室温低压下脉冲等离子体生长立方氮化硼薄膜

运用脉冲高能量密度等离子体，在室温下制成立方氮化硼薄膜．沉积薄膜的衬底材料分别选用单晶硅、氯化钠和ＧＣｒ１５轴承钢，用扫描电镜、透射电镜、红外吸收谱仪、扫描Ａｕｇｅｒ微探针等对沉积的薄膜进行了分析与测试，结果表明，氮化硼薄膜的结构及性质强烈地依赖于实验条件．分析表明立方氮化硼晶核的形成与衬底材料关系不大，但晶核的生长则部分地依赖于衬底．     

提高高纯铝箔立方织构的工艺途径

介绍了各工艺因素对高铝箔立方织构的影响，以及一些生产电解电容器用高压阳极铝箔的工艺参数，探讨了提高高纯铝箔立方织构的方法和机制，认为提高高纯铝箔的纯并和进行大量、系统的工艺研究，是推进高纯铝箔国产化的关键所在。     

立方氮化硼砂轮

一种树脂结合剂立方氮化硼砂轮。其中砂轮结合剂中含有15－35％（体积）的氟盐助磨材料，0－16％（体积）的固体润滑填料，以及5－40％的银粉。结合剂中的树脂不少于30％（体积）。50％以下的银粉可以用镍粉代替。树脂可以是酚醛树脂或聚酰胺树脂。填料可以采用MoS2、立方氮化硼、石墨或氟聚合物。     

Fe-Al合金薄膜的磁致伸缩特性

一般稀土金属-过渡金属系磁致伸缩材料都有脆和容易氧化等问题。而具有体心立方结构（bcc）的铁系磁致伸缩材料，较之稀土-铁系材料具有较高的韧性和耐蚀性。Fe-17％（原子）Ga单晶合金在室温下显示很高的磁致伸缩敏感度，但这一合金有价格高昂且难处理等问题，然而Fe-Al合金显然有其更多的优越性。因此，采用离子镀装置制备了Fe-Al合金薄膜，研究了结晶结构和磁特性及其磁致伸缩特性。研究时所用的薄膜试样是在三电极配置离子镀装置上制备的。首先在电弧炉中用纯铁（99．9％）和铝（99．5％）制得Fe-Al合金锭，通过电子束加热熔融蒸发形成Fe-Al合金蒸发源。在此蒸发源-基片Si（100）间设置的探针电极上施加正电位（50V），使之发生放电，由此所蒸发的金属蒸汽等离子化并沉积于硅基片上，通过改变Fe-Al合金蒸发物的成分来控制所形成的合金薄膜的成分。依靠基片托架背面的加热器来控制基片温度，于523K基片温度下进行镀膜。用能散X射线光谱法分析Fe-Al合金膜的成分,用触针法测定膜厚，用X射线衍射装置进行结构分析，用振动样品磁强计测定试样磁性，用光杠杆法测定试样的磁致伸缩。     

加工渗硼45~＃钢及离子氮化1Cr18Ni9Ti不锈钢工件用金刚石和CBN珩磨油石的研制

本文介绍了用于加工渗硼４５钢及离子氮化１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ工件内孔的珩磨油石。讨论了金属结合剂特性、磨料种类、粒度、浓度及制造工艺对油石性能的影响，使用表明，本文研制的油石能满足用户要求，并取得了较好的经济效益。     

影响颗粒增强铝基复合材料热导率因素研究

研究了颗粒种类、粘接剂含量和界面状态对颗粒增强铝基复合材料热导率的影响.制备了碳化硅和立方氮化硼两种颗粒及粘接剂添加量不同复合材料,并通过1 300 ℃下湿氧气氛氧化、氢氟酸酸洗及将复合材料在600 ℃时进行长时间热处理从而获得不同的界面状态.由于立方氮化硼颗粒本身的热导率高于碳化硅颗粒,尽管前者的体积分数高,但其复合材料的热导率仍高于后者.随着粘接剂添加量增多,复合材料的热导率逐渐降低.高温湿氧气氛处理后,碳化硅颗粒表面被氧化硅覆盖,制备的复合材料热导率明显降低;酸洗处理后,碳化硅颗粒中的杂质基本去除,制备的复合材料热导率得到提高.随着高温处理时间延长,复合材料的热导率先升高后降低.     

介孔立方ZrO2球形粒子准气相反应合成工艺的优化

采用一种新颖的基于WEB的人工神经网络-遗传算法系统对介孔立方ZrO2球形粒子准气相反应合成的新工艺进行了建模与优化设计.结果表明,合成最小粒径ZrO2前驱物球的最优参数为M[ZrOCl2·8H2O]=0.49 mol/L,VS=0.035 m3/h,P=99.80 kPa;ZrO2前驱物球的最小平均粒径为0.75μm.通过实验验证,此最优参数下合成的ZrO2前驱物球平均粒径为0.72 μm,计算值与实验值符合的较好.将合成的最小粒径前驱物球经干燥和600℃煅烧后,得到了平均粒径为0.64 μm的介孔立方ZrO2球.     

高品级CBN单晶的生长及合成研究

本文采用三元氮硼化物Ｍ３Ｂ２Ｎ４（Ｍ代表碱土金属）作触媒，通过加入ＶＢ族添加物改善ＣＢＮ生长的动力学条件，在５．０ＧＰａ１４００～１６００℃的压力，温度条件下得到了晶形规则，晶面较完整的ＣＢＮ晶体。讨论了压力，温度及熔体性能等地高品级ＣＢＮ单晶生长的影响。     

活性元素Ti在CBN与钎料结合界面的特征

通过扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪研究了Ag-Cu-Ti钎料中的活性元素Ti在钎料与立方氮化硼（CBN）磨粒高温钎焊结合界面的扩散现象，并运用动力学分析对界面反应层的生长过程及反应激活能进行了探讨。结果表明：钎焊过程中，钎料中的活性元素Ti明显向磨粒侧扩散偏聚并发生化学反应，实现了磨粒与基体材料的牢固结合；钎焊CBN磨粒表面生成的TiB2和TiN化合物形貌接近平衡状态下生长的理想形貌；界面反应层在钎焊温度1153K～1193K，保温时间5min～20min之间依据抛物线生长法则所得扩散激活能值表明其生长过程主要受新生TiN影响。