土壤中红外光谱库支持下的局部建模集优化

土壤中红外（MIR）光谱能快速、无污染、低成本地估算土壤有机碳等理化属性。随着各种尺度土壤光谱库的建立,使用其进行快速土壤分析引起广泛关注,但光谱库的通用模型在局部尺度上的预测效果不理想。开发“局部化”光谱建模方法是提高土壤光谱库性能的有效途径。本文提出了一种新的方法,通过光谱相似度计算和建模子集构建,旨在从库中快速建立最优局部建模集以提高预测精度。比较了欧氏、马氏、余弦三种距离算法衡量待测样本与库样本之间的相似度并生成距离矩阵;使用连续统去除法从距离矩阵中提取库容曲线中的特征点。利用偏最小二乘回归建立土壤MIR光谱与有机碳含量间的定量关系。结果表明,三种距离算法结合连续统去除得到的第一特征点均可得到较佳的预测精度。马氏距离不仅模型精度最高（R² = 0.764,RMSE = 1.021%）而且用到的库样本数最少（14%库容）。本方法可改善MIR光谱分析的成本效率并能提高局部尺度的预测能力。     

盐酸胍在阻挡层化学机械抛光中对速率选择性及表面形貌的影响

We propose an alkaline barrier slurry containing guanidine hydrochloride（GH） and hydrogen peroxide.The slurry does not contain any corrosion inhibitors, such as benzotriazole（BTA）. 3-inch samples of tantalum copper and oxide were polished to observe the removal rate. The effect of GH on removal rate selectivity along withhydrogenperoxidewasinvestigatedbycomparingslurrycontainingGHandH2O2withslurrycontainingonly GH. Details about the tantalum polishing mechanism in an alkaline guanidine-based slurry and the electrochemical reactions are discussed. The results show that guanidine hydrochloride can increase the tantalum polishing rate and the selectivity of copper and barrier materials. The variation of the dishing and wire line resistance with the polishing time was measured. The dishing value after a 300 mm pattern wafer polishing suggests that the slurry has an effective performance in topography modification. The result obtained from the copper wire line resistance test reveals that the wire line in the trench has a low copper loss.     

共轴双光束LIBS检测土壤中Pb的参数优化

为了提高共轴双光束激光诱导击率光谱(DB-LIBS)检测土壤中重金属元素的检测精度,对试验装置进行了参数优化。试验时,以土壤中重金属Pb为例,首先对双光束与单光束作用效果进行对比,单束激光脉冲工作能量均为120mJ,得到双光束作用下土壤中Pb的特征光谱强度明显比单光束作用下增强了2~3倍。然后,分别设置两束激光之间的脉冲延迟时间为0、50和100ns,在每个激光脉冲延迟时间下,设置光谱采集延迟时间从2.6~5.2μs以步长为0.2μs递增,分别对样品的光谱进行采集,获取Pb元素在405.78nm处的特征光谱信息。通过对特征光谱强度和信背比的综合比较,得到最佳的激光脉冲延迟时间为50ns、光谱采集延迟时间为4.6μs,在此条件下,光谱强度的相对标准偏差为0.10。由此表明,参数优化有利于提高共轴DB-LIBS装置的检测精度。     

新型碱性精抛液对300mm铜膜全局平坦化的影响

The copper removal rate and uniformity of two types copper slurries were investigated, which was performed on the 300 mm chemical mechanical planarization （CMP） platform. The experiment results illustrate that the removal rate of the two slurries is nearly the same. Slurry A is mainly composed ofa FA/OI1 type chelating agent and the uniformity reaches to 88.32%. While the uniformity of slurry B is 96.68%, which is mainly composed of a FA/OV type chelating agent. This phenomenon demonstrates that under the same process conditions, the uniformity of different slurries is vastly different. The CMP performance was evaluated in terms of the dishing and erosion values. In this paper, the relationship between the uniformity and the planarization was deeply analyzed, which is mainly based on the endpoint detection mechanism. The experiment results reveal that the slurry with good uniformity has low dishing and erosion. The slurry with bad uniformity, by contract, increases Cu dishing significantly and causes copper loss in the recessed region. Therefore, the following conclusions are drawn： slurry B can improve the wafer leveling efficiently and minimize the resistance and current density along the line, which is helpful to improve the device yield and product reliability. This investigation provides a guide to improve the uniformity and achieve the global and local planarization. It is very significant to meet the requirements for 22 nm technology nodes and control the dishing and erosion efficiently.     

全湿法、无灰化的全新去胶技术

在集成电路（IC）制造中，需要多次重复去除掩模用光刻胶这一步骤，因此清洁、高效地去胶工艺非常重要。90nm高性能逻辑器件的制造过程使用超过30次光刻工艺。从晶圆表面去除光刻胶的能力在很大程度是由光刻胶性质和工艺历史决定的。在离子注入工艺中，图形化的光刻胶起掩模的作用，特别难以清除。大剂量的离子注入（〉1×l014ions／cm^2）将光刻胶表面脱氢并高度交联，其性能很像非晶碳。改性光刻胶的厚度由注入剂量、注入能量和注入离子种类决定。     

基于等效积分的去除函数误差修正能力分析

针对计算机光学表面成形技术的去除理论中关于材料去除量及去除函数误差修正能力问题,基于等效去除积分法,对高斯型、三角形、梯形、脉冲随机复合型等多种不同形态的去除函数修正能力进行研究,通过频域分析去除函数的误差修正能力,获得调制参数与去除函数修正能力的关联曲线,建立基于等效去除积分法的去除函数截止修正能力评价模型,为去除函数误差修正的调制及去除函数修正能力评价提供依据,从而在大口径光学元件的超高精确度加工中,提高超光滑光学元件表面的质量。     

脑电信号中眼电伪迹自动去除方法的研究

 针对实际采集的脑电信号受眼电干扰较大,提出一种基于离散小波变换(DWT)与独立分量分析(ICA)的自动去除眼电伪迹的方法(DWICA).对采集的多导脑电和眼电信号进行离散小波变换,获取多尺度小波系数,将串接小波系数作为ICA的输入;利用基于负熵判据的FastICA算法实现独立成分的快速获取,引入夹角余弦准则自动识别眼迹成分,并经过ICA逆变换将剔除眼迹后的独立成分投影返回到原脑电信号各个电极;通过DWT逆变换重构信号,即可得到去除眼迹的各导脑电信号.实验结果表明,DWICA方法极大地提高了脑电信号的信噪比,抗噪能力强且实时性好,为脑电信号的在线预处理提供了新思路.     

重庆万盛采矿区内主要农作物的光谱测量和分析

矿山开采中产生的固体废弃物和废液会使矿区土壤中富集重金属元素,进而影响矿区内的农作物生长。选择重庆市万盛区矿区作为研究区,采集红薯和南瓜的实测高光谱数据和土壤样本的重金属含量数据。通过对土壤重金属含量和农作物的红边位置偏移进行相关分析,发现不同土壤重金属含量对研究区内主要农作物的影响是不同的。可以看出,在研究区内的两种主要农作物中,红薯对矿区土壤中的重金属Cr、Mn和Cd比较敏感,而南瓜则对以上三种土壤重金属具有一定的吸收和抵抗作用。该结果可以为万盛区矿区内农作物种植的选择提供理论依据。     

基于颜色空间转换的运动目标检测与阴影去除

针对室内视频监控中运动目标检测常出现的阴影误检,提出了一种基于颜色空间转换的自适应背景建模和阴影消除算法.在RGB空间采用自适应背景差对视频图像进行前景背景分离,并将检测出的前景目标锁定在活动轮廓矩形框内进行目标跟踪,对于误检的虚假目标(即阴影),利用其亮度等信息,在HSV空间去除.经实验验证,该算法对阴影的去除有良好的效果,能准确检测出真实目标.     

W-Mo合金表面超精密加工的CMP技术研究

阐述了金属化学机械抛光的机理。将半导体制造工艺中的nm级平坦化技术、化学机械抛光技术拓展并应用到W-Mo合金工艺中,在实现精密物理材料表面高平坦度、低粗糙度的前提下,提高W-Mo合金去除速率。采用碱性抛光液进行实验,确定了抛光液的成分;分析了W-Mo合金化学机械抛光中压力、流量、转速、pH值、活性剂等参数对W-Mo合金的影响。实验表明,实现W-Mo合金表面超精密抛光的最佳条件为:压力0.06MPa,流速160mL/min,转速60r/min,pH值10.1~10.3。