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81.
This paper simulates a kind of new sub-50 nm n-type double gate MOS nanotransistors by solving coupled Poisson-Schrödinger equations in a self-consistent manner with a finite element method, and presents a systematic simulation-based study on quantum-mechanical effects, gate leakage current of FinFETs. The simulation results indicate that the deviation from the classical model becomes more important as the gate oxide, gate length and Fin channel width becomes thinner and the Fin channel doping increases. Gate tunneling current density reduces with the body thickness decreasing. Excessive scaling increases the gate current below Fin thickness of 5 nm. The gate current can be dramatically reduced beyond 1017 cm−3 with the Fin body doping increasing. In order to understand the influence of electron confinement, quantum mechanical simulation results are also compared with the results from the classical approach. Our simulation results indicate that quantum mechanical simulation is essential for the realistic optimization of the FinFET structure. 相似文献
82.
83.
提出一种基于织物纹理特征的最优Gabor滤波器设计方法.分别建立了正常纹理匹配和疵点纹理匹配的Gabor滤波器优化设计模型,并采用小生境遗传算法对两种模型进行求解.通过比较和分析两种滤波器的检测结果发现,由正常纹理匹配模型得到的最优Gabor滤波器更适宜于织物疵点的识别与分割,并且其中心频率与纹理图像功率谱中能量最集中的谐波成分相一致,因而可以极大地缩短求解优化模型所花费的时间. 相似文献
84.
85.
86.
主要阐述马钢连铸机软水系统近几年在生产过程中存在的问题,并针对这些问题进行分析,通过工艺设计改造,取得良好生产运行效果及经济效益。 相似文献
87.
通过总结张家口发电厂第一台机组投产以来锅炉“四管”爆漏发生的次数、原因,分析了在防止锅炉爆管方面采取的措施,肯定了目前取得的成绩,以供借鉴。 相似文献
89.
基于漏泄通讯技术的矿山井下综合通信网络 总被引:2,自引:0,他引:2
高速、双向、大容量的矿山井下综合通信网络,是实现矿山智能化开采的基础.井下通讯的难点在于如何实施移动通信,而漏泄通信技术是解决无线电波在矿井巷道中传播的有效途径,是实现矿山井下移动通信稳定可靠的重要手段.笔者就如何架构基于漏泄通讯技术的矿山井下综合通讯网络进行了探讨. 相似文献
90.
TiO2 fims have been deposited on glass substrates using DC reactive magnetron sputtering at different oxygen partial pressures
from 0. 10 Pa.to 0.65 Pa. The transmittance (UV-vis) and photoluminescence (PL) spectra of the films were recorded. The results
of the UV-vis spectra show that the deposition rate of the films decreased at oxygen partial pressure P(O2)≥0.15 Pa, the band gap increased from 3.48 eV to 3.68eV for direct transition and from 3.27 eV to 3.34 eV for indirect transition
with increasing the oxygen partial pressure. The PL spectra show convincingly that the transition for films was indirect,
and there were some oxygen defect energy levels at the band gap of the films. With increasing the O2 partial pressure, the defect energy levels decreased. For the films sputtered at 0.35 and 0.65 Pa there were two defect energy
levels at 2.63 eV and 2.41 eV, corresponding to 0.72 eV and 0.94 eV below the conduction band for a band gap of 3.35 eV, respectively.
For the films sputtered at 0.10 Pa and 0.15 Pa, there was an energy band formed between 3.12 eV and 2.06 eV, corresponding
to 0.23 eV and 1.29 eV below the conduction band.
ZHAO Qing-nan : Born in 1963
Funded by Natural Science Foundation of Hubei Province, China. 相似文献