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31.
The green phosphor for white LED, Ca8Mg(SiO4)4Cl2∶Eu2+, Mn2+, was synthesized by high temperature solid state reaction under reducing atmosphere. During the process of the phosphor prepared, the excess CaCl2 can improve the intensity of emission. The experimental results indicate that there is an effective energy transfer from Eu2+ to Mn2+in Ca8Mg(SiO4)4Cl2 host. This kind of energy transfer may be due to resonance transfer, and this energy transfer is limited. 相似文献
32.
研究了在高温,高压(T=180℃,p=1.0~1.2×10^6Pa)的加磷酸盐情况下,苛性碱分解高钙黑钨精矿的工艺,试验表明,高钙钨精矿的分解率(η)可达98%以上,钨酸钠溶液中P/W比值也能满足工艺要求,与常温,常压工艺相比苛性碱的用量降低,分解时间缩短。 相似文献
33.
34.
利用脱硫剂试样与水反应生产的乙炔通过氧燃烧,生成的CO2用碱石棉吸收,重量法测定碳量,计算CaC2含量;用丙三醇-乙二醇-蔗糖-水混合浸取剂浸取游离CaO和CaC2,用EG-TA在pH大于12时测定CaO和CaC2合量,将合量减去CaC2量计算游离CaO含量;浸取后残渣用乙酸浸取CaCO3,用EGTA络合滴定法测定钙量计算出CaCO3含量;最后的残渣用硫酸-盐酸-硼酸-水浸取分析CaF2。 相似文献
35.
高硅高钙低品位钒渣提取五氧化二钒的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以碳酸钠为添加剂,采用氧化焙烧-水浸工艺从高硅高钙低品位钒渣中提取五氧化二钒.考察了碳酸钠加入量、焙烧温度、焙烧时间、浸出温度、浸出时间、浸出液固比等对钒浸出率的影响.结果表明:氧化焙烧过程对钒的提取影响显著,而水浸过程影响较小.通过氧化焙烧使钒转化为可溶性的钒酸钠与不溶性的钒酸钙.在水浸过程中,钒酸钠溶于水;而钒酸钙与磷酸钠或硅酸钠反应转化为可溶性的钒酸钠,可同时除去浸出液中的杂质硅和磷.通过实验获得了优化工艺参数:碳酸钠加入量为18%,焙烧温度为700℃,焙烧时间为2.5h;浸出温度为90℃,浸出时间为30 min和液固比为5∶1 ml·g-1.在此优化条件下,钒浸出率可达到89.5%以上,浸出液中主要杂质为Si,P和Cr.产物五氧化二钒的纯度大于99%. 相似文献
36.
实验在合成CF2,CF、C2F的基础上,利用热台显微镜动态地观察了二元铁酸钙还原过程中的显微结构变化,考察了它们的还原性,还原前后的强度变化,结果表明C2F,CF.CF2还原性依次增强;CF2的抗压强度在还原度较低时有明显的下降,在还原度较高时随还原度的增加抗压强度增加;CF与C2F的抗压强度随还原度的提高而提高;CF2在还原过程中有明显的裂纹产生,裂纹的产生影响了CF2的强度。 相似文献
37.
铜箔的生箔电解液中杂质金属离子钙的含量控制非常重要,但电解液中大量存在的铜离子和硫酸根离子对火焰原子吸收法测定钙含量存在一定的干扰。实验了此两种因素的干扰程度并对消除干扰的方法进行了选择,确立了准确测定铜箔电解液中钙的方法。 相似文献
38.
为促使高炉法钙镁磷肥企业在提高产量、降低消耗的基础上提高企业经济效益,云南沾益磷肥厂在2#高炉上用纯氧提高鼓风空气中氧含量1%~2%进行工业性生产试验。试验证实了适当提高氧含量鼓风是安全可靠的,提高氧含量鼓风尽管技术很成熟,但由于氧含量提高过少,影响钙镁磷肥高炉技经指标因素较多,试验未取得理想效果。应进一步制定提高鼓风中氧含量在10%~30%的试验方案,继续试验,开发这一工业应用技术。 相似文献
39.
{110} surfaces of CaF2 crystals are etched with different concentrations of HCl. It is found that concentrated HCl produces characteristic rectangular
pyramidal etch pits and 2 volume percent HCl produces boat shaped etch pits. Such variations in the etch pit shapes on {110}
surfaces of CaF2 crystals with different concentrations of HCl have been explained. Concentrated H2SO4 is found to be a suitable chemical polisher for these surfaces, the polishing rate is about 0·1μ/min. 相似文献
40.