纳米铁酸锌(ZnFe2O4)的表面改性

采用化学修饰方法,以二氧化硅为内层修饰材料,r-氨丙基三甲氧硅烷(APS)偶联剂为外层修饰材料,对磁性ZnFe2O4纳米粒子进行了双层修饰。并采用XRD、IR、Zeta电位对未包裹粒子,二氧化硅包裹的磁纳米粒子,APS和二氧化硅双层包修饰的纳米磁粒进行表征。同时也比较了三种粒子的耐酸性能。结果显示硅包裹的纳米磁粒Zeta电位明显向酸性方向移动,而双层的纳米磁粒Zeta电位向碱性方向移动。包裹的纳米磁粒在pH2.0的酸中具有很好的耐酸性能,而未处理的纳米粒子在酸溶液中发生了溶解。     

Three-dimensionally confined excitons and biexcitons in submonolayer-CdSe/ZnSe superlattices

We report on structural and optical investigations of submonolayer-CdSe/ZnSe superlattices with varying thicknesses of the ZnSe spacer layers. High-resolution electron microscopy images demonstrate the formation of two-dimensional nanoscale CdSe islands for submonolayer-CdSe depositions. The vertical island arrangement is anti-correlated for spacer layer thicknesses exceeding 30Å, while predominantly vertically correlated growth occurs for thinner spacers. The different vertical ordering of the CdSe islands results in two clearly distinguishable lines in photoluminescence and optical reflectance spectra, which are attributed to excitons localized in quantum dots (QDs) formed by vertically coupled and uncoupled (Cd,Zn)Se islands, respectively. δ-like emission of single QDs is demonstrated and the different carrier localization in uncoupled and coupled QDs is reflected in the polarization of the edge emission. Stimulated emission and resonant waveguiding effects are observed for both states. At the highest excitation densities, we observe saturation of the stimulated emission in edge geometry attributed to saturation of localized states.     

以Zn(BTZ)_2∶rubrene为发光层的一种新型白色有机电致发光液晶显示背光源

制备了以Zn(BTZ)2∶rubrene为发光层的5种白色有机电致发光器件,并将其应用于液晶显示背光源。5种器件色度最好时的CIE坐标值为(0.32,0.33),最大有效发光面积达到3 cm×3 cm,此时器件的平均亮度达到264 cd/m2,亮度均匀性达到80%。并且分析了随器件有效发光面积增大,发光均匀性、亮度以及最大量子效率减小而器件电流密度反而增大的原因。同时发现附加金属(Ag)辅助电极在一定程度上有助于提高器件的性能。最后将所制备的5种器件与液晶显示屏相匹配,它们均基本满足液晶显示对背光源的要求。     

Bi1.5Zn1.0 Nb1.5O7栅绝缘层的SiO2修饰对ZnO-TFTs性能的影响

具有高介电常数的栅绝缘层材料存在某种极化及耦合作用,使得ZnO-TFTs具有高的界面费米能级钉扎效应、大的电容耦合效应和低的载流子迁移率.为了解决这些问题,本文提出了一种使用SiO₂修饰的Bi_1.5Zn_1.0Nb_1.5O₇作为栅绝缘层的ZnO-TFTs结构,分析了SiO₂修饰对栅绝缘层和ZnO-TFTs性能的影响.结果表明,使用SiO₂修饰后,栅绝缘层和ZnO-TFTs的性能得到显著提高,使得ZnO-TFTs在下一代显示领域中具有非常广泛的应用前景.栅绝缘层的漏电流密度从4.5×10^-5A/cm²降低到7.7×10^-7A/cm²,粗糙度从4.52nm降低到3.74nm,ZnO-TFTs的亚阈值摆幅从10V/dec降低到2.81V/dec,界面态密度从8×10¹³cm^-2降低到9×10¹²cm^-2,迁移率从0.001cm²/（V·s）升高到0.159cm²/（V·s）.     

Y对Mg-3Al-1Zn镁合金铸态组织的影响

研究Y对Mg-3Al-1Zn镁合金铸态组织的影响。结果表明,在Mg-3Al-1Zn合金中加入w(Y)=0.3%和w(Y)=0.6%对合金组织中合金相种类没有影响,但当w(Y)=0.9%时有Al3Y相存在。同时,加入微量Y使合金组织中Mg17Al12相基本上转变为断续状和颗粒状分布,且其分布具有一定方向性,同时其数量也逐渐减少。此外,研究结果还发现微量Y对Mg-3Al-1Zn合金的组织有一定的细化作用。     

填料中锌含量和焊接温度对SiC/Al复合材料接头性能的影响

通过烧结铝粉和碳化硅微粒制备SiC/Al复合材料,以组成(质量分数/％)分别为Al-20SiC、Al-20SiC-20Zn、Al-20SiC-40Zn的填料作为中间层材料,在420,520,600℃焊接温度下对复合材料进行扩散焊接,研究了填料中锌含量与焊接温度对复合材料接头性能的影响.结果表明:在420℃焊接后,接头附...     

InP基光电探测器材料的MOCVD锌扩散

锌(Zn)扩散是制作InP基光电探测器(PD)的重要工艺过程.分析了锌扩散的机制,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备对InP基PD及雪崩光电探测器(APD)材料进行了锌扩散,由于MOCVD设备具有精确的温度控制系统,所以该扩散工艺具有简单、均匀性好、重复性好的优点.对于扩散后的样品,采用电化学C-V方法和扫描电子显微镜(SEM)等测试分析手段,研究了退火、扩散温度、扩散源体积流量和反应室压力等主要工艺参数对InP材料扩散速率和载流子浓度的影响,并将该锌扩散工艺应用于InP基光电探测器和雪崩光电探测器的器件制作中,得到了优异的器件性能结果.     

Zn(SCN)_2·2H_2O晶体结构和喇曼光谱的研究

本文报道了一种新的非线性光学晶体Zn(SCN)_2·2H_2O的结构和喇曼光谱。对结构和喇曼光谱的关系进行了讨论。     

红色长余辉发光材料CaTiO3：Pr^3＋余辉性能的改进。

采用掺入Zn来改良红色长余辉发光材料CaTiO3：Pr^3＋的发光亮度及余辉性能．通过对该材料的X射线衍射谱、发光光谱和余辉衰减过程进行分析与测试,发现改变zn的掺入量对该发光粉体余辉性能的影响规律,当Zn^2＋的含量为15％～25％时,发光粉体具有最佳的余辉性质．     

脉冲激光诱导Zn/InP掺杂过程中温度分布的解析计算

在实验的基础上 ,分析脉冲激光诱导半导体InP掺杂Zn过程 ,利用简化的一维模型 ,在第三类边界条件下 ,给出一种较直观的脉冲激光辐照有限厚双层材料Zn/InP的温度分布解析形式