵构成的焦平面是HgCdTe红外探测器件发展的重要方向。因此迫切需要一种方便可行的无损检测方法可以实现对焦平面列阵的在线信息反馈以及针对pn功能结构进行深入研究。激光束诱导电流(LBIC)即是一种以激光为  相似文献   
64.
a-Si∶H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容,实验研究表明它并不能完全表征TFT的寄生效应,研究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在.从LCD的结构、材料、制备工艺等普遍性出发,依据交迭电力线建立了物理寄生效应模型并对其进行了详细的分析和计算,实验结果表明该方法是有效可行的,从而使LCD寄生效应有了一个较完美的理论表征和分析计算方法.  相似文献   
65.
压敏电阻的缩写是VSR,常作为过压保护器件。从其材料上可分为氧化锌压敏电阻、碳化硅压敏电阻和金属氧化物压敏电阻等;从其用途上可分为超低压压敏电阻、低压压敏电阻、高压压敏电阻、防雷保护压敏电阻和灭弧压敏电阻等。一、结构和特性1.压敏电阻的结构压敏电阻的电路符号、外形和内部结构如图1所示。它是以陶瓷工艺加工而成,图1(a)为电路符号:图1(b)为外  相似文献   
66.
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。  相似文献   
67.
本文介绍了较大功率变频空调的一种APFC方案。它应用升压电路,采用平均电流控制,使功率因数达到0.99以上。结果表明,方案具有较高的可靠性。  相似文献   
68.
《今日电子》2004,(6):96-96
保持电流为550mA的保护器新的LVR系列PolySwitch可复位器件的最大保持电流额定值从400mA提高到了550mA,保护电子器件免受过电流和过热故障状态所引起的损坏。电压额定值为240VAC,最高允许电压可达265VAC,能够在电源和变压器的初级端同时提供对过流和过热故障的保护。分为直脚引线和弯脚引线结构,采用卷带式包装,通过了UL、TUV和CSA认证。Tycohttp://www.tycoelectronics.com具备高阻断电压特性的扩散二极管额定电压为600V的60APU06和60EPU06铂扩散超快恢复外延二极管的铂扩散工艺精确地控制了载流子寿命;设定或调整二极管恢复速…  相似文献   
69.
李福乐  李冬梅  张春  王志华 《电子学报》2002,30(9):1285-1287
无源电容误差平均技术是一种本质线性(Inherently Linear)的流水线模数转换电容失配校准技术,但其转换速度是传统技术的一半.为了提高速度,本文提出了一种改进的电容误差平均技术.该技术从减少一个转换周期所需的时钟相数目和减少每个时钟相的时间两个方面来优化速度.电路分析和MATLAB仿真表明,在两种典型的情况下,改进的技术能将速度提高52%(跨导放大器为开关电容共模反馈)和64%(跨导放大器为非开关电容共模反馈)以上.改进的技术更适用于高速高精度及连续工作的应用场合.  相似文献   
70.
蔡益民  高中林 《电子器件》1994,17(3):171-176
本文介绍了薄膜隧道发光结的基本结构、发光机理,阐述了其I-V特性中的负阻现象。简单介绍了MIM结构负阻的几种解释,根据热像仪照片和低温测试结果分析,再结合Dearmaley导电模型,我们提出了MIM负阻的物理模型,理论与实验符合较好,最后分析了负阻现象的应用前景。  相似文献   
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