切割速度对硅片翘曲的影响

根据线切割机的工作原理,结合12英寸(1英寸=2.54 cm)单晶直径大、SiC磨削路线长和磨削发热量大的特点,制定了包括线速度、耗线量、砂浆温度、砂浆流量及各部分温度的工艺参数。根据单位时间内钢线的切割面积相等的理论设计了对称变化的切割速度曲线,又根据砂浆磨削能力的影响设计了非对称变化的切割速度曲线。用两种切割速度变化曲线进行了对比实验,根据实验结果确定在实际切割中必须考虑砂浆磨削能力的影响从而必须采用非对称的切割速度变化曲线。分析了影响线切割机加工质量的因素,并且给出了提高线切割机加工质量的改善方向。     

高振实密度球形镍粉研制

论述了液相还原法直接制备高振实密度球形镍粉的新工艺。原料采用NiSO4·5H2O,利用NaOH调节溶液的pH值并形成Ni(OH)2,还原剂采用N2H4·H2O,还原过程中加入晶核引发剂及表面活性剂。研究工作采用正交试验法安排实验,分析了对镍粉的振实密度及粒径的影响因素之主次顺序,得出实验室规模的较优工艺组合条件为: g (N2H4·H2O/Ni2+)≥2.2;反应时间为24 min左右;Ni2+的浓度为2.0 mol/L;g (NaOH/Ni2+)为1.1;反应温度为80℃。新工艺可制备振实密度高达3.0以上、质量中位径约为1 mm的高质量球形镍粉。     

新型CMP用二氧化硅研磨料

介绍化学机械抛光技术的重要性,找出影响其性哪料种类做概要论述,找出其优缺点.并在前人研究的基础上研制出更具优势的抛光研磨料,详细介绍其特点及使用条件,另对它的使用效果进行了简要说明.     

分段圆型碳纳米管阴极结构的三极FED制作

利用钠钙平板玻璃形成阴极板;结合丝网印刷技术在阴极板上制作了分段圆型碳纳米管阴极结构。烧结固化的银浆层用于分别构成矩形底电极和圆型底电极,其良好的导电性能确保阴极电势能够被顺利传导给碳纳米管。对矩形底电极采取了分段条形电极形式,多个分段条形电极整体排列在阴极板表面,形成分段条形电极矩阵,改进的矩形底电极能够有效降低整体显示器的无效电压降;而制作的圆型碳纳米管层和圆型底电极用于提高碳纳米管的场发射性能。结合分段圆型碳纳米管阴极,研制了三极结构的场致发射显示器。该显示器具有良好的场致发射特性和高的图像发光亮度,能够正确显示简单的字符图像,其开启场强为2.16 V/μm。     

碱性条件下铝CMP的机理分析及实验优化

依据铝的电化学腐蚀特性,阐明了碱性条件下铝化学机械抛光(CMP)的机理。由于铝的硬度较低,在抛光过程中容易产生微划伤等缺陷,因此首先探索出适宜铝化学机械抛光的低压条件(4 psi,1 psi=6.895 kPa)。此外,提出两步抛光的方法,在抛光初期采用压力4 psi,抛光液由质量分数为40%的纳米级硅溶胶与去离子水(DIW)以体积比1∶1配制,氧化剂(H2O2)体积分数为1.5%,FA/O I型表面活性剂体积分数为1%,调节FA/OⅡ型螯合剂pH值为11.0,获得了较高的铝去除速率(341 nm/min)。在抛光后期采用低压1.45 psi,抛光液主要成分为体积分数5%的FA/O表面活性剂,并在较大体积流量(300 mL/min)的条件下进行抛光,充分利用表面活性剂的作用,对实验方案进行优化。采用优化后的实验方案,铝表面的划伤和缺陷显著减少。     

抛光液组成对LiNbO3 CMP去除速率的影响

影响LiNbO3化学机械抛光速率的因素很多,如抛光液组成、抛光垫质量、抛光工艺参数等.主要研究了抛光液对去除速率的影响,采用磨料 碱 活性剂的配方,首先分析了抛光液各成分对去除速率的影响机理,然后结合各因素的部分相关实验,从机械、化学角度分析其性质特点,对LiNbO3晶片的去除速率进行了研究.结果表明,在保证获得较好抛光表面的前提下,采用的磨料质量分数越高越好,但活性剂体积分数不宜过高,溶液pH值采用无机碱进行调节,即可获得较高的去除速率.     

论机淤生产中加大泥浆流量的问题

在机淤生产中加大泥浆流量是提高机淤生产率的关键。在保持动力机械以额定性能运行的前提下，泥浆流量的大小主要受含沙量，管道长度及管道出水口中心与临河水位的高差三个因素的影响。通过计算，定量与定性相结合地分析出这三个因素对泥浆流量的影响及影响程度。据此，对于在机淤施工中如何控制各因素以有效地加大泥浆流量提出了建议；同时，从技术革新的角度出发，通过定量地比较分析，对于在机淤生产中采用部分并联管道以提高泥浆     

Alkaline barrier slurry applied in TSV chemical mechanical planarization

We have proposed a TSV （through-silicon-via） alkaline barrier slurry without any inhibitors for barrier CMP （chemical mechanical planarization） and investigated its CMP performance. The characteristics of removal rate and selectivity of Ti/SiO2/Cu were investigated under the same process conditions. The results obtained from 6.2 mm copper, titanium and silica show that copper has a low removal rate during barrier CMP by using this slurry, and Ti and SiO2 have high removal rate selectivity to Cu. Thus it may be helpful to modify the dishing. The TSV wafer results reveal that the alkaline barrier slurry has an obvious effect on surface topography correction, and can be applied in TSV barrier CME     

Metal Organic Framework Crystals in Mixed‐Matrix Membranes: Impact of the Filler Morphology on the Gas Separation Performance

Mixed‐matrix membranes comprising NH₂‐MIL‐53(Al) and Matrimid or 6FDA‐DAM have been investigated. The metal organic framework (MOF) loading has been varied between 5 and 20 wt%, while NH₂‐MIL‐53(Al) with three different morphologies, nanoparticles, nanorods, and microneedles has been dispersed in Matrimid. The synthesized membranes have been tested in the separation of CO₂ from CH₄ in an equimolar mixture. At 3 bar and 298 K for 8 wt% MOF loading, incorporation of NH₂‐MIL‐53(Al) nanoparticles leads to the largest improvement compared to nanorods and microneedles. The incorporation of the best performing filler, i.e., NH₂‐MIL‐53(Al) nanoparticles, into the highly permeable 6FDA‐DAM has a larger effect, and the CO₂ permeability increases up to 85% with slightly lower selectivities for 20 wt% MOF loading. Specifically, these membranes have a permeability of 660 Barrer with a CO₂/CH₄ separation factor of 28, leading to a performance very close to the Robeson limit of 2008. Furthermore, a new non‐destructive technique based on Raman spectroscopy mapping is introduced to assess the homogeneity of the filler dispersion in the polymer matrix. The MOF contribution can be calculated by modeling the spectra. The determined homogeneity of the MOF filler distribution in the polymer is confirmed by focused ion beam scanning electron microscopy analysis.     

碱性抛光液中H_2O_2对铜布线CMP的影响

化学机械平坦化(CMP)过程中,抛光液的化学作用对平坦化效果起着不可替代的作用。介绍了碱性抛光液中氧化剂(H2O2)对铜布线CMP的作用:H2O2对铜的强氧化性可以将铜氧化为离子状态,然后在螯合剂的螯合作用下快速去除铜膜;H2O2对铜的钝化作用可以保护凹处铜膜不被快速去除,从而有效降低高低差。此外,还研究了碱性抛光液中不同H2O2浓度对铜的静态腐蚀速率、动态去除速率及铜布线平坦化结果的影响。研究表明:抛光液对铜的静态腐蚀速率随H2O2浓度的增大逐渐降低然后趋于饱和;铜的动态去除速率随H2O2浓度的增大而逐渐降低;抛光液的平坦化能力随H2O2浓度的增大逐渐增强再趋于稳定。