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71.
X7R弛豫复相铁电陶瓷的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以PZN-BT(低温相)、PMN-PT(高温相)为起始组元,采用混合烧结法制备了具有X7R介电特性电子瓷料,其介电温谱在55~+125℃范围内相当平坦,室温相对介电常数高达3 877,并从离子的键型分析了影响介电温度稳定性的原因,初步探讨了提高介电温度稳定性的机制。 相似文献
72.
用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上制备了PbZr0 .52 Ti0 .4 8O3(PZT)薄膜 .XRD结果表明经过退火后的PZT薄膜呈现多晶结构 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了λ为 2 .5~ 12 .6 μm范围内PZT薄膜的椭偏光谱 ,采用经典色散模型拟合获得PZT薄膜的红外光学常数 ,同时拟合得到未经处理的PZT薄膜和退火后PZT薄膜的厚度分别为 45 4.2nm和 45 0 .3nm .最后通过拟合计算得到结晶PZT薄膜的静态电荷值为 |q|=1.76 9± 0 .0 2 4.这说明在磁控溅射法制备的PZT薄膜中 ,电荷的转移是不完全的 . 相似文献
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75.
常压MOCVD制备MgO薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文首次报道用常压金属有机化学气相沉积(AP-MOCVD)在Si(100),SiO2/Si(100)和Pt/Si(100)衬底上外延高质量的MgO薄膜。研究了衬底温度与薄膜的取向性关系和MgO薄膜的潮解特性。高纯magnesiumacetylacetonate[bis(2,4-pentanetane-diono)magnesium][Mg(CH2COCH2COCH3)2]作为金属有机源,扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM)和X-RAY衍射实验显示,在较低的衬底温度(~480℃)下一次淀积成单晶膜。薄膜均匀,致密,结晶性和取向性很好,衬底温度(Ts)在400℃到680℃之间,在Si(100)衬底上生长的MgO薄膜都具有[100]取向,在Si(100)、SiO2/Si(100)和Pt/Si(100)衬底上生长的MgO薄膜也都具有[100]取向。 相似文献
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<正> 泰兴县农机厂是生产S195柴油机曲轴和492汽车曲轴的专业厂家,生产球铁曲轴已有十多年历史,铁水年熔化量2200多吨,使用3T/h大双热风冲天炉,机器造型。1990年下半年,发现曲轴轴颈在中频淬火后出现微裂纹。严重时,S195曲轴废品达20%以上,492曲轴废品达80%以上,而且基本都在相同的位置上(见下图)。这种裂纹,肉眼看不到,要在磁力探伤机上才能发现。工厂曾采取了多种措施,未能消除,又专门到无锡某研究所取样进行显微分析,结论是存在二次夹渣。 相似文献
79.
二次氮化法制备γ‘—Fe4N超细粉末 总被引:2,自引:0,他引:2
以FeCl2.nH2O和NH3为原料,采用一步气相合成法制备了Fe/N超细粉末,并研究了二次氮化法制备化铁超细粉末的工艺技术,通过比较实验,证实二次氮化法能够制备单相的γ-Fe4N粉末。利用XRD、TEM、XPS和VSM实验手段对Fe/N和γ’-Fe4N粉末的晶态、物相、形貌、成分、粒度和磁性进行了初步表征。 相似文献
80.