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161.
彩色不锈钢生产工艺及其耐蚀性的研究 总被引:7,自引:1,他引:7
采用添加了CS-1添加剂的常规的不锈钢着色液可以生产出彩色不锈钢。所获彩色膜除包括在常规的着色液中可获得的颜色外,还能着出茶色、咖啡色、古铜色等颜色。通过动电位扫描极化曲线等的测量和分析,研究了所得着色膜的耐蚀性能,并解释着色膜经硬化处理后,耐蚀性得到提高的原因。 相似文献
162.
采用常压化学气相沉积方法(atmospheric pressure chemical vapor deposition,APCVD)制备了氮氧化硅(Si—O—N)薄膜,研究了影响其沉积速率和生长模式的因素。在φ(NH_3):φ(SiH_4)=20:1,基板温度为650℃的条件下,当混合气体流量小于720ml/min时,薄膜的形成主要受气体扩散过程控制;当混合气体流量大于720 ml/min时,则主要受表面气相反应过程控制;混合气体流量为720 ml/min的条件下,氮氧化硅薄膜的沉积过程主要受基板表面的气相反应过程控制,薄膜沉积厚度与沉积时间成线性关系,反应速率为常数1640 nm/min,表面活化能为283 kJ/mol。通过SEM分析发现:氮氧化硅薄膜的形成方式符合三维成核模型,即反应初期Si,N,O等原子在基板表面相遇结合在一起形成原子团,一定数量的原子团构成临界核;反应中期临界核长大为岛状结构,岛不断长大,岛与岛之间相互接合形成通道网络结构;反应后期,原子不断填补网络空洞,最后成为连续薄膜。 相似文献
163.
不同活化剂对石油焦基活性炭孔结构的影响 总被引:4,自引:1,他引:4
以石油焦为原料 ,Na OH,KOH和 Na2 CO3 为活化剂制备活性炭 ,采用氮气吸附考察了不同活化剂对活性炭的比表面积、中孔和微孔孔径分布、孔容积及平均孔径等孔结构的影响 .结果表明 :KOH活化制备的活性炭包含 1 nm的微孔和 4nm的中孔 ,总孔容 0 .648cm3 /g,比表面积大 ;Na OH制备的活性炭以 1 nm的微孔为主 ,占总孔容 ( 0 .1 65 cm3 /g)的 98% ,平均孔径 1 .83nm;Na2 CO3 制备的活性炭以 4nm的中孔为主 ,占总孔容 ( 0 .1 43cm3 /g)的 68.5 % ,平均孔径 3.42 nm,比表面积小 .3种样品的孔径都呈现出多峰分布特征 .KOH和 Na2 CO3 活化制备的活性炭的 N2 吸附脱附曲线属于 型 ,Na OH活化制备的活性炭吸附脱附曲线属于 型 . 相似文献
164.
165.
介绍了炼油过程中多产石油化工原料的有关工艺技术,从化学结构转化角度阐明了理论依据.由于原油特别是重油中丰富的烷基碳、环烷碳和芳碳资源均能通过一定途径转化为低碳烯碳以及芳碳,其潜在资源超过单纯依靠石脑油所能提供的数量,因而在经济合理和技术可行的原则下尽量提高其转化率成为当前炼油-化工一体化的研究热点. 相似文献
166.
聚铝溶液pH值及盐基度的相关性研究 总被引:6,自引:1,他引:6
为聚铝溶液进行了PH值和盐基度的分析和估算,给出了聚铝溶液的极限PH值和极限盐基度与总溶解铝浓度的关系曲线,最终计算结果表明:在平衡条件下,聚铝溶液的PH值和盐基度具有相关性,即当基中一个参数发生变化时。另一个参数必然要发生相应的改变。 相似文献
167.
随着石油价格的上涨,煤化工、生物化工与石油化工的竞争力对比发生了重大变化,我国化学工业的原料结构面临重大调整。本文分燃料和化工原料两大领域讨论了煤化工、生物化工和石油化工的竞争态势,分析了我国化学工业原料结构调整的趋势,并对如何应对这种趋势提出了建议。 相似文献
168.
影响磷石膏中残磷含量的主要因素分析 总被引:5,自引:1,他引:5
实现磷石膏的资源化,已经成为贵州省肥、磷化工企业可持续发展的重要影响因素;磷石膏中残磷的高含量不仅降低了磷酸的萃取率,同时影响磷石膏的资源化利用;分析了影响磷石膏化学成分的各种主要因素,并从磷石膏资源化的角度,讨论了磷石膏中的残磷及其影响因素;磷石膏成分随这些影响因素的不同而变化。 相似文献
169.
介孔材料化学改性研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了介孔材料化学改性目的,改性原理以及改性方法。介孔材料的化学改性包括对材料骨架的修饰以及对孔道表面的功能化,介孔材料表面自由硅醇键、双羟基硅醇踺是化学改性的基础,利用疏水性物质改性可以提高材料的水热稳定性,引入催化活性组分可以提高催化性能,利用具有特定官能团的硅烷偶连剂改性,则能够实现特殊的目的。详述了化学改性方法,包括元素取代法、共价键移植法和有机硅烷偶连法。元素取代法是对分子筛骨架结构的修饰,共价键移植法是一种不引起孔道结构破坏且非常有效的骨架修饰方法,对介孔材料表面进行有机硅烷偶连剂法修饰改性主要有两种途径:即共沉淀法和后移植法。 相似文献
170.
Manuel Belmonte Vitor A. Silva Antonio José Fernandes Florinda Costa Rui Silva 《Journal of the American Ceramic Society》2003,86(5):749-754
The efficiency of different surface pretreatments (four standard chemical etchings and four diamond powder abrasive procedures) on silicon nitride (Si3 N4 ) substrates for chemical vapor deposition (CVD) of diamond has been systematically investigated. Blank Si3 N4 samples were polished with colloidal silica (∼0.25 μm). Diamond nucleation and growth runs were conducted in a microwave plasma chemical vapor deposition apparatus for 10 min and 6 h, respectively. Superior results concerning nucleation density ( N d ∼ 1010 cm−2 after 10 min), film uniformity, and grain size (below 2 μm after 6 h) were obtained for the mechanically microflawed samples, revealing that chemical etchings (hot and cold strong acids, molten base or CF4 plasma) are not crucial for good CVD diamond quality on Si3 N4 . 相似文献