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101.
102.
1-read/1-write (1R1W) register file (RF) is a popular memory configuration in modern feature rich SoCs requiring significant amount of embedded memory. A memory compiler is constructed using the 8T RF bitcell spanning a range of instances from 32 b to 72 Kb. An 8T low-leakage bitcell of 0.106 μm2 is used in a 14 nm FinFET technology with a 70 nm contacted gate pitch for high-density (HD) two-port (TP) RF memory compiler which achieves 5.66 Mb/mm2 array density for a 72 Kb array which is the highest reported density in 14 nm FinFET technology. The density improvement is achieved by using techniques such as leaf-cell optimization (eliminating transistors), better architectural planning, top level connectivity through leaf-cell abutment and minimizing the number of unique leaf-cells. These techniques are fully compatible with memory compiler usage over the required span. Leakage power is minimized by using power-switches without degrading the density mentioned above. Self-induced supply voltage collapse technique is applied for write and a four stack static keeper is used for read Vmin improvement. Fabricated test chips using 14 nm process have demonstrated 2.33 GHz performance at 1.1 V/25 °C operation. Overall Vmin of 550 mV is achieved with this design at 25 °C. The inbuilt power-switch improves leakage power by 12x in simulation. Approximately 8% die area of a leading 14 nm SoC in commercialization is occupied by these compiled RF instances.  相似文献   
103.
樊滨温  夏先林 《计算机应用》2006,26(Z2):310-311
介绍了免费的TCP/IP协议栈LWIP开发工具和环境,分析了如何实现LWIP的移植,并给出了一种嵌入式系统与网络互联的新思路。  相似文献   
104.
高浓度聚合物驱提高采收率方法实验研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
为探索一种新的提高原油采收率的方法,在外形尺寸为4.5 cm×4.5 cm×30 cm、气测渗透率0.9~1.0μm2、变异系数为0.72的二维纵向非均质人造岩心上,模拟大庆油田油藏流体性质及温度条件,研究了高浓度聚合物(HPAM)驱注入时机、聚合物相对分子质量、聚合物段塞体积及段塞组合对驱油效果的影响。通过注入大分子量、高浓度聚合物,结合合理的注入方式,在化学剂成本与三元复合驱相当的情况下,采收率比水驱提高20个百分点以上,接近或超过三元复合驱的水平。实验表明,采用高浓度聚合物驱油是一种较好的提高原油采收率的方法。  相似文献   
105.
106.
钻井钢丝绳对于钻井平台安全可靠性有直接影响。采用磁性检测方法对钻井钢丝绳进行检测,并对钻井钢丝绳的励磁方式、聚磁方法及传感器与钢丝绳的配合间隙问题进行分析。在此基础上,研制了钻井钢丝绳检测仪器,能够实现对钻井钢丝绳断丝、磨损等缺陷的定性、定量检测,并能够对缺陷进行定位,为钻井钢丝绳的寿命评估提供了依据,对提高钻井平台的安全性具有重要意义。  相似文献   
107.
ZnO基薄膜晶体管的研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。  相似文献   
108.
We report a general template strategy for rational fabrication of a new class of nanostructured materials consisting of multicore shell particles. Our approach is demonstrated by encapsulating Au or Pt nanoparticles in silica shells. Other superstructures of these hollow shells, like dimers, trimers, and tetramers can also be formed by nanoparticle‐mediated self‐assembly. We have also used the as‐prepared multicore Au–silica hollow particles to perform the first studies of Ostwald ripening in confined microspace, in which chloride was found to be an efficient mediating ligand. After treatment with aqua regia, Au–Cl complex is formed inside the shell, and is found to be very active under in situ transmission electron microscopy observations while confined in a microcell. This aspect of the work is expected to motivate further in situ studies of confined crystal growth.  相似文献   
109.
高分散度Pt/C电催化剂的制备   总被引:3,自引:1,他引:2  
Cabot公司Vulcan XC-72型炭黑,经过H2O2氧化处理后作为Pt的载体,H2PtCl6作为金属前驱体制备了高度分散的Pt/C催化剂。讨论了不同条件下H2PtCl6在炭黑上的吸附性能。载体经过H2O2氧化处理24h,H2PtCl6在pH=9下吸收48h,H2 350℃还原2h,可以制备出铂晶粒平均大小为1.8nm的Pt/C电催化剂。  相似文献   
110.
Niobium- or vanadium-doped anatase sols were prepared by hydrothermal treatment of 0.1 mol/dm3 peroxotitanium complex aqueous solutions dissolving 0–10 mol% niobium or vanadium at 100°C for 8 h. Niobium-doping caused the increase of lattice constants of anatase and the shape change of anatase crystal from spindle-like to cubic-like structure, but no change of the optical absorbance. Vanadium-doping caused the decrease of lattice constant of c -axis, the miniaturization of anatase crystal and the increase of optical absorbance at the wavelength from 350–700 nm.  相似文献   
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