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国外离子注入机发展动态随着超大规模集成电路的迅速发展,为适应中00、0.5μm工艺的需求,国外出现了多种新型的中束流、大束流、高能离子注入机,现将其现状介绍如下:新型中束流离子注入机大多采用平行束扫描方式、束的平行度优于0.5度。200mm晶片内注入... 相似文献
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《电子世界》2004,(8):81-82
·新器件·三星电子推出8GB DDR DRAM模块三星电子近日推出业界最大容量的由72块1GB单片电路组成的8GB DDR DRAM模块。通过0.10微米工艺流程,新款DRAM模块在最大化密度容量的同时还满足了JEDEC的1.2英寸的高度标准。高密度模块是为高端服务器、工作站以及视频会议系统的实时数据处理、远距离医疗服务、交互式通讯、卫星通讯、综合性个人数据卡、三维制图等专业应用软件定做的。AMD-8000(tm)系列芯片组又添新成员日前,AMD公布了AMD-8000(tm)系列芯片组的最新成员AMD-8132(tm) HyperTransport(tm) PCI-X(r) 2.0 通道芯… 相似文献
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