水力深穿透射孔技术用于底水油藏开发

根据油田实际生产资料，从数学解析和数值模拟两方面研究了水力深穿透射孔技术对底水油藏的开发效果。研究表明：理想完井状态下，水力深穿透射孔井的开发效果好于直井，在射孔总长度一定时，射开一个长孔比射开多个短孔的开发效果要好；完井污染状态下，射孔深度大于污染表皮半径时，射开多个短孔比射开一个长孔的开发效果要好。储层的污染程度对水力深穿透射孔井的开发效果有较大的影响，确定水力深穿透射孔井完井方案，需要准确了解储层的污染程度。     

基于三重底线理论的PPP 项目可持续评价

为解决当前我国PPP模式面临的以经济效益为主要目的,忽视社会与环境影响的问题,针对PPP项目进行系统、全面的可持续性评价迫在眉睫。基于“三重底线”理论,结合PPP项目特征从经济、社会、环境、合作及项目特征5个维度建立了可持续评价指标体系,包括14个可持续标准指标和45个关键属性指标。引入模糊逻辑思维构建评价模型,通过三重模糊数学计算得出PPP项目整体可持续性指数,采用欧几里得距离法确定PPP项目可持续水平,并识别出阻碍项目可持续水平的因素,并以说明性案例分析验证模型的可行性和合理性。     

150t顶底复吹转炉底枪改造对其冶金特性的影响

本文采用现场生产数据统计和数值模拟计算相结合的方法对150 t顶底复合吹炼转炉底枪改造前后的冶金特性进行分析,结果表明,改造后的底枪对熔池内钢液的搅拌力增强,显著改善了炉内的冶金动力学条件,加快了熔池内传质及化学反应速率,冶炼过程更接近于平衡态,各项经济技术指标良好,冶金性能优越。     

未来科技城再生水厂一期工程工艺设计方案

该文介绍了未来科技城再生水厂一期工程的工艺流程和设计情况。根据水厂进出水水质特征,生物处理工艺采用A/A/O底曝氧化沟,深度处理工艺采用生物滤池+滤布滤池+超滤膜,出水经二氧化氯消毒后供再生水管网。对各处理构筑物的选择和设计参数的选用进行了重点说明,以期为同类水厂的设计提供经验借鉴。     

装配整体式混凝土剪力墙结构预制构件生产工艺研究

马驹桥公租房项目工程预制构件有9大类、189种型号,且采用不同的生产工艺和质量控制要点,对生产和发货的要求很高。介绍构件生产组织、模具加工、钢筋制作、混凝土浇筑及养护、质量控制及出厂验收等工艺和要求,并突出了信息化管理系统在整个生产过程中的重要作用。     

底模和养护条件对砂浆强度影响的试验研究

对不同底模、不同养护条件下273个砂浆试块进行了抗压试验,对比分析了不同条件下砂浆试块的抗压强度,研究了底模材料和养护条件对砂浆强度的影响。结果表明,底模材料对砂浆试块抗压强度有显著的影响,配合比相同的试块会因其底模材料的不同导致其抗压强度明显不同,而影响其强度等级的确定。在相同养护条件下,采用烧结普通砖底模的砂浆试块抗压强度值较大。采用混凝土砖底模的次之,采用钢底模的试块较低。各砂浆强度值之间的换算关系通过一个固定值来表示是不准确的。     

阶段空场嗣后充填采场底部结构受开采扰动规律研究（增刊）

底部结构作为采场的薄弱环节,在阶段空场嗣后充填采矿中需要重点监测,结合某铁矿底部出矿结构巷道的工程实例,借助FLAC3D数值计算软件,分析了阶段空场嗣后充填全过程底部结构受开采扰动规律。开采扰动对阶段空场嗣后充填采场的底部结构稳定性的影响有时效性和阶段性。由于中间的矿柱起到了有效的隔离作用,相邻矿房的开采对底部结构位移的扰动影响程度较小。矿房回采完毕后,对采空区及时充填可有效控制采场的持续变形,同时为下一步矿柱的回采提供了安全保障。     

Evolution of silicon bulk lifetime during III–V‐on‐Si multijunction solar cell epitaxial growth

The evolution of Si bulk minority carrier lifetime during the heteroepitaxial growth of III–V on Si multijunction solar cell structures via metal‐organic chemical vapor deposition (MOCVD) has been analyzed. In particular, the impact on Si lifetime resulting from the four distinct phases within the overall MOCVD‐based III–V/Si growth process were studied: (1) the Si homoepitaxial emitter/cap layer; (2) GaP heteroepitaxial nucleation; (3) bulk GaP film growth; and (4) thick GaAs_yP_1‐y compositionally graded metamorphic buffer growth. During Phase 1 (Si homoepitaxy), an approximately two order of magnitude reduction in the Si minority carrier lifetime was observed, from about 450 to ≤1 µs. However, following the GaP nucleation (Phase 2) and thicker film (Phase 3) growths, the lifetime was found to increase by about an order of magnitude. The thick GaAs_yP_1‐y graded buffer was then found to provide further recovery back to around the initial starting value. The most likely general mechanism behind the observed lifetime evolution is as follows: lifetime degradation during Si homoepitaxy because of the formation of thermally induced defects within the Si bulk, with subsequent lifetime recovery due to passivation by fast‐diffusing atomic hydrogen coming from precursor pyrolysis, especially the group‐V hydrides (PH₃, AsH₃), during the III–V growth. These results indicate that the MOCVD growth methodology used to create these target III–V/Si solar cell structures has a substantial and dynamic impact on the minority carrier lifetime within the Si substrate. Copyright © 2015 John Wiley & Sons, Ltd.     

玻璃生产线熔窑窑底柱柱顶埋件的3代改进

介绍玻璃熔窑窑底柱柱顶埋件的设计方法,并针对过去方案不足,提出逐代改进的新型柱顶埋件。     

底喷式等离子体发生器射流的输出特性

通过自行设计的可以综合评定等离子体射流速度、温度、压力分布等特性的实验装置,研究了底喷式等离子体射流特性。采用压电测量装置、光电测量装置和数字高速摄影研究了射流在一定距离上的压力分布特性、射流速度及射流形貌特征。结果表明,该发生器所产生等离子体射流随着距射流中心位置距离的增大迅速衰减,等离子体射流速度约500m/s,射流运动过程可分为两个阶段:第一阶段是电爆炸丝产生高温、高压等离子体射流;第二阶段是消融管消融所产生的射流。