凹槽栅场板结构的AlGaN/GaN HEMT特性分析

研究了无场调制板结构、有场调制板结构但无凹槽栅、结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaN HEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工艺可以有效改善AlGaN/GaN HEMT器件沟道内电场分布,显著减小电流崩塌现象,提高器件的微波输出功率特性.利用此技术研制的1mm栅宽AlGaN/GaNHEMT输出功率大于10W.     

高机动雷达T型方舱和机柜滑架的设计考虑

介绍为高机动雷达研制的T型方舱的结构设计特点,以及方舱内机柜滑架的应用情况。T型方舱是一种承栽／自重比较高的小型、非标准大板方舱,是为适应高机动雷达总体结构的高度集成而研制的专用方舱;安装于T型方舱内的机柜滑架,可将2个装有雷达主设备的综合设备机柜整体连动滑出进行维修,其应用使空间受制约的T型方舱也具有良好的维修性和操作使用的舒适性。     

三防和固封以及混装PCB返修技术

分析了三防漆敷形涂覆和胶粘剂粘固对印制板组装件返修的影响;分析了混装工艺对印制板组件返修的影响;介绍了BGA封装器件返修的一般方法;给出了使用暗红外返修台拆卸元器件时印制板组件的热分布状况;结合实际工作,介绍了采用混装工艺装联并进行了三防固封的航天产品无铅BGA返修的具体实施方法.     

高阻计电阻校准结果的测量不确定度评定

高阻计是一种直读式的用来测试高值电阻的仪器,在科研和工厂等领域被广泛使用。该文以SM-8220型高阻计为例对其电阻校准进行了测量不确定度的分析与评定。参考高阻计的工作特性,在测试过程中,应尽量减小外界干扰,确保测试结果准确可靠。     

大数据环境下Hadoop分布式系统的研究与设计

随着互联网应用的飞速发展和信息的社会化数据呈爆发式的增长,传统的关系数据库在处理分析如此海量的数据时出现性能和可扩展·陆的瓶颈,通过介绍目前大数据时代面临的挑战,分析了大数据对IT系统的挑战以及针对大数据业务特点的应对策略。目前犬数据技术目前还没形成统一标准,但业界已经广泛使用Hadoop分布式系统作为其大数据处理平台,对大数据环境下Hadoop分布式系统进行了详尽的研究与设计,包括分布式文件系统、并行计算模型、分布式数据库、分布式锁服务等各个功能模块,大数据环境下的Hadoop分布式系统将更有效支撑未来电信运营商业务的发展。     

基于可见光-近红外新光谱特征和最优组合原理的大麦叶片氮含量监测

提出新的作物冠层叶片氮含量(LNC)高光谱遥感监测方法,以对氮素要求较高的大麦LNC监测为例,利用田间实测数据,从可见光－近红外区域的高光谱反射曲线中提取包含丰富多波段信息的斜率、夹角等新型特征参数,应用组合预测领域中的权重最优组合原理及其算法,实现对作物LNC的高光谱监测.研究表明,提出的高光谱反射曲线斜率和夹角等新型特征参数与作物LNC显著相关,并具有较好的定量响应关系,其中关键斜率参数(Kre/Kpb)和Kpb以及夹角参数(Aδ/Aα)和(Aδ/Aθ)较好地描述了LNC的动态变化; 而权重最优组合分析则表明(Kre/Kpb)和Knir1两个参数的组合最能响应LNC的光谱信息,有助于增强监测的稳定性并提高估测的精度.     

一种新型的超宽带锥削缝隙天线设计

提出了一种微带线-槽线馈电形式的指数锥削缝隙天线,在辐射臂的外边缘引入半椭圆形缝隙来进一步提高天线低频段的定向性,获得了高增益和超宽带性能。利用HFSS12软件进行仿真,天线的极化方式为垂直极化,在2~13 GHz的工作频段内电压驻波比＜2,增益最高达11 dB,具备良好的定向性,仿真与实测结果基本吻合,表明该设计是有效、可行的。     

应用于快速响应热释电探测器的抗高过载前放组件

热释电探测器由于具有结构简单、性价比高等优点而备受青睐.就热释电探测器/前放组件在实际工作中需要较快的响应速度,从热释电探测器及前置放大器的设计着手考虑,成功研制出高灵敏度的快速响应热释电探测器/前放组件;针对热释电探测器-前置放大器组件使用时需要承受高过载冲击及剧烈振动,在几项关键工艺中采取了一系列措施.最后,给出了热释电探测器/前放组件的测试结果和环境试验结果,表明达到抗高过载、快速响应的要求.     

高吞吐率流水线结构的ZUC-256流密码硬件设计

ZUC-256是为提供5G应用环境256 bit安全性而设计的流密码算法,数据处理速率是其核心性能之一,为此本文提出一种具有高吞吐率特性的硬件设计方案.该方案采用流水线拆分关键路径初步提升系统工作频率,并提出一种完成模（231-1）加算法的优化电路进一步缩短关键路径延迟,该模加结构相较于现有结构缩短了42%的逻辑延迟,能够显著提升系统工作频率和吞吐率.本研究分别采用Xilinx公司的Virtex-5器件、Alter公司的DE2-115器件和TSMC 90 nm工艺实现了该流密码硬件结构.实验测试结果表明,采用TSMC 90 nm工艺实现的ASIC系统工作频率最高达到1200 MHz,吞吐率可达38.4 Gbps,比现有研究成果提升71%.     

SiC基IGBT高铅焊料芯片固晶层的热冲击失效机理

目前大功率SiC IGBT器件常用高熔点的高铅焊料作为固晶材料,为保证功率器件的长期使用,需研究温度冲击条件下高铅焊点的疲劳可靠性,并探究其失效机理。采用Pb92.5Sn5Ag2.5作为SiC芯片和基板的固晶材料,探究温度冲击对固晶结构中互连层疲劳失效的影响。结果表明,温度冲击会促进焊料与SiC芯片背面的Ti/Ni Ag镀层反应生成的块状Ag₃Sn从芯片/焊料层界面往焊料基体内部扩散,而焊料与Cu界面反应生成的扇贝状Cu₃Sn后形成的富Pb层阻止了Cu和Sn的扩散反应,Cu₃Sn没有继续生长。750次温度冲击后,焊料中的Ag与Sn发生反应生成Ag₃Sn网络导致焊点偏析,性质由韧变脆,焊点剪切强度从29.45 MPa降低到22.51 MPa。温度冲击模拟结果表明,芯片/焊料界面边角处集中的塑性应变能和不规则块状Ag₃Sn导致此处易开裂。