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211.
212.
1968年,DouglasEnglebart博士和他的同事制作了世界上第一个鼠标--一个连着长线、带轮子和按钮的木头匣子,不过他显然没有意识到这个"匣子"对个人计算机发展的重要意义,他甚至没有马上去以个人名义申请专利,若干年后当鼠标已经成为了个人计算机的标准配置时,他才从斯坦福研究会拿到了区区一万美元的经济补偿.在随后的30多年时间里,数以亿计的计算机用户使用他们的鼠标完成"指指点点、比比划划"的工作,除了结构上从机械到光电,外观千变万化外,"鼠标"家族似乎没发生什么大的变化.在CAD方面,设计工程师们更是须臾离不开鼠标,在CAD软件系统的帮助下,鼠标就是工程师的尺子、铅笔、橡皮……  相似文献   
213.
求解二维结构-声耦合问题的一种直接方法   总被引:1,自引:1,他引:0  
向宇  黄玉盈  马小强 《振动与冲击》2003,22(4):40-44,31
本文基于传递矩阵法(TMM)和虚拟边界元法(VBEM),提出了一种求解在谐激励作用下二维结构-声耦合问题的直接法。文中对任意形状的二维弹性环建立了一阶非齐次运动微分方程组,便于用齐次扩容精细积分法求解,对于含有任意形状孔穴的无穷域流体介质的Helmholtz外问题,采用复数形式的Burton-Miller型组合层势法建立了虚拟边界元方程,保证了声压在全波数域内存在唯一解。根据叠加原理并结合最小二乘法,提出了一种耦合方程的直接解法,由于该方法不存在迭代过程,因而具有较高的计算精度和效率。文中给出了二个典型弹性环在集中谐激励力作用下声辐射算例,计算结果表明本文方法较通常采用的混合FE/BE法更为有效。  相似文献   
214.
215.
开放不是仅仅把现有的资源属性进行发布,而是把能力结构下的任务进行集约化呈现。让别人了解自己,可以获得别人更多的帮助,从而组织也就可能有了新的进步机会。  相似文献   
216.
《数字通信》2006,(10):38-38
MDR-EX90SL是索尼最新推出的新款入耳式耳塞,其主要特点是采用了13.5mm的铷磁铁驱动单元.可展现更宽广的音域,同时耳塞的密闭式腔体结构还采用了MDR-CD900声学控制技术,声音还原非常真实。MDR-EX90SL加入了吸音棉及垫圈等6种有利于调整音质的材料.其阻抗为16欧姆(1kHz).声压灵敏度为106dB/mW.频响范围为5Hz-Z5kHz。据介绍,MOR-EXgOSL在整体上能达到录音棚监控的专业水准。MDR-EX90SL的配件为转接线、小中大三种耳机套垫以及保护性皮套。它的售价为12390日元(约合人民币870元)。  相似文献   
217.
课件结构分析与应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍三种基本Authorware课件结构及制作过程,以及如何利用这三种基本结构构造各种复杂课件结构的方法。最后介绍了一种功能结构分析法,通过这种方法,可以比较方便地实现从课件功能到课件结构的转换,从而大大降低课件制作的难度。  相似文献   
218.
余蓉 《上海钢研》2004,(2):36-36
川崎钢铁公司开发出供冷加工和切削用途的机械结构用无铅易切削钢,并已实际应用。该公司不添加铅的新开发钢种被评价为能适应今后环境规定的有效商品,将扩大向汽车、机械零件等用途方面的销售。新开发的钢无铅,  相似文献   
219.
顾杰 《大众硬件》2004,(11):97-100
NV3X,一个给人以没落贵族感觉的显示核心体系,它是近年来少有的让业界如此盼望却又如此失望的产品,虽然其后继者NV40确实性能强劲而且为其东爱美NVIDIA挽回了不少面子,但其所经历的失败却无法让NVIDIA忘却。导致这次失败的原因有很多,这其中包括NV3X自身设计的缺陷,NVIDIA对于市场判断的失误,以及NVIDIA和微软之间的种种瓜葛……随着NV40的逐步上市,NV3X正从一个贵族慢慢变为平民。现在,不妨让我们针对其对手R3XX来分析一下这位走下神坛的没落贵族的缺陷以及其后继者的改进吧。还记得NV35发布会上演示的那个Demo么?掌管火和冶炼的神Vulcan虽然手执神锤,全身喷火,但面对着滋扰他工作的小虫子依然无可奈何。这似乎昭示了NV3X的命运,纵使有眩目的特性、新奇的功能,但其设计上的缺陷依然导致了在DX9中的差劲表现。那么,NV3X效能低下的根源究竟在哪里呢?  相似文献   
220.
新结构MOSFET   总被引:1,自引:0,他引:1  
林钢  徐秋霞 《微电子学》2003,33(6):527-530,533
和传统平面结构MOSFET相比,新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE),理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET,包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小,这些新结构器件将大有前途。  相似文献   
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