高频应用的NiZn铁氧体磁性能影响因素研究

讨论了Fe2O3、Co2O3、烧结温度对高频应用的NiZn铁氧体磁性能的影响,实验研究了Fe2O3、Co2O3和烧结温度对起始磁导率μi、饱和磁感应强度Bs、矫顽力Hc及样品密度d的影响规律.结果发现,当x(Fe2 O3)=45％～49％时,μi从11单调增加到17,材料的B.从176 mT单调增加到223 mT;当w(Co2O3)=0.4％～2.0％时,μi从20单调降低到11;烧结温度为1 040～1 120℃时,μi从12增加到19,Hc从1 543 A/m降低到926 A/m,d从4.97 g/cm3增加到了5.12 g/cm3.最后,得到性能较好的高频应用NiZn铁氧体Ni0.96 Zn0.04Fe1.88O4(添加w(Co2 O3)=0.8％,w(CuO)=3％,1 080℃下烧结),μ1=11,Bs=195 mT,Hc=1 238 A/m,d=4.82 g/cm3.     

梯度掺杂结构GaN光电阴极的激活工艺研究

利用自行研制的光电阴极多信息量测试评估系统,在线测试了梯度掺杂结构GaN光电阴极在激活过程中的光电流、Cs源电流和O源电流。根据激活后的阴极光谱响应曲线和量子产额曲线,分析了超高真空室真空度、激活前的阴极表面净化程度、激活中首次进Cs量、激活中的Cs/O比以及Cs/O源在激活中的供给方式等对阴极激活的影响,提出了梯度掺...     

美国F-22"猛禽"战斗机综合化航空电子系统概述

本文结合现代航空电子系统的发展情况,介绍了典型第四代战斗机-美国的F-22“猛禽”战斗机的技战术特点、综合化航空电子体系结构以及主要设备的功能和性能等,并提出了研究和发展建议。     

DSP TMS320F243的原理及应用

TMS320F243是美国TI公司推出的TMS320C2XX系列中的16位定点数字信号处理器。它具有高速、低功耗、易于开发等特点。文中介绍了TMS320F243的硬件结构、功能特点、仿真工具和开发环境 ,最后介绍了TMS320F243的应用。     

As在HgCdTe分子束外延中的表面粘附系数

报道了用二次离子质谱分析 (SIMS)方法对As在碲镉汞分子束外延中的掺入行为的研究结果 .发现As在CdTe、HgCdTe表面的粘附系数很低 ,并与Hg的介入密切相关 .对于单晶HgCdTe外延 ,在 170℃生长温度下As的粘附率相对于多晶室温淀积仅为 3× 10 -4,在此生长温度下 ,通过优化生长条件获得了表面形貌良好的外延材料 .通过控制As束源炉的温度可以很好地控制As在HgCdTe层中的原子浓度 .     

下一代网络和北电网络Succession解决方案综述

在多个标准化组织和论坛的积极推动下,对下一代网络技术的研究和开发已经取得了很大进展。目前普遍认同的下一代网络将利用分布式的体系结构,将语音和数据无缝地汇聚在一个网络中,业务与呼叫控制分离以及业务与承载分离,使业务真正独立于网络。目前厂商实现上述目标的方法都有所不同,但北电网络的Succession解决方案已得到业界的普遍认同,并在多个商业网络中得到应用,其成功经验值得借鉴。     

浪潮普通发票防伪税控系统整体解决方案介绍

浪潮集团有限公司是国内最早涉足信息产业的大型企业之一，在全国电子百强中排名第20位,是国家和山东省重点扶持的骨干企业。经过多年的艰苦创业和技术创新，浪潮已经发展成为拥有两家上市公司的IT高端产业集团，是INTERNET时代设备与方案的领先供应商，是首批40家国家级技术开发中心之一、国家高技术“863”成果转化基地、国家支持的5家计算机、全国18家微电子设计中心之一，通过了ISO9001国际质量体系认证及ISO14001国际环境体系认证。集团拥有国家级“企业博士后工作站”。根据国务院关于加快实施“金税工程”建设的精神，以及李…     

带有USB的DTU设计

为了实现采用GPRS(通用分组无线电业务)网进行远距离数据传输,采用Cygnal公司的带有USB(通用串行总线)接口的8051F320单片机和西门子公司的GPRS模块MC35研发出一款带有USB接口的DTU(数据终端单元),该款带有USB接口的DTU实现了远距离数据处理和手法数据的功能。文中提供了硬件和软件部分(底层固件和PC机前台软件)的设计方案。     

CdSe/ZnS量子点掺杂聚合物光纤放大器增益特性分析

提出了一种半导体量子点CdSe/ZnS掺杂聚合物光纤放大器。测量了CdSe/ZnS量子点吸收和发射光谱,采用二能级结构和速率方程的方法,全面描述了CdSe/ZnS量子点掺杂聚合物光纤放大器的增益性能。计算了放大器增益随量子点掺杂光纤长度、量子点掺杂浓度和信号光强度的变化,给出了不同泵浦光强条件下的增益谱线及半高全宽。结果表明,在mW量级的泵浦条件下,CdSe/ZnS量子点掺杂聚合物光纤放大器可获得35dB以上的增益,获得相同增益所需泵浦光强度只有同类型染料掺杂聚合物光纤放大器的万分之一。泵浦光强与量子点掺杂浓度之间存在最佳对应关系,单位泵浦功率激发的最佳量子点数为6.33×107/mW。在室温下,CdSe/ZnS量子点掺杂聚合物光纤放大器具有550nm～610nm的带宽,含盖了聚合物光纤的低损窗口。