青岛软控公司简讯

1．获得税收优惠2009年12月31日,国家发展和改革委员会、工业和信息化部、商务部、国家税务总局联合下发《关于发布2009年度国家规划布局内重点软件企业名单的通知》（发改高技[2009]3357号）文件,青岛高校软控股份有限公司被认定为“2009年度国家规划布局内重点软件企业”。     

EMS系统人机会话功能中一体化技术的应用

从系统的角度论述了在电力调度自动化系统MMI模块中图库一体化、显示平台一体化、调度集控一体化等技术的发展和应用。     

微流控芯片技术的现状与发展

简要叙述微流控芯片的定义及应用,介绍几种制作微流控芯片的方法,分析微流控芯片成型中的关键技术,如:压力、温度、时间等.综合国内外发展,结合当前微流控芯片的现状,提出微流控芯片在一些方面的尝试和探讨.     

川东北普光气田试气投产井控技术

普光气田井控工作是关系到普光气田开发成败的关键,通过井控装置的设计及应用、屏蔽暂堵技术、气测录井监护、EE级地面测试流程等技术的成功应用,使普光气田30多口气井安全投产,确保了普光气田开发成功,攻克了高含硫气田试气投产井控这一世界性难题。     

第三代压水堆核电站核岛一回路主管道的选材

根据压水堆核电站核岛一回路主管道的服役环境,结合影响主管道服役质量的因素和第三代核电主管道对材料工艺性能的要求,分析了超低碳控氮奥氏体不锈钢(316LN和X2Cr Ni Mo18.12)作为第三代压水堆核电站主管道用材的优缺点,为第三代压水堆核电站核岛一回路主管道的设计、制造、安装、在役检查和寿命评估提供参考。     

TMCP技术在Q345B低合金化生产中的应用

采用TMCP控轧控冷技术,用普碳钢成分生产出了Q345B高强度热轧带钢。生产中通过调整中间坯厚度与成品厚度之比,同时控制终轧温度和卷取温度,将铁素体晶粒细化和珠光体相变强化相结合,得到了高强高韧性热轧钢板。钢板冷成型性和焊接性良好,实现了Q345B的合金减量化生产。     

基于ANSYS Workbench及Moldflow的精密注射模镶块变形分析

通过Moldflow模拟注射成型过程,并将分析结果导入有限元分析软件中,定量分析微流控芯片注射模镶块变形量,并结合注射成型试验进行验证。结果表明,芯片厚度不一致是由镶块微变形造成的,在微流控芯片注射成型过程中,模具镶块产生的微变形与最终制品厚度差均在30μm左右,两者变化趋势基本一致。     

中国空间技术研究院制备的导电强化镀镍层成功用于嫦娥三号

正嫦娥三号除了对其电子产品结构有整体防腐性能的要求外,还要求"外表面"具备热控功能,以调节机箱内部温度;"内表面"具备导电功能,以满足电子产品等电位的要求。对"活泼"的镁合金进行防腐处理已经是一道技术难关了,更何况还要求"内外有别"。面对这一技术难题,中国空间技术研究院这支平均年龄只有26岁的攻关团队感受到了前所未有的压力。他们通过对镁合金电子产品机箱技术要求进行拆解,逐渐摸索到了解决问题的途径:要实现镁合金机箱"外表面"热控,"内表面"导电以及整体防腐的功能,必须通过复合膜镀层制备技术实现。研制方向确立后,团队成员进行了分工,从防腐、热控膜层的制备和防腐、导电镀层的制备两个方向进行攻关。     

高紫外反射ZnO/SiO2复合粉体制备及其热控涂层性能研究

目的 以ZnO/SiO2复合粉体为填料,开展新型热控涂层制备方法研究,提高传统白色热控涂层的紫外反射率, 研制出具有太阳全光谱高反射性能的热控涂层。方法 以硫酸锌和硅酸钠为原料,采用常温化学合成与高温热处理相结合的方法制备ZnO/SiO2复合粉体,通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜及紫外可见分光光度计等仪器,对复合粉体的微观结构及光学性能进行表征。然后以ZnO/SiO2复合粉体为填料,以无机硅酸钾为粘结剂,制备了ZnO/SiO2热控涂料,通过不同颜基比和厚度的优化,得到了太阳全光谱(200~ 2600 nm)高反射白色热控涂层的制备方法。结果 研制的ZnO/SiO2复合粉体在紫外波段的反射率均大于88%,与传统ZnO粉体相比具有明显提升。当以无机硅酸钾为粘结剂、颜基比为2:1、喷涂厚度为100~140 μm时,所制备涂层在太阳全光谱呈现高反射特性,此时涂层的太阳吸收比为0.12,红外发射率为0.92。结论 ZnO/SiO2热控涂层具有优异的热控性能,与传统白色热控涂层相比具有更低的吸收比,同时在太阳全光谱具有高反射特性,可以满足新一代大功率卫星长寿命和高效散热的技术需求。     

PMMA微流控芯片高效键合工艺研究

利用有限元软件对聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微流控芯片键合过程进行仿真分析,而后以缩短键合时间为目的,针对键合温度、键合压力进行了相应的实验研究。结果表明,当键合温度低于聚合物材料的玻璃化转变温度时,芯片易产生未键合区域,当键合温度高于玻璃化转变温度时,微通道随温度的升高发生严重变形,最佳键合温度值应在材料玻璃化转变温度附近进行选取;键合温度105℃,键合压力1.0 MPa时,可在5 min的键合时间内得到微通道变形较小且完全键合的微流控芯片,满足模内键合的需求,大大缩短了芯片的制造周期。