内蒙古花敖包特银铅锌矿床成矿特征研究与物化探勘查进展

花敖包特铅锌银矿床是近年来新发现的位于大兴安岭南段西坡银多金属成矿带上一重要矿床。自2000年通过土壤地球化学测量与激电测量发现本矿床以来,相继对该矿床进行了一系列地质基础理论研究以及有效勘查,包括通过各种地质方法揭示矿体成矿规律、探查矿体控制要素,运用物探勘查技术（高精度磁测、瞬变电磁法以及激电测量等）、化探勘查技术（土壤地球化学测量以及深穿透地球化学技术等）以及三维地质建模技术对矿区深部及其外围进行勘查,取得了一些新的认识,通过这些勘查研究显示本矿床在深部和外围仍具有良好的成矿前景。     

复合掺杂Nd（III）和Zn（II）非晶态Ni（OH）2电极活性材料的制备及其表征

以NiSO4、ZnSO4和Nd（NO3）3为原料,采用共沉淀快速冷冻法制备出了复合掺杂稀土Nd（III）和Zn（II）的非晶态氢氧化镍粉体材料。测试发现：样品材料微结构无序性强,结晶水含量较高。将样品材料制备成镍电极并组装成MH—Ni电池,在80mA／g恒电流充电5．5h、40mA／g恒电流放电、终止电压为1．0V的充放电制度下,复合掺杂6％Nd（III）和6％Zn（II）样品材料电池的放电平台为1．2624V,放电比容量为343．12mAh／g,远高于目前应用的B-Ni（OH）2电极活性材料的放电比容量。     

锂离子电池Si_(1.81)Co_(0.6)Cr_(0.6)Zn_(0.2)/MGS复合负极材料的制备与性能

采用两步高能球磨法制备了一种新的锂离子电池硅基复合负极材料Si1.81Co0.6Cr0.6Zn0.2/MGS.用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)表征了材料的组成和形貌结构.电化学测试表明,Si1.81Co0.6Cr0.6Zn0.2/MGS作锂离子电池负极材料有较好的电化学性能:首次可逆容量为561 mAh.g-1,50个循环后,可逆容量的保持率为91%.Si1.81Co0.6Cr0.6Zn0.2/MGS循环性能的改善归因于电极结构在循环过程中的稳定性.     

铝合金中锌、铁的快速测定--原子吸收分光光度法

样品以盐酸溶解，加入过氧化氢助溶，蒸至近干．加入1 1盐酸提取，移入100mL容量瓶中，分取部分溶液于50mL容量瓶中，调整盐酸酸度为5％，用水稀至刻度，摇匀后，以空气-乙炔火焰水相直接测定锌和铁。为了消除大量基体元素的影响，在标准系列中加入相当量的铝。此方法快捷、简便，亦可用于锰、镁、铜、铅、镍的测定。     

杭州下沙土壤Pb、Zn、Cu的环境质量评价

对杭州下沙区土壤中酸碱度和铅、锌、铜进行监测分析,并使用单因子污染指数法与内梅罗综合污染指数法评价该区土壤环境质量状况。结果表明下沙区土壤偏碱性,重金属含量超过该区本底值,各区域土壤重金属含量关系从高到低依次为工业区、绿地、商业区、高教区。     

以NaHCO3为矿化剂溶剂热合成Zn2SnO4纳米粉体

以NaHCO3为矿化剂采用溶剂热法合成了Zn2SnO4纳米粉体,通过X-射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）考察了矿化剂浓度、溶剂热反应温度和时间、表面活性剂等对样品组成、结构和形貌的影响,结果表明：矿化剂浓度较低时所得样品为SnO2,矿化剂浓度为1.0 mol/L、溶剂热反应温度和时间为200℃,24 h时,可得立方结构的分散均匀的Zn2SnO4纳米粉体,添加表面活性剂PVP后,样品粒度增大,立方块形貌更加明显.     

添加Zn^2+对ZIRLO合金在模拟压水堆一回路含LiOH和H3BO3水溶液工况下耐腐蚀性能的影响

对ZIRLO合金在360℃,18.6 MPa,含LiOH和H3BO3溶液的高温高压釜中进行了水侧腐蚀实验;并通过在其中的一个高压釜中加入乙酸锌,从而对比研究了加Zn对ZIRLO合金耐腐蚀性能的影响。结果表明:在腐蚀介质溶液中添加50μg/kg乙酸锌对ZIRLO合金的腐蚀增重情况、氧化膜厚度、氧化膜中第二相种类及大小、氧化膜表层元素的种类、分布及价态并无显著影响,但降低了氧化膜表层沉积物中Fe的含量,并抑制了国产新锆合金腐蚀过程中的吸氢。     

高温预析出对Al-Zn-Mg-Cu铝合金显微组织、强度和应力腐蚀抗力的影响

通过改变固溶条件 ,对Al Zn Mg Cu高强铝合金采用先高温后低温的两步固溶处理 (高温预析出 )来改善晶内和晶界的析出状态 ,研究了高温预析出对Al Zn Mg Cu铝合金的金相组织、强度和应力腐蚀性能的影响。结果表明 ,4 6 5℃高温预析出在保持较高强度和塑性的同时 ,可以改善合金的抗应力腐蚀性能     

Thermodynamic reassessment of the Cd−Zn system

The Cd−Zn system has been thermodynamically reassessed with the CALPHAD method by combining more recent experimental data, in particular the activities of zinc in the liquid phase. A good agreement is obtained between the calculated and experimental thermodynamic parameters as well asphase boundaries.     

Relationship between crystallinity and device characteristics of In‐Sn‐Zn oxide

We have reported that the transistors having the c‐axis‐aligned crystalline (CAAC) In‐Ga‐Zn oxide (IGZO) show good performance. Recently, In‐Sn‐Zn Oxide (ITZO) has attracted much attention because of its high electron mobility, as well as IGZO. However, it has been reported that ITZO field effect transistors (FET) tend to have positive Vth (normally‐on characteristics) and poor reliability compared with IGZO‐FETs. We have reported that high‐performance and high‐reliability OS‐FETs can be fabricated by using CAAC‐IGZO, which has high crystallinity and has no clear grain boundaries, as an active layer. Therefore, we have fabricated CAAC‐ITZO thin films to improve performance of ITZO‐FETs by using CAAC‐ITZO as an active layer. In addition, FETs employing CAAC‐ITZO have better characteristics and reliability than FETs using nano‐crystal ITZO. Furthermore, constant photocurrent method (CPM) measurement was carried out in order to estimate density of deep‐level defect states caused by oxygen vacancies in oxide semiconductors. The results show that CAAC‐ITZO has lower density of deep‐level defect states than nano‐crystal ITZO. We attribute the improvement in reliability of ITZO‐FETs to a decrease in deep‐level defect states of an ITZO active layer, as is the case with IGZO.