A copper/polyimide Metal-base packaging technology

A unique substrate MCPM (Mitsubishi Copper Polyimide Metal-base) technology has been developed by applying our basic copper/polyimide technology.¹ This new substrate technology MCPM is suited for a high-density, multi-layer, multi-chip, high-power module/package, such as used for a computer. The new MCPM was processed using a copper metal base (110 × 110 mm), full copper system (all layers) with 50-μm fine lines. As for pad metallizations for the IC assembly, we evaluated both Ni/Au for chip and wire ICs and solder for TAB ICs. The total number of assembled ICs is 25. To improve the thermal dispersion, copper thermal vias are simultaneously formed by electro-plating. This thermal via is located between the IC chip and copper metal base, and promotes heat dispersion. We employed one large thermal via (4.5 mm^?) and four small vias (1.0 mm^?) for each IC pad. The effect of thermal vias and/or base metal is simulated by a computer analysis and compared with an alumina base substrate. The results show that the thermal vias are effective at lowering the temperature difference between the IC and base substrate, and also lowering the temperature rise of the IC chip. We also evaluated the substrate’s reliability by adhesion test, pressure cooker test, etc.     

基于2,4-二羟基苯甲酸铜(Ⅱ)为载体的硫氰酸根电极的电位响应

制备了基于一种简单的金属铜配合物2,4-二羟基苯甲酸铜(Ⅱ)(Cu(Ⅱ)DHBA)为载体的PVC膜硫氰酸根离子(SCN-)选择性电极。该电极在1.0×10-1～1.0×10-6mol/LSCN-浓度范围内呈现斜率为-59.5mV/dec的近Nernst电位响应,检测下限为9.1×10-7mol/L。利用紫外可见光谱及交流阻抗技术初步探讨了电极对SCN-呈现的选择性电位响应机理。该电极作为直接电位分析法的指示电极,成功运用于实验室废水中硫氰酸盐含量的测定。     

Cu—Cr合金电极触头板铸件的熔制

含０．４％～１．０％Ｃｒ的Ｃｕ－Ｃｒ合金具有优良的导电、导热性能，铸件经热处理强化后可获得较高的综合力学性能。近年来该合金作为一种新材料被广泛地用于制作电子工业、电器设备上的电极触头板、接触环、夹持体等零件。Ｃｕ－Ｃｒ合金存在易氧化吸气、凝固范围窄、收缩较大、易形成集中缩孔等缺陷，这些铸造特性给生产优良的Ｃｕ－Ｃｒ合金铸件带来一定的困难。以采用常规的熔炼设备和造型材料熔铸出Ｃｕ－Ｃｒ合金铸件——高压大电流电极触头板为例讨论这一熔铸的工艺方法。     

Study on diffusion welding SiCp/ZL101 with Cu interlayer

Through the vacuum diffusion welding SiCp/ZL101 aluminum with Cu interlayer,the effect of welding parame-ter and the thickness of Cu on the welded joint property was investigated,and the optimal welding parameters were putforward at the same time.The microstructure of joint was analyzed by means of optical-microscope,scanning electron mi-croscope in order to study the relationship between the macro-properties of joint and the microstructure.The results showthat diffusion welding with Cu interlayer could be used for welding aluminum matrix composites SiCp/ZL101 successfully.     

CYCLIC DEFORMATION BEHAVIOUR OF Cu SINGLE CRYSTALS ORIENTED FORDOUBLE SLIP Ⅱ. Persistent Slip Bands and Deformation Bands

用光学显微镜和扫描电镜研究了双滑移取向（［０３４］，［１１７］）Ｃｕ单晶循环饱和后的表面形貌，塑性分切应变幅（γｐｌ）低于１０~（－３）时，［０３４］晶体表面上要为主滑移系的驻留滑移带（ＰＳＢｓ）占据，次滑移只在边缘区域启动，其ＰＳＢｓ细窄（＜１μｍ），体积百分数在１％以下．γｐｌ＞１０~（－３）时，次滑移开始在试样的中部启动，同时，表面出现二种贯穿晶体的宏观形变带（ＤＢＩ，ＤＢＩＩ），滑移带在形变带内集中．［１１７］晶体在γｐｌ＝４．４×１０~（－４）时，双滑移现象已十分明显．γｐｌ＞１０~（－３）时，表面也形成与前者相似的形变带．ＤＢＩ的惯习面与主滑移面平行（［０３４］晶体）或接近（［１１７］晶体），ＤＢＩＩ的惯习面则与前者垂直，文章讨论了形变带形成的可能原因．     

空冷淬火Cu-Zn-Al合金马氏体结构及稳定化现象

利用Ｘ射线衍射强度分析、透射电镜观察、相变点测量等方法研究了空冷淬火态Ｃｕ１８Ｚｎ１４Ａｌ合金马氏体结构及其稳定化现象。认为该合金空冷淬火可获得长程有序完全的Ｍ１８Ｒ马氏体，其有序组态为Ａｌ原子与Ｃｕ原子、Ｚｎ原子与Ｃｕ原子两种近邻（ｎｎ）有序（Ｋ＝偶，Ｈ＋Ｋ／２＝奇），以及产生Ｋ＝奇的衍射中Ａｌ原子与Ｚｎ原子次近邻（ｎｎｎ）有序。其基面原子分布为：Ⅰ—１４２５Ａｌ＋１１２５Ｃｕ、Ⅱ—Ｃｕ、Ⅲ—１８２５Ｚｎ＋７２５Ｃｕ。与此相对应，该合金相应为Ｈｅｕｓｌｅｒ结构。该合金在充分有序化的条件下仍存在马氏体稳定化。     

Ni2+、Cu2+、Zn2+对氧化亚铁硫杆菌氧化 活性影响

为研究金属离子对氧化亚铁硫杆菌（Acidithiobacillus ferrooxidans,At.f）氧化活性的影响,通过测定经初步驯化的At.f菌在不同初始pH下的生长活性,开展不同浓度梯度的Ni2+、Cu2+、Zn2+及三种金属离子共存时对At.f菌的氧化活性影响的试验。结果表明,当初始pH为1.8时,At.f菌生长活性最好,且低浓度的Ni2+、Zn2+对At.f菌氧化活性影响较小,对两种金属离子的耐受浓度均在20 g/L以上;而该细菌对Cu2+比较敏感,当Cu2+浓度为2.5 g/L时,菌株的生长活性明显下降,特别是10 g/L时,对At.f菌的氧化能力有显著的抑制作用。三种金属离子同时存在时对At.f菌氧化活性的影响大于单一金属离子,当三种金属离子的浓度均为2.5 g/L时,在48小时内对At.f菌的氧化能力有显著的抑制作用,当三种金属离子的浓度均为5 g/L时,80小时时菌株对Fe2+的氧化率极低,说明At.f菌需要经过多种金属离子共存驯化培养后才能更好地运用于多金属复杂矿物的处理。     

双滑移取向Cu单晶的循环形变行为──Ⅱ．滑移带和形变带SCIEI

用光学显微镜和扫描电镜研究了双滑移取向（［０３４］，［１１７］）Ｃｕ单晶循环饱和后的表面形貌，塑性分切应变幅（γｐｌ）低于１０^（－３）时，［０３４］晶体表面上要为主滑移系的驻留滑移带（ＰＳＢｓ）占据，次滑移只在边缘区域启动，其ＰＳＢｓ细窄（＜１μｍ），体积百分数在１％以下．γｐｌ＞１０^（－３）时，次滑移开始在试样的中部启动，同时，表面出现二种贯穿晶体的宏观形变带（ＤＢＩ，ＤＢＩＩ），滑移带在形变带内集中．［１１７］晶体在γｐｌ＝４．４×１０^（－４）时，双滑移现象已十分明显．γｐｌ＞１０^（－３）时，表面也形成与前者相似的形变带．ＤＢＩ的惯习面与主滑移面平行（［０３４］晶体）或接近（［１１７］晶体），ＤＢＩＩ的惯习面则与前者垂直，文章讨论了形变带形成的可能原因．     

水平电磁连铸空心铜管坯组织和性能研究

提出在中试水平的空心铜管坯水平连铸过程中施加工频电磁场,分析其对铜管坯组织和性能的影响.结果表明：与未施加电磁场时相比,施加电流强度为140A的工频电磁场后,水平连铸空心铜管坯的组织显著细化,平均晶粒度由未施加磁场时的3.1提高到8.3,周向组织均匀性也得到明显改善;抗拉强度提高40%左右,延伸率提高50%左右.     

贵金属Cu、Ag、Au的电子结构和物理性质

由纯金属单原子理论(OA)确定了面心立方结构(FCC)贵金属Cu、Ag、Au的电子结构依次为[Ar](3dn)5.58(3dc)4.21(4sc)0.23(4sf)0.98、[Kr](4dn)4.87(4dc)4.56(5sc)0.66(5sf)0.91、[Xe](5dn)4.20(5dc)4.90(6sc)1.57(6sf)0.33,并确定了Cu、Ag、Au的密排六方结构(HCP)和体心立方结构(BCC)两种初态特征晶体和初态液体的电子结构。根据自然态的电子结构定性解释了熔点、拉伸强度、维氏硬度、体弹性模量、电导和热导率物理性质差异与电子结构的关系,定量计算了晶格常数、结合能、势能曲线及线热膨胀系数随温度的变化。根据非自然态的电子结构,定性解释了晶体结构BCC和HCP的关系。