浅析深层搅拌桩的材料使用

本文就深层搅拌桩施工材料使用存在的一些问题进行分析总结。     

国外半导体发展的一些动向

近年来,国际半导体行业竞争剧烈,继美、日、西欧之后,一些国家和地区例如南朝鲜、台湾等纷纷崛起,力图挤入国际市场,倾销半导体产品。此外,由于受到全球性经济衰退的影响,半导体工业不景气的局面有所持续。以具有代表性的、被誉为“技术先驱”的产品——4兆位DRAM市场情况来看,1988年     

钴氧化物材料物理参数对ZnO压敏电阻器性能的影响

本文阐述了钴氧化物材料物理参数对ZnO压敏电阻器性能的影响。通过对不同厂家、不同批次的钴氧化物进行包括X光衍射、电子显微观察、原子光谱、比表面积、颗粒度分布的全面对比分析,发现国内大多数标志为Co_2O_3的试剂均为Co_3O_4;在相同的配方、工艺条件下仅由于Co_3O_4的生产厂家或批次不同而引起ZnO压敏电阻器性能巨大差异的内在根源之一是这些Co_3O_4的晶粒太大。对其原因进行了理论探讨。还对用于ZnO压敏电阻器的Co_3O_4材料物理参数提出了明确的要求。