耐恶劣环境直埋光缆

产品特点可容纳2 96芯光纤具有承受较大的抗拉和抗压性能,重量轻。采用不锈钢管单元设计,具有良好的耐高温差性能。铝包钢丝铠装,具有良好的耐腐蚀性能。结构示意图应用范围架空用光缆,具有很好的防弹效果。技术参数     

浅谈涵洞附属工程施工技术

涵洞附属工程是公路工程中的小型构造物,虽然在总造价中仅占很小比例,但涵洞施工质量的好坏,直接影响到公路工程的整体质量及其使用性能,本文对桥涵的附属工程包括防水层、沉降缝、涵洞缺口填土施工进行了详细的阐述,以供有关施工人员参考。     

青岛市体育中心游泳跳水馆防水技术

介绍了青岛市体育中心游泳跳水馆的防水设计方案和施工工艺.从工程质量来看,所采用的美国雷帝(LATICRETE)防水系统效果优异,达到了预期的要求.     

DFIG风电机组协同SVG抑制电网低频振荡方法

随着风电渗透率的日益增加,电力系统阻尼不足时易发生低频振荡,双馈风电机组（DFIG）可解耦控制有无功和无功输出,有利于增强系统阻尼。提出一种DFIG协同静止无功发生器（SVG）并网的方法,采用附加阻尼的控制策略,接入控制系统的功率控制节点,改变参考装置的有功和无功参考电流,实现装置动态输出功率,抵消功率增量,对系统中产生的功率振荡进行抑制。搭建DFIG协同SVG并网的4机2区域系统的控制系统模型,添加附加阻尼控制信号,控制DFIG输出的有功功率和SVG输出的无功功率,改变系统的特征根,并基于Prony方法分析振荡信号各模态。结果表明：该方法能够有效提供正阻尼,抑制系统低频振荡,加速振荡波形平息,提高电力系统的小干扰稳定性。     

半导体产业必将重新再起

正有人问我,半导体产业是否哪里出了问题,不然像是SiliconBlue、PicoChip等看来不错、又拥有优秀技术的公司,为何会以低于数年来所获得的风险投资还低的金额贱价出售?我并不认为半导体产业有任何基本上的错误,该产业目前只是进入一个市场与技术、还有投资者期待的重整阶段,在摩尔定律(Moore's Law)走下坡、即将到达终点的状态下试图转型。     

S波段GaAs高效率线性内匹配HFET研制

介绍了一种基于GaAs HFET结构的S波段内匹配器件的设计方法。由于大栅宽器件模型难以准确确定,提取了具有相似结构的小栅宽器件模型。在ADS设计环境中,利用Load-Pull算法推算出大栅宽器件的管芯阻抗。器件采用两个栅宽为16mm的管芯进行功率合成。对于匹配电路的设计,首先通过一级LC低通滤波网络进行阻抗变换,将每个管芯的阻抗提升到10Ω左右,再通过Wilkinson功分器将阻抗变换到50Ω。电容和功分器采用瓷片加工,电感则通过金丝实现。研制成功的内匹配功率管,其工作频率为2.2～2.5GHz,输出功率P1dB大于20W,功率增益G1dB大于14dB,功率附加效率大于48%。     

机载光电吊舱热特性分析

机载光电吊舱的热特性包括附加热载荷和结构传热热载荷两个方面。在一个飞行架次内,对各个分系统产生的热量分析计算,进而获得附加热载荷。在一定假设条件下,对结构传热热载荷进行了分析计算。最后,提出一种物理仿真的方法,用于验证结构传热热载荷的分析是否符合实际情况。     

串联偏置迭堆式毫米波功率放大器的设计

设计了一种串联迭堆式偏置供电的毫米波功率放大器,其漏极供电电压高达+24V。该功率放大器共包含4个单芯片功率放大模块,每个模块承受+6V左右漏极电压。功率合成网络采用一分四的E面波导功分器,模块与功分网络间相互绝缘连接。该功率放大器最终实现的性能指标是:在直流偏置点(+24V,4.2A)条件下,功率放大器在频段26～30GHz内其连续波饱和输出功率大于42.1dBm,功率附加效率大于11.0%。提出了一种毫米波发射机功率输出部分新的构架形式,在模块级别对功率放大器串联馈电进行了首次尝试。     

智能网络磁盘(IND)接口设计与实现

NAS设备采用集中式存储管理结构，具有诸多的优点，但存在服务器的瓶颈隐患和单点故障问题。针对上述问题．文章提出了一种基于智能网络磁盘（IND）的存储架构，并具体阐述了IND接口的硬件和软件模型。对系统性能的测试表明．负载比较均衡地分配到了各IND，系统中的网络资源和存储资源得到了较充分的利用。