盐+碱协同对多孔碳电极材料电化学性能的影响

超级电容器作为一类新兴的能量存储转换器件,因其充放电速度快、寿命长和安全环保的特点而受到推崇。其中,用于超级电容器的电极材料一直是人们的研究重点,综合原料来源、价格和制备工艺等因素,多孔碳电极材料成为首选。盐模板法和KOH化学活化法都是制备多孔碳电极常用的方法,前者产物的孔结构以介孔为主,但操作复杂;后者活化产物比表面积大,可以精确控制多孔碳电极的孔径分布和孔体积,但该法活化后的多孔碳多以微孔为主。若将两者结合,形成优势互补,协同构建合理的碳材料结构,有助于提升多孔碳电极的电化学性能。以锂电负极行业的固废——针状焦的生焦粉为原料,利用模板和化学活化相结合的方法制备电极材料,探索盐（KCl）和碱（KOH）的添加比例对碳电极材料电化学性能的影响。研究结果表明,两种方法相结合制备得到的多孔碳样品的碳结构以表面缺陷较多的无定型碳为主。随着KOH加入量的增加,无定型结构的碳增加,但是加入过量的KOH并不能提高无定型碳的含量。三电极测试分析发现,样品PC-2表现出优异的电容性能,在1 A·g^-1的电流密度下,质量比电容达到266.9 A·g^-1;在10 A·g^-1的高电流密度下,容量保持率高达79.4%。该电极材料的内阻仅为0.67 Ω,并且双电层电容性能有极短的响应时间。当m(生焦粉)∶m(KCl)∶m(KOH)=1∶3∶2时,KCl和KOH的协同活化效果达到了最佳,显著提高了碳电极材料电荷的传输能力,且能有效地缩短电解质离子在材料内部的扩散路径,表现出较快的充放电速度。     

碲镉汞环孔p-n结反常特性分析

在HgCdTe 环孔p-n结器件的研制过程中,经常会出现一些反常现象,如负的开路电压和负的光电压等.现对上述现象进行理论分析,并通过大量实验对上述反常现象进行了验证.     

O2,金属电极/YSZ界面的电化学研究

本文利用交流阻抗和直流极化的电化学方法，比较了200～500℃氧在Pt、Ag、Au、Ag－Pd四种化学镀电极上的扩散，350～600℃氧在金属电极／YSZ界面的电化学反应速度以及阴阳电荷传递系数；计算了350～600℃四种电极的界面阻抗；研究了400℃时O2在Ag－Pd电极界面的交换电流密度Io与氧分压Po2的定量关系．     

热浸镀技术及其应用

简要评述了热浸镀技术的工艺过程;全面系统地分析了热浸镀锌和铝的各自特点以及改善镀层性能的方法;最后介绍了热浸镀技术的应用及发展前景。     

浅谈触点组件电阻焊电极材料的选用及特殊情况焊接工艺设计

电阻焊接在低压电器触点组件的焊接生产中应用广泛,其焊接质量的好坏直接影响电器产品的质量。在低压电器触点组件的焊接过程中,电极材料的正确选择是获得最佳产品质量的必要条件之一。针对一些特殊的触点组件,必须根据其特点设计相应的焊接工艺,这样才能既保证焊接质量,又能使触点组件的其他功能不受影响。     

浅析HID电弧管发黑问题

主要探讨了汞灯、金卤灯、钠灯电弧管在使用过程中管壁发黑的问题。以物理化学变化为理论基础,以"电弧管使用后期发黑"和"电弧管初次燃点发黑"为研究对象,结合电弧管生产工艺流程,分析了管壁发黑的根本原因,为解决电弧管管壁早期发黑寻求最佳的解决方法。     

全光纤热光型可变光衰减器

根据光纤包层中的倏逝场机制,将具有热光效应的聚合物材料直接覆盖在侧边抛磨光纤上,进行了全光纤热光型可变光衰减器(VOA)的研究.根据理论分析,确定了在侧边抛磨光纤的抛磨区上覆盖材料的折射率与纤芯中光衰减量之间的关系,为选择适当折射率的热光材料提供依据.设计适当的侧边抛磨区,利用先进的轮式侧边抛磨技术,制备了侧边抛磨光纤,以达到最佳可变光衰减效果.采用螺绕电极和优化封装,制作出性能优良的全光纤热光型可变光衰减器.性能测试表明,器件插入损耗小于0.1 dB,衰减范围为0~80 dB,偏振相关损耗小于0.02 dB,背向反射大于70 dB.该方法制作的全光纤热光型可变光衰减器具有可用电驱动调控、可靠性高等优点.     

低插损窄带型10.7MHz压电陶瓷滤波器的研制

介绍了低插损窄带型10.7 MHz压电陶瓷滤波器的一种设计制作方法。结合压电陶瓷能陷模理论,通过对滤波器分割电极设计和制造工艺控制技术的研究,强调了工艺控制的重要性。产品达到日本村田同类产品水平,对国产化窄带型10.7 MHz压电陶瓷滤波器的研发和生产具有十分重要的意义。认为选用高Qm值压电陶瓷材料、分割电极和耦合电容的设计、焊接和点蜡工艺的控制等是研制低插损窄带型10.7 MHz压电陶瓷滤波器的重点。     

微空心阴极放电作大体积辉光放电电子源的模拟研究

基于MATLAB与VC 混合语言，采用Monte Carlo模拟对高气压下亚毫米级微空心阴极放电(MHCD)在第三电极牵引下电子的运动过程进行了研究，计算出不同电压、不同的尺寸结构下，电子的空间分布和被牵引出MHCD的电子能量分布。从理论上分析了MHCD结构要求，以及电压等参量对出射电子的能量分布影响。