X7R弛豫复相铁电陶瓷的研究

以PZN-BT(低温相)、PMN-PT(高温相)为起始组元,采用混合烧结法制备了具有X7R介电特性电子瓷料,其介电温谱在55~+125℃范围内相当平坦,室温相对介电常数高达3 877,并从离子的键型分析了影响介电温度稳定性的原因,初步探讨了提高介电温度稳定性的机制。     

PbZr0.52Ti0.48O3薄膜红外椭圆偏振光谱研究

用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上制备了PbZr0 .52 Ti0 .4 8O3(PZT)薄膜 .XRD结果表明经过退火后的PZT薄膜呈现多晶结构 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了λ为 2 .5～ 12 .6 μm范围内PZT薄膜的椭偏光谱 ,采用经典色散模型拟合获得PZT薄膜的红外光学常数 ,同时拟合得到未经处理的PZT薄膜和退火后PZT薄膜的厚度分别为 45 4.2nm和 45 0 .3nm .最后通过拟合计算得到结晶PZT薄膜的静态电荷值为 |q|=1.76 9± 0 .0 2 4.这说明在磁控溅射法制备的PZT薄膜中 ,电荷的转移是不完全的 .     

常压MOCVD制备MgO薄膜的研究

本文首次报道用常压金属有机化学气相沉积（ＡＰ－ＭＯＣＶＤ）在Ｓｉ（１００），ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）和Ｐｔ／Ｓｉ（１００）衬底上外延高质量的ＭｇＯ薄膜。研究了衬底温度与薄膜的取向性关系和ＭｇＯ薄膜的潮解特性。高纯ｍａｇｎｅｓｉｕｍａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ［ｂｉｓ（２，４－ｐｅｎｔａｎｅｔａｎｅ－ｄｉｏｎｏ）ｍａｇｎｅｓｉｕｍ］［Ｍｇ（ＣＨ２ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）２］作为金属有机源，扫描电镜（ＳＥＭ），透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ－ＲＡＹ衍射实验显示，在较低的衬底温度（～４８０℃）下一次淀积成单晶膜。薄膜均匀，致密，结晶性和取向性很好，衬底温度（Ｔｓ）在４００℃到６８０℃之间，在Ｓｉ（１００）衬底上生长的ＭｇＯ薄膜都具有［１００］取向，在Ｓｉ（１００）、ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）和Ｐｔ／Ｓｉ（１００）衬底上生长的ＭｇＯ薄膜也都具有［１００］取向。     

衬底对PZT铁电薄膜显微结构的影响

利用ＸＲＤ和ＳＥＭ观察了在不同衬底材料上用Ｓｏ１－Ｇｅｌ法制备的ＰＺＴ铁电陶瓷薄膜的显微结构。发现ＰＺＴ薄膜的结晶性能受衬底材料的影响极大。ＰＺＴ薄膜在金属铂片上能够很好地结晶，而在单晶硅片上则很难结晶，其在镀铂硅片上的结晶难易程度介于金属铂片与单晶硅片之间。在衬底上制备ＰＴ过渡层可以促进ＰＺＴ薄膜的结晶。     

严格工艺 减少球铁曲轴裂纹缺陷

<正> 泰兴县农机厂是生产S195柴油机曲轴和492汽车曲轴的专业厂家,生产球铁曲轴已有十多年历史,铁水年熔化量2200多吨,使用3T/h大双热风冲天炉,机器造型。1990年下半年,发现曲轴轴颈在中频淬火后出现微裂纹。严重时,S195曲轴废品达20％以上,492曲轴废品达80％以上,而且基本都在相同的位置上(见下图)。这种裂纹,肉眼看不到,要在磁力探伤机上才能发现。工厂曾采取了多种措施,未能消除,又专门到无锡某研究所取样进行显微分析,结论是存在二次夹渣。     

二次氮化法制备γ‘—Fe4N超细粉末

以ＦｅＣｌ２．ｎＨ２Ｏ和ＮＨ３为原料，采用一步气相合成法制备了Ｆｅ／Ｎ超细粉末，并研究了二次氮化法制备化铁超细粉末的工艺技术，通过比较实验，证实二次氮化法能够制备单相的γ－Ｆｅ４Ｎ粉末。利用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＸＰＳ和ＶＳＭ实验手段对Ｆｅ／Ｎ和γ’－Ｆｅ４Ｎ粉末的晶态、物相、形貌、成分、粒度和磁性进行了初步表征。     

添加碳基铁粉改善材料的综合机械性能

本文通过多种粉末混合中添加羰基铁粉来改善和提高粉末制品的综合机械性能。