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901.
本系统是基于数字通信原理、利用集成单芯片窄带超高频收发器构建的无线识别系统。阐述了该无线射频识别系统基本工作原理和硬件设计思路,并给出了程序设计方案的流程图。从低功耗、高效识别和实用角度设计适用于车载的射频识别标签。测试结果表明,本系统在复杂路面状况(繁忙路面)的条件下可实现300 m范围内有效识别,视距条件下可达到500m范围有效识别。 相似文献
902.
903.
904.
BBS玻璃掺杂对CLST陶瓷介电性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用传统陶瓷工艺制备了BaO-B2O3-SiO2(BBS)玻璃掺杂的CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(CLST)介质陶瓷,用X-射线衍射仪,扫描电镜及电感-电容-电阻测试仪等对其烧结特性、相结构及介电性能进行了系统研究.结果表明,BBS掺杂能显著降低CLST陶瓷的烧结温度,由1 300℃降至1 100℃.BBS掺杂量为7%(质量比),烧结温度为1 100℃时,CLST陶瓷具有较好的综合介电性能:介电常数εr=62,介电损耗tan δ=0.007,频率温度系数τf=0.82×10-6/℃. 相似文献
905.
Mn-doped ZnS nanobelts have been prepared through a thermal evaporation method at 1100℃. The synthesized nanobelts are characterized with X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), selected area electron diffraction (SAED), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), and photoluminescence (PL) spectroscopy. The results show that the nanobelts have an uniform single-crystal hexagonal wurtzite structure and grow along [0001 ] direction. Room-temperature photoluminescence reveals that the intrinsic PL of the nanobelts disappears and a new PL peak of the Mn-doped ZnS nanobelts emerges at 575 nm. 相似文献
906.
<正> 在各种智能仪器和控制系统的设计中,我们常常需要用键盘来输入参数或对程序的进程进行管理,因此键盘是实现人机对话的一种重要输入方式。键盘分为编码键盘和非编码键盘两类。前者是由硬件电路实现键盘编码,由硬件来识别键闭合、键释放,消除键抖动影响以及实现一些保护措施的方法,可以节约CPU的时间,Intel公司推出的芯片8279就可以实现编码键盘。但是这种系统需要外加芯片,增加了系统的设计成本。非编码键盘电路简单,有的还可以直接利用单片机的I/O口进行扩展,键闭合、键释放以及消除键抖动都用软件来实现,成本较低,因此是一种广泛应用的键盘。非编码键盘键的识别可以采用查询方式或中断方式,后者具有更好的实时性。本文介绍利用PIC16F877单片机PORTB端口的电平变化中断来实现非编码键盘的方法。 1.PORTB端口“电平变化中断”简介 PIC16F877单片机PORTB端口的四个引脚RB7~RB4上有电平变化时可以产生中断,但只有当I/O引脚设置为输入状态时才能发生中断(RB7~RB4的任何一个引脚被配置为输出,则被排除在电平变化比较引起的中断以外)。其功能的实 相似文献
907.
无线通信技术发展到今天,通信产品已经可以承载包括语音在内如数据、图像、动画以及多媒体等的其他业务,但语音通信仍然是最基本、最主要的通信方式。本文以MSP430F149单片机为控制核心,射频模块选用工作在2.4GHz频段的M-Power500,语音编解码芯片则选用CMX639来搭建一针对短距离通信的、全双工、低功耗的无线语音传输系统。经过测试,该系统在空旷的环境下,通信距离约200m,该设计实现了点对点无线对讲功能的预期目标。 相似文献
908.
研究了钒掺杂生长半绝缘6H-SiC的补偿机理.二次离子质谱分析结果表明,非故意掺杂生长的6H-SiC中,氮是主要的剩余浅施主杂质.通过较深的钒受主能级对氮施主的补偿作用,得到了具有半绝缘特性的SiC材料.借助电子顺磁共振和吸收光谱分析,发现SiC中同时存在中性钒(V4 )和受主态钒(V3 )的电荷态,表明掺入的部分杂质钒通过补偿浅施主杂质氮,形成受主态钒,这与二次离子质谱分析结果相吻合.通过对样品进行吸收光谱和低温光致发光测量,发现钒受主能级在6H-SiC中位于导带下0.62eV处. 相似文献
909.
910.