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81.
通过混有强线性调频干扰信号的数字调频信号进行解码的方案,应用蒙特卡罗法模拟仿真采估计该解码方法的误码率,并且进行了讨论分析.使用随机抽样统计来估算数学函教的计算方法,它需要一个良好的随机教源在数字通信中,对于一个混有强线性调频干扰信号的数字调频信号进行解码. 相似文献
82.
83.
运用自洽的蒙特卡罗方法模拟了肖特基接触的隧穿效应.模拟的内容包括具有不同的势垒高度的金属-半导体接触在正向和反向偏置下的工作状态.分析模拟结果可知,隧穿电流在反向偏置下起主要的作用.同时还模拟了引入肖特基效应后,SBD的工作特性,验证了模拟使用的物理模型.得到了与理论计算值符合的模拟结果.分析模拟结果表明,由于肖特基效应形成的金属-半导体接触势垒的降低,会在很大程度上影响金属-半导体接触的输运特性. 相似文献
84.
叶苗 《激光与光电子学进展》2014,51(6):61202-97
针对传统测量的透镜焦距数据误差大的问题,提出采用准蒙特卡罗算法进行分析。用液晶屏显示分化图形取代平行光管的玻罗板;通过最小二乘拟合法计算被测焦距;自适应准蒙特卡罗算法采样器对成像采样,采样器根据每个像素和它相邻像素的亮度差异产生不同数量样本,采样器没有自身的极限控制值,使用Hardy-Krause决定有界变差函数,通过多维勒贝格测度使准蒙特卡罗方法的误差由随机点列的星偏差决定。实验仿真显示液晶显示屏测量焦距比目视测量焦距的标准偏差小,准蒙特卡罗算法的均方根误差比蒙特卡罗算法的小。 相似文献
85.
机场跑道目标易损性分析是反跑道武器攻击机场跑道进行定性分析和定量计算的基础。文中通过对机场跑道目标的跟踪分析,完成机场跑道的目标特性分析。在此基础上,基于计算机仿真技术和蒙特卡罗方法,建立机场跑道目标易损性分析方法,包括跑道的数学模型、飞机的起降模式、子母弹散布的数学模型和遍历算法。基于分析方法完成易损性分析软件的编码,并给出了软件的应用示例。机场跑道易损性分析方法的建立为反机场跑道武器的设计与评估提供帮助。 相似文献
86.
有效的污染控制是影响微型机械制冷机长寿命运行的关键因素.本文首先分类阐述了机械制冷机内各污染源的产生,然后用直接模拟蒙特卡罗方法与传质扩散方程对制冷机内部管道污染气体的传输扩散进行仿真建模,最后分析了污染气体在蓄冷器的凝结吸附以及其它因素对制冷机性能的影响,并介绍了机械制冷机的污染控制技术以及寿命预测。 相似文献
87.
柑橘是我国总种植面积最大的水果,改进其品质筛选方法能够降低劳动成本并有效提升产业经济收益。本文利用蒙特卡罗法对柑橘的近红外光检测进行模拟仿真,根据柑橘三层结构建立了具有不同吸收系数、散射系数、折射率和各向异性因子的三层球形光学模型。同时,综合考虑光子入射轨迹、曲面边界对光子运动轨迹的影响以及收集的反馈信息,搭建了柑橘品质近红外检测的仿真系统,并设计了一种收发一体的多功能光纤探测器。结果表明,所设计的光纤探测器可以实现对果肉层光子的选择性探测,有效提高了柑橘内部品质信息的检测灵敏度。 相似文献
88.
采用热疗过程中组织物性动态变化的光热模型,数值模拟了分别采用漫射光纤加入头和裸光纤加入头时的激光诱导肿瘤间质热疗(LITT)中热损伤体积的变化,并对实际漫射光纤加入头下发光强度不均匀的影响进行了分析。数值计算结果表明,通常情况下漫射光纤加入头产生的热损伤体积远大于裸光纤时的热损伤体积;裸光纤加入头产生的热损伤区域关于光纤端部不是球对称的,漫射光纤加入头产生的热损伤区域近似呈椭球形;漫射光纤产生的热损伤体积对加入头发光强度的非均匀性不太敏感。可见激光光纤加入头形式和发光特性对激光诱导肿瘤间质热疗具有重要的影响。 相似文献
89.
为了研究光源面分布对激光针灸经穴组织的漫反射传输影响,利用激光针炙在穴位组织中虚拟点源的镜像点源分布函数、并引入格林响应函数,外推边界条件求解得到点光源的漫射方程解,由人体穴位4层介质组织的一系列虚拟点源的响应得到不同空间分布光源下人体穴位的激光针炙漫反射模型;采用蒙特卡罗方法模拟了圆平面、光纤及高斯分布的面光源激光针灸。结果表明,无光斑时3种光源的径向光能主要集中在近激光针灸点区域,径向距离大于0.135cm,3种光源卷积曲线重合,圆平面和高斯光源的轴向光能呈负指数衰减,光纤光源呈直线下降;存在光斑时面光源的漫反射与光斑面积成反比,等光斑面积下圆屏光斑比圆环光斑的组织漫反射大,光斑垂直投影处漫反射曲线存在明显畸变,投影外畸变与距离成反比,达到0.5个光斑半径距离时畸变基本消除。该结果可为穴位针灸的光源选取与针灸定位提供有益参考。 相似文献
90.
纳米级自开关二极管是一种通过破坏器件表面对称性来实现整流特性的纳米级新型晶体管.首先通过建立In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As纳米级自开关二极管的二维器件模型,采用蒙特卡罗方法,模拟了自开关器件的电子输运特性,根据该器件模型研究了在不同几何结构参数条件下的自开关器件的电学特性,并对影响器件电学特性的结构参数进行了仿真分析.结果表明,器件的Ⅰ-Ⅴ特性强烈地受到导电沟道宽度、沟槽宽度、沟道长度和表面态密度的影响,通过优化器件的结构参数可使器件获得更优越的整流特性. 相似文献