实时递推的最小二乘预测跟踪算法

针对探测系统跟踪误差对目标跟踪的影响,提出一种实时递推的最小二乘预测跟踪算法.该算法采用平方预测器的估算方式,获得目标运动轨迹的最佳逼近,通过不断更新的历史数据实时递推轨迹参数,预测下一帧目标位置.该算法采用Matlab软件编写易于工程实现的应用程序.得到仿真的目标真实轨迹与预测轨迹数据.仿真结果表明,该算法可以在系统...     

基于翼表温度测量的光纤Bragg光栅传感器研究

根据可变体机翼翼表温度检测范围-60～+80℃的要求,提出了一种基于铝板片封装的光纤Bragg光栅(FBG)温度增敏传感装置.该装置采用耐高温环氧树脂胶将FBG粘贴在铝板片U槽中,并预热60℃、保持30 min以保证FBG温度传感增敏装置线性和重复性.研究及试验结果表明,在翼表工作环境温度范围内,该模型理论与实测温度灵敏度分别为28.16 pm/℃和29.03 pm/℃.与裸光栅相比,其增敏倍数分别为2.540倍和2.636倍,增敏倍数误差为3.78％,反射波长与温度的线性度达到0.999 3.因此,在翼体工作环境温度范围内尤其低温环境-60～0℃间,该温度增敏传感装置能满足检测所需精度.     

扫描电镜样品制备的改进方法用于纤毛虫特氏前口虫皮层的观察

人们观察纤毛虫或其他细胞表膜内表面结构的方法是利用透射电镜.但观察到的均为二维图像,展示其形态结构的三维图像尚未有过报道.本文介绍了本实验室在扫描电镜样品制备的破膜方法基础上,在特氏前口虫上的新改进.此改进的方法展示了应用于特氏前口虫后,所获得的表膜内表面皮层下三维立体结构观察的效果,从而为相关领域的研究者应用扫描电镜...     

一种跟瞄系统角误差的测量方法

介绍了跟瞄系统角误差一种测量方法的原理、数据处理方法以及测试结果。待测的跟瞄系统由光电跟踪引导系统和随动天线组成,先通过动力飞艇对跟瞄系统的跟瞄精度进行了测试,再利用无人飞机对跟瞄系统的跟瞄精度进行对比验证。测试得到的数据表明,该测试方法简单有效、费用低,可用于类似系统的角精度测量。     

基于双密钥分割合成滤波的相位编码的密钥恢复算法

提出了一种分割合成滤波(SCF)相位编码的新密钥恢复算法.恢复过程中,首先利用已知明文攻击的方法获取SCF相位编码系统的分割模板;然后根据模板的信息,借助蒙特-卡罗法模拟分析出各个像素点的归属情况.进而利用分割模板的生成规则恢复出密钥频谱的强度信息,在此过程中提出了强度池(IP)的概念,以解决强度修正的问题.最后借鉴相...     

水热法制备K0.5Bi0.5TiO3陶瓷粉体及其介电性能研究

采用水热法合成了K0.5Bi0.5TiO3(KBT)无铅压电陶瓷粉体.运用X线衍射(XRD)分析了KOH浓度及反应时间对产物物相的影响;利用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察研究了粉体的形貌.结果表明,增大碱浓度(4～12 mol/L)和延长反应时间都有利于KBT纳米粉体的合成.在220℃,KOH的起始浓度12 mol/L水热合成48 h的纯KBT相呈立方形结构,晶型规整,晶粒尺寸约为100nm.由水热法制备的粉体在1060℃烧结,获得介电损耗为0.05的致密压电陶瓷材料.     

基于Matlab实现现代功率谱估计

功率谱估计可以分为经典谱估计和现代谱估计。现代谱的估计可建立AR模型对离散信号进行谱估计、建立MA模型和ARMA模型进行谱估计。基于Matlab对三种模型进行仿真,并对结果进行了分析。结果显示,三种模型对现代谱的获得是有效的,并得到较好的谱估计。     

GSM与WCDMA综合网管融合策略与实现

第三代移动通信网络牌照发放之后,国内运营商大规模开展3G网络建设,于是在国内出现了GSM／WCDMA,CDMAIX／EVDO,GSM／TD—SCDMA三种组合型网络。如何融合2G与3G综合网管系统、节约建设成本、有效地提升3G网络运维效率是当前综合网管建设的重大课题之一。文章通过对GSM与WCDMA移动通信网络融合情况的分析,以及对新一代网管系统的研究,探讨GSM与WCDMA统一融合的省级综合网管建设策略,以及省内建设过程中的具体实施步骤及可能遇到的问题。     

基于光纤倏逝波传感器的磷酸根离子检测

提出了利用光纤倏逝波传感器通过光吸收方法来测量溶液中磷酸根离子浓度的新方法。将通信用标准单模光纤（SMF）局部腐蚀到接近芯层后放入不同浓度的磷钼蓝溶液中,当以磷钼蓝光吸收峰值为探测光波长时,光纤表面的倏逝波会部分被溶液吸收,通过测量光纤输出光强来计算溶液中的磷酸根离子浓度。实验结果表明,磷钼蓝溶液中磷浓度为0．04～O...     

Monte Carlo Simulation of Damage Depth in Focused Ion Beam Milling Si3N4 Thin Film

The damage properties of Focused Ion Beam（FIB） milling Si3N4 thin film are investigated by the detailed analyzing images of nanoholes and simulation of Monte Carlo. The damage depth in the Si3N4 thin film for two different ion species（Gallium and Arsenic） under various parameters（ion energy, angle of incidence） are investigated by Monte Carlo method. The simulations show the damage depth increases with the increasing ion energy, the damage depth is dependent on the angle of incident ion, the curves of the damage depth for Ga ion and As ion at 30 keV nearly superpose, while the damage depth for Ga with 90 keV ion is more than that for As ion with the same energy.