聚酰亚胺主链结构对液晶取向膜性能的影响

采用一步法,以N,N-二(4-氨基苯基)-4-(十二烷氧基联苯基)-4’-氨基苯醚(C12-BAAPE)为控制预倾角的功能性二胺,2,2’-双三氟甲基-4,4’-联苯二胺(TFDB)或4,4’-二氨基二苯醚(ODA)为辅助二胺,分别与2,2’-双(3,4-二羧苯基)六氟丙烷四羧酸二酐(6FDA)和4,4’-联苯醚二酐(ODPA)聚合,得到三种主链结构不同的聚酰亚胺(PI-1、PI-2和PI-3)。利用NMR、FT-IR、DSC、TGA、偏光显微镜和预倾角测试仪对聚合物的结构、热性能以及制备的液晶盒的取向性进行了表征,同时测试了3种PI的溶解性能。结果表明,PI-2液晶取向膜的耐摩擦性能明显优于PI-1和PI-3,且具有更高的玻璃化转变温度(Tg)和分解温度(Td),更好的溶解性能。分子模拟(MS)表明,由于PI-2分子主链垂直构象的存在,增加了分子链的刚性,因而提高了取向膜的耐摩擦性能。     

基于轴向支撑超声波悬浮高速电机的研究

设计了一种轴向支承电机转子的超声波悬浮支撑结构。采用圆锥型轴承超声悬浮支撑结构,并对承载能力进行了分析和测试,获得了悬浮力与悬浮间隙间的关系,在振动过程中形成稳定的承载气膜;从理论上分析了在超声悬浮支承条件下,悬浮间隙变化对于电机转子临界转速与振动模态的影响情况,对转子最高转速与悬浮间隙的关系进行了实验研究。结果表明,通过减小悬浮间隙,能增强间隙气膜的刚度支承效果,并提高转子的最高转速。     

ICPCVD-SiN_x对GaN/AlGaN基紫外探测器的钝化效果的研究

采用ICPCVD-SiNx薄膜对GaN/A1GaN基紫外探测器进行钝化,从薄膜绝缘特性、钝化效果两方面,对ICPCVD-SiNx、磁控溅射-SiOx、PECVD-SiOx和PECVD-SiNx四种钝化膜进行对比.制作了钝化膜/GaN MIS器件,通过测试MIS器件漏电流密度和薄膜击穿电场的大小表征薄膜绝缘性能,结果表明ICPCVD-SiNx对应的MIS器件的漏电特性最好,外加偏压为100 V时,其漏电流密度保持在1×10-7 A/cm2以下,薄膜击穿电场大于3.3 MV/cm.采用不同钝化方法制作了p-i-n型AlGaN基紫外探测器,通过计算钝化前后器件暗电流的变化,表征不同钝化方法的钝化效果.结果表明ICPCVD-SiNx钝化的器件,其暗电流比其他钝化方法的器件小近两个数量级,在-5V偏压下暗电流密度为7.52 A/cm2.     

一种用于薄膜热容测量的微热量计的设计与制作

目前已发现并证实薄膜的热导率和热扩散率存在着尺寸效应。本文为了研究薄膜的另一个热学性质比热是否也具有尺寸效应,提出了一种用于薄膜热容测量的新方法,其相应的实验器件为一悬膜结构。从理论上阐述了其测量原理,结合ANSYS热学模拟设计并利用微机械加工技术制作出SiO2悬膜结构,悬膜由两个悬臂支撑,在悬膜上制作了Pt薄膜电阻同时用于加热和测温。这种结构加快了样品、悬膜和加热/测温电阻之间的热传递,减小了悬膜的热损失,提高了测量精度。     

高电容比射频/微波MEMS膜开关的理论分析和数值模拟

建立了一个MEMS膜开关电容比理论模型，由于这个模型比较全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因素对电容比的影响，因而能较为正确地反映开关的电容特性。用数值方法计算了影响开关电容比的因素，并对计算结果进行了分析和讨论。提出了使用脉冲电压作为偏置电压可以使介质膜gj的厚度减少到50nm，从而使开关的电容比增加到3800。最后，讨论了实现高电容比MEMS膜开关的可行性。     

磁光存储多层膜系统的光学与热分析方法

采用光学转移矩阵法计算激光照射下磁光存储多层膜的磁光及光学响应，光强分布及焦耳热损失分布，再用有限元方法求解在这种多层膜中的热传导方程，从而得到激光照射下多层膜系统中的温度场分布，这种方法可用于磁光光盘的光学与热学设计。     

0-3型(Ba1-x-ySrxPby)(Mn,Ti)O3铁电厚膜的制备与表征

铁电纳米超细粉体的合成与分散技术是成功制备0-3型铁电厚膜的关键和难点之一。采用Sol-Gel技术可制备呈球形软团聚、钙钛矿相结构完整的30nm～70nm MPBST超细粉体，以及致密无裂纹、表面光洁和铁电性能优良(Pr=3．8μC／cm^2)的0-3型铁电厚膜。通过TEM、XRD、TGA-DTA、AFM等手段分析了Sol-Gel工艺的化学机制和热演化历程，结果表明：采用以乙二醇乙醚为主要溶剂的Sol-Gel技术可降低MPBST粉体／厚膜的合成温度,提高粉体均匀性和晶相结构单一性。     

二氧化锡溅射工艺研究

SnO2 是最早使用也是目前使用最广泛的一种气敏材料 ,使用该材料设计制作的气敏传感器具有许多优点。在简要介绍溅射镀膜的成膜过程和特点的基础上 ,着重介绍了SnO2 膜的制备流程 ,分析了功率和温度变化对成膜质量的影响     

Measurement Method of the Thickness Uniformity for Polymer Films

Several methods for investigating the thickness uniformity of polymer thin films are presented as well their measurement principles.A comparison of these experimental methods is given.The cylindrical lightwave feflection method is found to can obtain the thickness distribution along a certain direction.It is simple and suitable method to evaluate the film thickness uniformity.